SQJ868EP-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 51.16 грн |
| 500+ | 33.59 грн |
| 1000+ | 28.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ868EP-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Інші пропозиції SQJ868EP-T1_GE3 за ціною від 25.98 грн до 126.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ868EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 50755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQJ868EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 1855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJ868EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SQJ868EP-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
MOSFETs Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 50755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.46 грн |
| 10+ | 77.33 грн |
| 100+ | 43.57 грн |
| 500+ | 33.59 грн |
| 1000+ | 30.31 грн |
| 3000+ | 27.65 грн |
| 6000+ | 25.98 грн |
| SQJ868EP-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 126.27 грн |
| 11+ | 78.94 грн |
| 100+ | 51.16 грн |
| 500+ | 33.59 грн |
| 1000+ | 28.07 грн |
| SQJ868EP-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL
Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)