Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ910AEP-T1_GE3
SQJ910AEP-T1_GE3

SQJ910AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj910aep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ910AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJ910AEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 5800 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5800µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 48W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5800µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції SQJ910AEP-T1_GE3 за ціною від 36.64 грн до 154.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJ910AEP-T1_GE3 SQJ910AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj910aep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.24 грн
10+81.93 грн
100+59.73 грн
500+44.47 грн
1000+39.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T1_GE3 SQJ910AEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqj910aep.pdf MOSFETs Dual N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+154.43 грн
10+73.09 грн
100+56.53 грн
500+44.90 грн
1000+42.86 грн
3000+36.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T1_GE3 SQJ910AEP-T1_GE3 VISHAY sqj910aep.pdf Description: VISHAY - SQJ910AEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 5800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 9834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T1_GE3 SQJ910AEP-T1_GE3 VISHAY sqj910aep.pdf Description: VISHAY - SQJ910AEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 5800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 9834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T1_GE3 sqj910aep.pdf
SQJ910AEP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.24 грн
10+81.93 грн
100+59.73 грн
500+44.47 грн
1000+39.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T1_GE3 sqj910aep.pdf
SQJ910AEP-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs Dual N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+154.43 грн
10+73.09 грн
100+56.53 грн
500+44.90 грн
1000+42.86 грн
3000+36.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T1_GE3 sqj910aep.pdf
SQJ910AEP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ910AEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 5800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 9834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T1_GE3 sqj910aep.pdf
SQJ910AEP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ910AEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 5800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 9834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.