SQJ486EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 76.55 грн |
| 10+ | 60.36 грн |
| 100+ | 46.98 грн |
| 500+ | 37.37 грн |
| 1000+ | 30.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ486EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V, Power Dissipation (Max): 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQJ486EP-T1_GE3 за ціною від 28.37 грн до 83.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ486EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 24829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ486EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SQJ486EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SQJ486EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 17A; 56W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 17A Power dissipation: 56W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SQJ486EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SQJ486EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 17A; 56W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 17A Power dissipation: 56W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |