SQJ858AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix
на замовлення 10799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ858AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 48W; PowerPAK® SO8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 33A, Power dissipation: 48W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6.3mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 36nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SQJ858AEP-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ858AEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
 MOSFET 40V 58A 48W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 9365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|
|
SQJ858AEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SQJ858AEP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 48W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 33A Power dissipation: 48W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
SQJ858AEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 58A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
|
 |
SQJ858AEP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8 |
товар відсутній |
|
| SQJ858AEP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 48W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 33A Power dissipation: 48W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |