Продукція > VISHAY / SILICONIX > SQJ912DEP-T1_GE3
SQJ912DEP-T1_GE3

SQJ912DEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

sqj912dep.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 18922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.05 грн
10+63.58 грн
100+38.00 грн
500+31.45 грн
1000+28.66 грн
3000+25.73 грн
6000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ912DEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 27W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ912DEP-T1_GE3 за ціною від 32.08 грн до 106.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ912DEP-T1_GE3 SQJ912DEP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj912dep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.68 грн
10+65.26 грн
100+43.50 грн
500+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912DEP-T1_GE3 SQJ912DEP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj912dep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.