SQJ912DEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 18922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 109.85 грн |
| 10+ | 69.81 грн |
| 100+ | 41.72 грн |
| 500+ | 34.52 грн |
| 1000+ | 31.46 грн |
| 3000+ | 28.25 грн |
| 6000+ | 26.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ912DEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 27W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQJ912DEP-T1_GE3 за ціною від 30.90 грн до 112.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ912DEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SQJ912DEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |