Продукція > VISHAY > SQJ504EP-T1_GE3
SQJ504EP-T1_GE3

SQJ504EP-T1_GE3 VISHAY

sqj504ep.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ504EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0061 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0061ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.81 грн
500+56.11 грн
1000+48.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ504EP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJ504EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0061 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0061ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 34W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0061ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 34W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SQJ504EP-T1_GE3 за ціною від 43.81 грн до 176.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ504EP-T1_GE3 SQJ504EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj504ep.pdf MOSFETs 40/-40V Vds; SO-8L +/-20V Vgs
на замовлення 8528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.43 грн
10+113.02 грн
100+67.58 грн
500+53.86 грн
1000+48.84 грн
3000+43.88 грн
6000+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ504EP-T1_GE3 SQJ504EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj504ep.pdf Description: VISHAY - SQJ504EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6100µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6100µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+176.06 грн
10+112.81 грн
100+76.32 грн
500+56.50 грн
1000+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ504EP-T1_GE3 SQJ504EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj504ep.pdf Description: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ504EP-T1_GE3 SQJ504EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj504ep.pdf Description: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.