SQJ912DEP-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqj912dep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+29.98 грн
6000+26.85 грн
9000+25.83 грн
15000+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ912DEP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 27W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ912DEP-T1_GE3 за ціною від 26.39 грн до 118.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQJ912DEP-T1_GE3 SQJ912DEP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj912dep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.12 грн
10+68.76 грн
100+45.86 грн
500+33.83 грн
1000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912DEP-T1_GE3 SQJ912DEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqj912dep.pdf MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 6231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.12 грн
10+73.88 грн
100+42.87 грн
500+33.66 грн
1000+30.72 грн
3000+26.95 грн
6000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912DEP-T1_GE3 sqj912dep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+113.12 грн
10+68.76 грн
100+45.86 грн
500+33.83 грн
1000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912DEP-T1_GE3 sqj912dep.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 6231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.12 грн
10+73.88 грн
100+42.87 грн
500+33.66 грн
1000+30.72 грн
3000+26.95 грн
6000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.