Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ858AEP-T1_GE3
SQJ858AEP-T1_GE3

SQJ858AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj858aep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ858AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ858AEP-T1_GE3 за ціною від 32.51 грн до 116.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ858AEP-T1_GE3 SQJ858AEP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj858aep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.39 грн
10+70.37 грн
100+53.83 грн
500+39.90 грн
1000+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858AEP-T1_GE3 SQJ858AEP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj858aep.pdf MOSFETs 40V 58A 48W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.05 грн
10+78.54 грн
25+68.22 грн
100+53.08 грн
500+42.09 грн
1000+37.93 грн
3000+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858AEP-T1_GE3 SQJ858AEP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj858aep-1764507.pdf MOSFET 40V 58A 48W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 9365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858AEP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj858aep.pdf SQJ858AEP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858AEP-T1_GE3 SQJ858AEP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj858aep.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 58A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ858AEP-T1-GE3 SQJ858AEP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj858aep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.