Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ560EP-T1_BE3
SQJ560EP-T1_BE3

SQJ560EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

sqj560ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.72 грн
6000+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ560EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 34W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ560EP-T1_BE3 за ціною від 34.91 грн до 122.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ560EP-T1_BE3 SQJ560EP-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj560ep.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.90 грн
10+75.30 грн
100+50.69 грн
500+37.69 грн
1000+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ560EP-T1_BE3 SQJ560EP-T1_BE3 Виробник : Vishay sqj560ep.pdf MOSFETs N- AND P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ560EP-T1-BE3 Виробник : Vishay MOSFETs POWRPK DUAL CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ560EP-T1/BE3 Виробник : Vishay Array
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.