Продукція > VISHAY > SQJ868EP-T1_GE3
SQJ868EP-T1_GE3

SQJ868EP-T1_GE3 VISHAY

VISH-S-A0014527069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.84 грн
500+33.37 грн
1000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ868EP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SQJ868EP-T1_GE3 за ціною від 25.81 грн до 125.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ868EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj868ep.pdf MOSFETs Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 50755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.66 грн
10+76.84 грн
100+43.30 грн
500+33.37 грн
1000+30.11 грн
3000+27.48 грн
6000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0014527069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.47 грн
11+78.44 грн
100+50.84 грн
500+33.37 грн
1000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj868ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ868EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj868ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.