Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 > SQJ479EP-T1_GE3

SQJ479EP-T1_GE3

sqj479ep.pdf
Код товару: 194623
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SQJ479EP-T1_GE3 за ціною від 28.72 грн до 165.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors sqj479ep.pdf MOSFETs P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 38033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.67 грн
10+69.15 грн
100+46.87 грн
500+37.07 грн
1000+32.31 грн
3000+29.82 грн
6000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 SQJ479EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj479ep.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.59 грн
10+77.48 грн
100+51.99 грн
500+38.54 грн
1000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1"GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQJ479EP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 32A, POWERPAKSO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.11 грн
25+103.90 грн
50+86.18 грн
100+63.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 sqj479ep.pdf
SQJ479EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 38033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.67 грн
10+69.15 грн
100+46.87 грн
500+37.07 грн
1000+32.31 грн
3000+29.82 грн
6000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1_GE3 sqj479ep.pdf
SQJ479EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.59 грн
10+77.48 грн
100+51.99 грн
500+38.54 грн
1000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ479EP-T1"GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ479EP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 32A, POWERPAKSO
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+165.11 грн
25+103.90 грн
50+86.18 грн
100+63.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.