Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ488EP-T1_GE3
SQJ488EP-T1_GE3

SQJ488EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj488ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ488EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ488EP-T1_GE3 за ціною від 46.51 грн до 180.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJ488EP-T1_GE3 SQJ488EP-T1_GE3 Vishay sqj488ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+72.34 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_GE3 SQJ488EP-T1_GE3 Vishay sqj488ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+157.75 грн
10+141.02 грн
25+136.52 грн
50+124.98 грн
100+103.56 грн
250+95.97 грн
500+83.09 грн
1000+73.18 грн
3000+71.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_GE3 SQJ488EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj488ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.61 грн
10+102.72 грн
50+77.93 грн
100+65.62 грн
500+52.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_GE3 SQJ488EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqj488ep.pdf MOSFETs 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified
на замовлення 8932 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+180.88 грн
10+86.63 грн
100+67.94 грн
500+54.12 грн
1000+51.12 грн
3000+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_GE3 sqj488ep.pdf
SQJ488EP-T1_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
197+72.34 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_GE3 sqj488ep.pdf
SQJ488EP-T1_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+157.75 грн
10+141.02 грн
25+136.52 грн
50+124.98 грн
100+103.56 грн
250+95.97 грн
500+83.09 грн
1000+73.18 грн
3000+71.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_GE3 sqj488ep.pdf
SQJ488EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.61 грн
10+102.72 грн
50+77.93 грн
100+65.62 грн
500+52.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_GE3 sqj488ep.pdf
SQJ488EP-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified
на замовлення 8932 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+180.88 грн
10+86.63 грн
100+67.94 грн
500+54.12 грн
1000+51.12 грн
3000+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.