SQJ940EP-T1_GE3
Код товару: 180512
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SQJ940EP-T1_GE3 за ціною від 33.17 грн до 149.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ940EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 40V 15A AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 55702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQJ940EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ940EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.0133 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0133ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0133ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 13162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SQJ940EP-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 40V 15A AEC-Q101 Qualified
MOSFETs 40V 15A AEC-Q101 Qualified
на замовлення 55702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.90 грн |
| 10+ | 94.76 грн |
| 100+ | 55.37 грн |
| 500+ | 43.99 грн |
| 1000+ | 40.29 грн |
| 3000+ | 36.45 грн |
| SQJ940EP-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ940EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.0133 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0133ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0133ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: VISHAY - SQJ940EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.0133 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0133ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0133ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 13162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 149.90 грн |
| 10+ | 96.13 грн |
| 100+ | 64.52 грн |
| 500+ | 43.88 грн |
| 1000+ | 36.94 грн |
| 5000+ | 33.17 грн |