Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ479EP-T1_GE3
SQJ479EP-T1_GE3

SQJ479EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj479ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.49 грн
6000+30.95 грн
9000+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ479EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SQJ479EP-T1_GE3 за ціною від 31.39 грн до 124.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj479ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj479ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
238+51.45 грн
Мінімальне замовлення: 238
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj479ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+53.30 грн
13+47.77 грн
25+47.62 грн
100+41.91 грн
250+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj479ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+54.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3006516.pdf Description: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.56 грн
500+45.91 грн
1000+41.87 грн
5000+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj479ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+66.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj479ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+85.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj479ep.pdf MOSFETs P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 38033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.05 грн
10+75.58 грн
100+51.24 грн
500+40.52 грн
1000+35.32 грн
3000+32.60 грн
6000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj479ep.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.28 грн
10+76.25 грн
100+52.18 грн
500+38.68 грн
1000+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3006516.pdf Description: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.44 грн
10+87.19 грн
100+62.56 грн
500+45.91 грн
1000+41.87 грн
5000+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj479ep.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+69.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3
Код товару: 194623
Додати до обраних Обраний товар

sqj479ep.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj479ep.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.