SQJ914EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.12 грн |
| 10+ | 88.28 грн |
| 100+ | 68.80 грн |
| 500+ | 53.34 грн |
| 1000+ | 42.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ914EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 27W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Part Status: Active.
Інші пропозиції SQJ914EP-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ914EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET Dual 30V Vds 20V Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 2194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SQJ914EP-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET Dual 30V Vds 20V Vgs AEC-Q101 Qualified
MOSFET Dual 30V Vds 20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)