SQJ504EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 40.87 грн |
| 6000+ | 37.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ504EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJ504EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6100 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6100µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 34W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6100µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 34W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SQJ504EP-T1_GE3 за ціною від 39.81 грн до 151.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ504EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ504EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6100 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6100µohm Verlustleistung, p-Kanal: 34W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6100µohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 34W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQJ504EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 85nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 27242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJ504EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40/-40V Vds; SO-8L +/-20V Vgs |
на замовлення 3807 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQJ504EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ504EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6100 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6100µohm Verlustleistung, p-Kanal: 34W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6100µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 34W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJ504EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |