SQJ872EP-T1_GE3 Vishay
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 134+ | 105.45 грн |
| 179+ | 78.88 грн |
| 500+ | 62.36 грн |
| 1000+ | 54.38 грн |
| 3000+ | 44.38 грн |
| 6000+ | 40.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ872EP-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQJ872EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 24.5 A, 0.0355 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0355ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQJ872EP-T1_GE3 за ціною від 40.18 грн до 145.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQJ872EP-T1_GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 150V 24.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJ872EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJ872EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L |
на замовлення 126256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
SQJ872EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
SQJ872EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ872EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 24.5 A, 0.0355 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0355ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 19814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SQJ872EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ872EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 24.5 A, 0.0355 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0355ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 19814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQJ872EP-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 24.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 24.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 128.28 грн |
| 10+ | 105.45 грн |
| 100+ | 78.88 грн |
| 500+ | 60.13 грн |
| 1000+ | 50.35 грн |
| 3000+ | 42.60 грн |
| 6000+ | 40.18 грн |
| SQJ872EP-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 145.46 грн |
| 10+ | 89.17 грн |
| 100+ | 60.25 грн |
| 500+ | 44.90 грн |
| 1000+ | 41.15 грн |
| SQJ872EP-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 126256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SQJ872EP-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SQJ872EP-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ872EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 24.5 A, 0.0355 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0355ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQJ872EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 24.5 A, 0.0355 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0355ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 19814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQJ872EP-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ872EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 24.5 A, 0.0355 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0355ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQJ872EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 24.5 A, 0.0355 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0355ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 19814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)