Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ504EP-T1_BE3
SQJ504EP-T1_BE3

SQJ504EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

sqj504ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.91 грн
6000+34.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ504EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 34W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 85nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ504EP-T1_BE3 за ціною від 39.69 грн до 136.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ504EP-T1_BE3 SQJ504EP-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj504ep.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.63 грн
10+83.88 грн
100+56.66 грн
500+42.24 грн
1000+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ504EP-T1_BE3 SQJ504EP-T1_BE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj504ep.pdf MOSFETs PowerPAK SO-8L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.