SQJ479EP-T1_BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 35.48 грн |
| 6000+ | 32.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ479EP-T1_BE3 Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SQJ479EP-T1_BE3 за ціною від 31.22 грн до 134.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQJ479EP-T1_BE3 | Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 8392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJ479EP-T1_BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 214114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SQJ479EP-T1_BE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.64 грн |
| 10+ | 67.58 грн |
| 100+ | 52.56 грн |
| 500+ | 41.81 грн |
| 1000+ | 34.06 грн |
| SQJ479EP-T1_BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 214114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.03 грн |
| 10+ | 84.30 грн |
| 100+ | 48.99 грн |
| 500+ | 38.77 грн |
| 1000+ | 35.38 грн |
| 3000+ | 32.28 грн |
| 6000+ | 31.22 грн |