Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ479EP-T1_BE3
SQJ479EP-T1_BE3

SQJ479EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

sqj479ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.61 грн
6000+32.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ479EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SQJ479EP-T1_BE3 за ціною від 32.22 грн до 113.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ479EP-T1_BE3 SQJ479EP-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj479ep.pdf Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 8392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.95 грн
10+67.82 грн
100+52.75 грн
500+41.96 грн
1000+34.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3 SQJ479EP-T1_BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj479ep.pdf MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 229994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.30 грн
10+77.84 грн
100+52.67 грн
500+41.71 грн
1000+36.34 грн
3000+32.52 грн
6000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_BE3 SQJ479EP-T1_BE3 Виробник : Vishay sqj479ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.