Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ850EP-T1_GE3
SQJ850EP-T1_GE3

SQJ850EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj850ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+56.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ850EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ850EP-T1_GE3 за ціною від 53.95 грн до 171.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ850EP-T1_GE3 SQJ850EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj850ep.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SQJ4
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.38 грн
10+123.23 грн
100+71.46 грн
250+71.23 грн
500+58.56 грн
1000+54.41 грн
3000+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ850EP-T1_GE3 SQJ850EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj850ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.42 грн
10+112.33 грн
100+82.56 грн
500+62.83 грн
1000+57.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ850EP-T1_GE3 SQJ850EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj850ep.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ850EP-T1-GE3 SQJ850EP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj850ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.