Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SQJ886EP-T1_GE3
SQJ886EP-T1_GE3

SQJ886EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors

sqj886ep.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 50696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.96 грн
10+104.69 грн
100+62.69 грн
500+49.91 грн
1000+46.64 грн
3000+40.57 грн
6000+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ886EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2922 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ886EP-T1_GE3 за ціною від 45.76 грн до 154.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ886EP-T1_GE3 SQJ886EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj886ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.63 грн
10+95.08 грн
100+64.42 грн
500+48.12 грн
1000+45.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ886EP-T1_GE3 SQJ886EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj886ep-461182.pdf MOSFET 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 8429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ886EP-T1_GE3 SQJ886EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj886ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.