SQJ479EP-T1_GE3
Код товару: 194623
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SQJ479EP-T1_GE3 за ціною від 28.93 грн до 166.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ479EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 38033 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ479EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SQJ479EP-T1"GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ479EP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 32A, POWERPAKSO tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SQJ479EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |