SQJ858AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 32.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ858AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQJ858AEP-T1_GE3 за ціною від 31.13 грн до 102.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ858AEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V 58A 48W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ858AEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ858AEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 40V 58A 48W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 9365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SQJ858AEP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 48W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 33A Power dissipation: 48W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
SQJ858AEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 58A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SQJ858AEP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SQJ858AEP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 48W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 33A Power dissipation: 48W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |