Продукція > VISHAY > SQJ868EP-T1_GE3
SQJ868EP-T1_GE3

SQJ868EP-T1_GE3 VISHAY

2687550.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 0.0062 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.50 грн
500+31.57 грн
1000+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ868EP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 0.0062 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJ868EP-T1_GE3 за ціною від 26.34 грн до 123.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ868EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj868ep.pdf Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.68 грн
14+63.14 грн
100+41.86 грн
500+30.75 грн
1000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj868ep.pdf MOSFETs Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 56779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.99 грн
10+75.78 грн
100+43.69 грн
500+34.48 грн
1000+31.96 грн
3000+29.52 грн
6000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj868ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj868ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.