Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ488EP-T1_GE3
SQJ488EP-T1_GE3

SQJ488EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj488ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+49.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ488EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ488EP-T1_GE3 за ціною від 47.10 грн до 125.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ488EP-T1_GE3 SQJ488EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj488ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
197+61.84 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_GE3 SQJ488EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj488ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.90 грн
10+87.84 грн
100+69.91 грн
500+55.51 грн
1000+47.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_GE3 SQJ488EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj488ep.pdf MOSFET 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified
на замовлення 20968 шт:
термін постачання 751-760 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.06 грн
10+107.65 грн
100+75.47 грн
500+61.25 грн
1000+50.80 грн
3000+47.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_GE3 SQJ488EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj488ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+125.22 грн
10+111.94 грн
25+108.37 грн
50+99.21 грн
100+82.20 грн
250+76.18 грн
500+65.96 грн
1000+58.09 грн
3000+56.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_GE3 SQJ488EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj488ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.