Продукція > VISHAY > SQJ740EP-T1_GE3
SQJ740EP-T1_GE3

SQJ740EP-T1_GE3 VISHAY

VISH-S-A0018268349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ740EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+93.62 грн
500+65.61 грн
1000+51.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ740EP-T1_GE3 VISHAY

Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 93W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V, FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL, Part Status: Active.

Інші пропозиції SQJ740EP-T1_GE3 за ціною від 51.98 грн до 184.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ740EP-T1_GE3 SQJ740EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0018268349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ740EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+141.64 грн
10+117.22 грн
100+93.62 грн
500+65.61 грн
1000+51.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ740EP-T1_GE3 SQJ740EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFETs Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL, 3.4 mohm a. 10V
на замовлення 3566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.56 грн
10+126.01 грн
100+76.19 грн
500+61.97 грн
1000+57.33 грн
3000+55.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ740EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj740ep.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 123A Automotive AEC-Q101 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+65.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ740EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL
Part Status: Active
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.71 грн
10+130.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ740EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.