Продукція > SQJ

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQJ110EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 18479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.22 грн
10+104.79 грн
100+64.68 грн
500+51.50 грн
1000+48.12 грн
3000+45.49 грн
6000+44.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ114ELP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.64 грн
10+78.52 грн
100+45.36 грн
500+37.14 грн
1000+33.69 грн
3000+28.58 грн
6000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ116EP-T1_GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+73.75 грн
100+42.18 грн
500+33.14 грн
1000+28.30 грн
3000+25.61 грн
6000+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ118ELP-T1_GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.17 грн
10+71.69 грн
100+41.56 грн
500+34.10 грн
1000+30.86 грн
3000+26.16 грн
6000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ118ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ118ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0192 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0192ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.06 грн
10+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ120ELP-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ120ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ120ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 206 A, 1740 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 206A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1740µohm
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.56 грн
10+90.20 грн
100+58.79 грн
500+43.30 грн
1000+36.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ120ELP-T1_GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.47 грн
10+81.77 грн
100+47.70 грн
500+37.69 грн
1000+34.45 грн
3000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ120ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ120ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 206 A, 1740 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 206A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1740µohm
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.79 грн
500+43.30 грн
1000+36.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ120EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ120EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ120EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 202 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.42 грн
11+78.04 грн
100+52.27 грн
500+38.37 грн
1000+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ120EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ120EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 202 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.27 грн
500+38.37 грн
1000+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ120EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+48.61 грн
25+43.86 грн
100+36.29 грн
250+33.97 грн
500+32.57 грн
1000+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ120EP-T1_GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.45 грн
10+79.23 грн
100+45.91 грн
500+37.62 грн
1000+34.10 грн
3000+28.93 грн
6000+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ122ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3250µohm
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.78 грн
12+73.13 грн
100+47.36 грн
500+33.88 грн
1000+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ122ELP-T1_GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.67 грн
10+62.16 грн
100+35.90 грн
500+28.37 грн
1000+26.44 грн
3000+22.37 грн
6000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ122ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 60W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3250µohm
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.36 грн
500+33.88 грн
1000+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ123ELPVishayTrans MOSFET P-CH 12V 238A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ123ELP-T1_GE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.92 грн
10+95.27 грн
100+59.99 грн
500+47.77 грн
1000+45.63 грн
3000+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ123ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11680 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ123ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ123ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 238 A, 4000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 17544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.31 грн
500+47.86 грн
1000+42.87 грн
5000+40.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ123ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11680 pF @ 6 V
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.71 грн
10+106.20 грн
100+85.37 грн
500+65.82 грн
1000+54.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ123ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ123ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 238 A, 4000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 17544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.27 грн
10+103.09 грн
100+70.31 грн
500+47.86 грн
1000+42.87 грн
5000+40.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ126EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8095 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.29 грн
10+113.53 грн
100+77.55 грн
500+58.34 грн
1000+53.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ126EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ126EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 A, 940 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.50 грн
10+111.14 грн
100+76.11 грн
500+51.75 грн
1000+45.77 грн
5000+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ126EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8095 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ126EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ126EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 A, 940 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.11 грн
500+51.75 грн
1000+45.77 грн
5000+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ128ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 437A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7315 pF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ128ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ128ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 437 A, 0.00095 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 437A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 950µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.08 грн
500+49.88 грн
1000+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ128ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 437A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7315 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ128ELP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 21951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.77 грн
10+110.35 грн
100+65.93 грн
500+52.40 грн
1000+48.19 грн
3000+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ128ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ128ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 437 A, 0.00095 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 437A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.39 грн
10+81.35 грн
100+65.08 грн
500+49.88 грн
1000+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ131ELP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.54 грн
10+111.14 грн
100+78.01 грн
500+73.18 грн
3000+45.08 грн
9000+43.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ136ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ136ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 A, 0.0009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.03 грн
500+56.61 грн
1000+50.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ136ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8015 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ136ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ136ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 A, 0.00112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.47 грн
10+108.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ136ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8015 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.64 грн
10+106.12 грн
100+72.39 грн
500+54.41 грн
1000+50.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ136ELP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ138ELPVishayTrans MOSFET N-CH 40V 315A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ138ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6685 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.66 грн
6000+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ138ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ138ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 315 A, 1500 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.78 грн
10+93.43 грн
100+62.98 грн
500+46.59 грн
1000+40.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ138ELP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.44 грн
10+97.65 грн
100+57.51 грн
500+45.77 грн
1000+41.97 грн
3000+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ138ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6685 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.11 грн
10+91.61 грн
100+62.04 грн
500+46.33 грн
1000+42.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ138ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ138ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 315 A, 1500 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.98 грн
500+46.59 грн
1000+40.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ138ELP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 315A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ138EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 30919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.23 грн
10+92.89 грн
100+58.96 грн
250+58.82 грн
500+46.94 грн
1000+43.15 грн
3000+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ138EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4715 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ138EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4715 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 28243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.81 грн
10+81.82 грн
100+57.89 грн
500+44.30 грн
1000+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ138EP-T1_JE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.44 грн
10+96.85 грн
100+56.75 грн
500+46.05 грн
1000+41.21 грн
3000+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ140ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
на замовлення 11551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.69 грн
10+84.14 грн
100+56.72 грн
500+42.20 грн
1000+38.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ140ELP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 31808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.56 грн
10+90.50 грн
100+52.60 грн
500+41.70 грн
1000+38.18 грн
3000+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ140ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.79 грн
6000+33.98 грн
9000+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ140ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2140 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2140µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 20555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.50 грн
10+85.37 грн
100+57.67 грн
500+39.04 грн
1000+33.55 грн
5000+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ140ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2140 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 263W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2140µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 20555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.67 грн
500+39.04 грн
1000+33.55 грн
5000+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ140EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ140EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.56 грн
10+86.98 грн
100+61.77 грн
500+41.96 грн
1000+35.55 грн
5000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ140EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ140EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.77 грн
500+41.96 грн
1000+35.55 грн
5000+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ140EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 62630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.37 грн
10+85.74 грн
100+55.43 грн
250+55.37 грн
500+44.04 грн
1000+39.97 грн
3000+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ141ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.87 грн
10+100.89 грн
100+68.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ141ELP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.27 грн
10+100.82 грн
100+59.99 грн
500+49.77 грн
1000+47.70 грн
3000+40.52 грн
6000+40.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ141ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ142ELPVishayTrans MOSFET N-CH 40V 175A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ142ELP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)
на замовлення 14440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.64 грн
10+78.52 грн
100+45.63 грн
500+35.97 грн
1000+32.86 грн
3000+28.93 грн
9000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ142ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 175A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.38 грн
10+73.52 грн
100+49.25 грн
500+36.44 грн
1000+33.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ142ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 175A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ142EP-T1-GE3-JVishayVishay MOSFET 40V NCH 175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ142EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 167A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 167A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 191W (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ142EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ142EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 167 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 167A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 191W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.23 грн
11+78.28 грн
100+52.19 грн
500+35.08 грн
1000+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ142EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 36761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.54 грн
10+65.34 грн
100+44.25 грн
500+37.49 грн
1000+30.58 грн
3000+28.79 грн
6000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ142EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ142EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 167A PPAK SO-8
Power Dissipation (Max): 191W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 167A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+61.10 грн
100+47.55 грн
500+37.82 грн
1000+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ142EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ142EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 167 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 167A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 191W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.19 грн
500+35.08 грн
1000+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ142EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ142EP-T1_JE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.67 грн
10+79.23 грн
100+45.08 грн
500+35.41 грн
1000+30.31 грн
3000+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ144EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ144EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.57 грн
500+29.17 грн
1000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ144EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 130A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ144EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ144EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.90 грн
13+65.40 грн
100+43.57 грн
500+29.17 грн
1000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ144EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 20866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.67 грн
10+56.21 грн
100+38.04 грн
500+32.24 грн
1000+26.23 грн
3000+24.30 грн
6000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ144EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 130A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+65.29 грн
100+50.91 грн
500+39.46 грн
1000+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ146ELPVishayTrans MOSFET N-CH 40V 88A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ146ELP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)
на замовлення 32168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.06 грн
10+61.21 грн
100+35.28 грн
500+27.48 грн
1000+24.99 грн
3000+24.44 грн
6000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ146ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ146ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 88 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 14965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.16 грн
500+27.37 грн
1000+22.99 грн
5000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ146ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ146ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ146ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 88 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 14965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.06 грн
13+62.18 грн
100+41.16 грн
500+27.37 грн
1000+22.99 грн
5000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ146ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ146EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+55.57 грн
100+42.60 грн
500+31.60 грн
1000+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ146EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ146EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 31362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.45 грн
10+53.43 грн
100+31.20 грн
500+24.37 грн
1000+22.09 грн
3000+19.19 грн
6000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ146EP-T1_JE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.20 грн
10+55.73 грн
100+32.03 грн
500+26.37 грн
1000+23.54 грн
3000+19.95 грн
6000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ146EP-T1_JE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ146EP-T1_JE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 7000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.79 грн
43+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ147ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ147ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.67 грн
500+33.28 грн
1500+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ147ELP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.88 грн
11+72.90 грн
25+72.17 грн
50+67.99 грн
100+48.94 грн
250+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ147ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.53 грн
6000+25.53 грн
9000+24.55 грн
15000+21.99 грн
21000+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ147ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ147ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 183W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.09 грн
50+66.53 грн
100+44.30 грн
500+33.73 грн
1500+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ147ELP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+72.90 грн
197+72.17 грн
202+70.51 грн
259+52.85 грн
262+48.45 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ147ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 44823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.73 грн
10+65.81 грн
100+43.81 грн
500+32.26 грн
1000+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ147ELP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 91438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.76 грн
10+70.34 грн
100+40.59 грн
500+31.89 грн
1000+29.06 грн
3000+25.40 грн
6000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ147ELP-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ148EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ148EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.37 грн
10+39.49 грн
100+27.34 грн
500+21.44 грн
1000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ148EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.98 грн
6000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]