SQJ486EP-T1_GE3

SQJ486EP-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqj486ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.21 грн
10+65.61 грн
100+51.07 грн
500+40.62 грн
1000+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ486EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V, Power Dissipation (Max): 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ486EP-T1_GE3 за ціною від 30.84 грн до 90.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ486EP-T1_GE3 SQJ486EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj486ep.pdf MOSFET N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 24829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.59 грн
10+73.69 грн
100+49.85 грн
500+42.23 грн
1000+34.40 грн
3000+32.36 грн
6000+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ486EP-T1_GE3 SQJ486EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj486ep.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ486EP-T1_GE3 SQJ486EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj486ep.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ486EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj486ep.pdf SQJ486EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ486EP-T1_GE3 SQJ486EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj486ep.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.