Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ479EP-T1_BE3
SQJ479EP-T1_BE3

SQJ479EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

sqj479ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+34.82 грн
9000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ479EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SQJ479EP-T1_BE3 за ціною від 32.40 грн до 139.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJ479EP-T1_BE3 SQJ479EP-T1_BE3 Vishay sqj479ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3 SQJ479EP-T1_BE3 Vishay sqj479ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3 SQJ479EP-T1_BE3 Vishay sqj479ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+90.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3 SQJ479EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj479ep.pdf Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 14031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.04 грн
10+78.51 грн
50+58.99 грн
100+49.43 грн
500+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3 SQJ479EP-T1_BE3 Vishay / Siliconix sqj479ep.pdf MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 110897 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+139.07 грн
10+65.43 грн
100+50.83 грн
500+40.22 грн
1000+38.83 грн
3000+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3 sqj479ep.pdf
SQJ479EP-T1_BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+41.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3 sqj479ep.pdf
SQJ479EP-T1_BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+41.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3 sqj479ep.pdf
SQJ479EP-T1_BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+90.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3 sqj479ep.pdf
SQJ479EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 14031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.04 грн
10+78.51 грн
50+58.99 грн
100+49.43 грн
500+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3 sqj479ep.pdf
SQJ479EP-T1_BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 110897 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+139.07 грн
10+65.43 грн
100+50.83 грн
500+40.22 грн
1000+38.83 грн
3000+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.