SQJ912BEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.81 грн |
| 10+ | 78.34 грн |
| 100+ | 54.45 грн |
| 500+ | 43.23 грн |
| 1000+ | 39.60 грн |
| 3000+ | 34.93 грн |
| 24000+ | 34.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ912BEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SQJ912BEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 9000 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9000µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 48W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9000µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SQJ912BEP-T1_GE3 за ціною від 37.58 грн до 137.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ912BEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQJ912BEP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ912BEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 9000 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9000µohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQJ912BEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |