Продукція > VISHAY > SQJ872EP-T1_GE3
SQJ872EP-T1_GE3

SQJ872EP-T1_GE3 Vishay

sqj872ep.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 24.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
134+90.95 грн
179+68.03 грн
500+53.78 грн
1000+46.90 грн
3000+38.28 грн
6000+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ872EP-T1_GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ872EP-T1_GE3 за ціною від 32.18 грн до 146.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ872EP-T1_GE3 SQJ872EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj872ep.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 24.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+102.74 грн
10+84.46 грн
100+63.17 грн
500+48.16 грн
1000+40.32 грн
3000+34.12 грн
6000+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ872EP-T1_GE3 SQJ872EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj872ep.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 127214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.06 грн
10+81.70 грн
100+55.95 грн
500+46.59 грн
1000+40.42 грн
3000+37.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ872EP-T1_GE3 SQJ872EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj872ep.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.00 грн
10+89.50 грн
100+60.47 грн
500+45.07 грн
1000+41.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ872EP-T1_GE3 SQJ872EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj872ep-1324671.pdf MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ872EP-T1_GE3 SQJ872EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj872ep.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.