SQJ479EP-T1_GE3

SQJ479EP-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqj479ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.93 грн
6000+30.45 грн
9000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ479EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJ479EP-T1_GE3 за ціною від 31.18 грн до 132.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj479ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.58 грн
6000+32.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj479ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.24 грн
6000+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj479ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj479ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj479ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj479ep.pdf Description: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 6591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.37 грн
500+43.92 грн
1000+40.26 грн
5000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj479ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
146+83.75 грн
152+80.35 грн
214+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 146
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj479ep.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.42 грн
10+75.01 грн
100+51.33 грн
500+38.05 грн
1000+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj479ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+114.79 грн
10+77.77 грн
25+74.61 грн
100+51.17 грн
250+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj479ep.pdf MOSFETs P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 50767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.64 грн
10+86.22 грн
100+51.07 грн
500+41.72 грн
1000+38.53 грн
3000+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj479ep.pdf Description: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 6591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.41 грн
10+89.11 грн
100+62.37 грн
500+43.92 грн
1000+40.26 грн
5000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3
Код товару: 194623
Додати до обраних Обраний товар

sqj479ep.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.