Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ910AEP-T1_BE3
SQJ910AEP-T1_BE3

SQJ910AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix

sqj910aep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.72 грн
10+71.35 грн
100+55.48 грн
500+44.13 грн
1000+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ910AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 48W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ910AEP-T1_BE3 за ціною від 33.55 грн до 129.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ910AEP-T1_BE3 SQJ910AEP-T1_BE3 Виробник : Vishay sqj910aep.pdf MOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.60 грн
10+87.14 грн
100+51.42 грн
500+41.20 грн
1000+37.81 грн
3000+34.72 грн
6000+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T1_BE3 SQJ910AEP-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj910aep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.