Продукція > SQJ

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 18479 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	171.18 грн
10+	117.85 грн
100+	72.74 грн
500+	57.91 грн
1000+	54.11 грн
3000+	51.16 грн
6000+	49.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ114ELP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.29 грн
10+	88.30 грн
100+	51.00 грн
500+	41.77 грн
1000+	37.88 грн
3000+	32.14 грн
6000+	30.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ116EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2530 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.87 грн
10+	66.15 грн
100+	38.20 грн
500+	30.20 грн
1000+	28.10 грн
3000+	23.83 грн
6000+	22.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ118ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ118ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0192 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0192ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	138.47 грн
10+	87.09 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ118ELP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2892 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.52 грн
10+	80.62 грн
100+	46.74 грн
500+	38.35 грн
1000+	34.70 грн
3000+	29.42 грн
6000+	28.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ120ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ120ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 206 A, 1740 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 206A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1740µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.62 грн
500+	49.17 грн
1000+	41.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ120ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ120ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 206 A, 1740 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 206A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1740µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	153.28 грн
10+	96.67 грн
100+	64.62 грн
500+	49.17 грн
1000+	41.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ120EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.20 грн
10+	89.10 грн
100+	51.63 грн
500+	42.31 грн
1000+	38.35 грн
3000+	32.53 грн
6000+	31.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ120EP-T1_GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.58 грн
10+	52.56 грн
25+	47.42 грн
100+	39.24 грн
250+	36.73 грн
500+	35.22 грн
1000+	33.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ120EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ120EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 202 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	152.40 грн
10+	96.67 грн
100+	64.36 грн
500+	49.01 грн
1000+	40.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ120EP-T1_GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ120EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ120EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 202 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.36 грн
500+	49.01 грн
1000+	40.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ122ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3250µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.42 грн
500+	36.96 грн
1000+	31.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ122ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3250µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	121.05 грн
12+	75.85 грн
100+	50.42 грн
500+	36.96 грн
1000+	31.80 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQJ122ELP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	113.21 грн
10+	69.90 грн
100+	40.37 грн
500+	31.91 грн
1000+	29.73 грн
3000+	25.15 грн
6000+	23.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ123ELP

Trans MOSFET P-CH 12V 238A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ123ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11680 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ123ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ123ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 238 A, 4000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 17652 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	168.95 грн
10+	111.47 грн
100+	76.29 грн
500+	51.92 грн
1000+	45.83 грн
5000+	38.00 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ123ELP-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2380 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	153.97 грн
10+	107.13 грн
100+	67.46 грн
500+	53.72 грн
1000+	51.32 грн
3000+	44.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ123ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11680 pF @ 6 V

на замовлення 2630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.69 грн
10+	114.83 грн
100+	92.31 грн
500+	71.18 грн
1000+	58.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ123ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ123ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 238 A, 4000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 17652 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	76.29 грн
500+	51.92 грн
1000+	45.83 грн
5000+	38.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ126EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ126EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 A, 940 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5028 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.30 грн
500+	55.96 грн
1000+	49.49 грн
5000+	49.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ126EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8095 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ126EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ126EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 A, 940 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5028 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	176.79 грн
10+	120.18 грн
100+	82.30 грн
500+	55.96 грн
1000+	49.49 грн
5000+	49.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ126EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8095 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	198.19 грн
10+	122.76 грн
100+	83.85 грн
500+	63.08 грн
1000+	58.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ128ELP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 22096 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	163.03 грн
10+	100.88 грн
100+	69.40 грн
500+	55.12 грн
1000+	52.87 грн
3000+	45.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ128ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ128ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 437 A, 0.00095 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 437A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.02 грн
10+	87.96 грн
100+	70.37 грн
500+	53.94 грн
1000+	45.01 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ128ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 437A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7315 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ128ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ128ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 437 A, 0.00095 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 437A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 950µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	70.37 грн
500+	53.94 грн
1000+	45.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ128ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 437A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7315 pF @ 25 V

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ131ELP-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1418 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	184.77 грн
10+	116.06 грн
100+	70.10 грн
500+	59.23 грн
1000+	53.64 грн
3000+	45.65 грн
6000+	43.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ136ELP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ136ELP-T1_GE3

MOSFET 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ136ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ136ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 A, 0.0009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.21 грн
500+	61.22 грн
1000+	54.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ136ELP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ136ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ136ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 A, 0.00112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	172.43 грн
10+	117.57 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ136ELP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 350A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ138ELP

Trans MOSFET N-CH 40V 315A T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ138ELP

Trans MOSFET N-CH 40V 315A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ138ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ138ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 315 A, 1500 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 126 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	75.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ138ELP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 315A T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ138ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6685 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5647 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.57 грн
10+	92.19 грн
100+	71.72 грн
500+	57.05 грн
1000+	46.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ138ELP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 315A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ138ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ138ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 315 A, 1500 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 126 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	143.70 грн
10+	111.47 грн
100+	75.59 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ138ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6685 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	48.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ138ELP-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 20854 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.89 грн
10+	100.88 грн
100+	68.47 грн
500+	57.99 грн
1000+	47.20 грн
3000+	45.42 грн
6000+	43.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ138EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 30919 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.57 грн
10+	104.46 грн
100+	66.30 грн
250+	66.14 грн
500+	52.79 грн
1000+	48.52 грн
3000+	43.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ138EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4715 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 28243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.04 грн
10+	88.47 грн
100+	62.59 грн
500+	47.90 грн
1000+	44.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ138EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4715 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ138EP-T1_JE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.99 грн
10+	77.58 грн
100+	45.10 грн
500+	35.56 грн
1000+	32.14 грн
3000+	29.42 грн
6000+	26.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ140ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	48.39 грн
6000+	44.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ140ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 0.0017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 263W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 20834 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	68.63 грн
500+	46.42 грн
1000+	38.74 грн
5000+	34.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ140ELP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 32212 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.29 грн
10+	94.63 грн
100+	55.27 грн
500+	43.78 грн
1000+	40.76 грн
3000+	34.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ140ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.21 грн
10+	98.17 грн
100+	76.55 грн
500+	59.35 грн
1000+	46.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ140ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 0.0017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 20834 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	142.82 грн
10+	94.93 грн
100+	68.63 грн
500+	46.42 грн
1000+	38.74 грн
5000+	34.71 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ140EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ140EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 8150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.41 грн
500+	45.85 грн
1000+	39.26 грн
5000+	34.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ140EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 62630 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.61 грн
10+	96.42 грн
100+	62.34 грн
250+	62.26 грн
500+	49.53 грн
1000+	44.95 грн
3000+	39.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ140EP-T1_GE3

на замовлення 8150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	123.67 грн
10+	94.93 грн
100+	67.41 грн
500+	45.85 грн
1000+	39.26 грн
5000+	34.79 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQJ141ELP-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 5913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	180.24 грн
10+	113.38 грн
100+	67.46 грн
500+	55.97 грн
1000+	53.64 грн
3000+	45.57 грн
6000+	45.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ142ELP

Trans MOSFET N-CH 40V 175A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ142ELP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 175A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ142ELP-T1_GE3

MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)

на замовлення 16625 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	112.31 грн
10+	79.37 грн
100+	52.25 грн
500+	41.84 грн
1000+	36.10 грн
3000+	33.23 грн
6000+	31.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ142ELP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 175A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	106.65 грн
10+	71.73 грн
100+	55.62 грн
500+	41.15 грн
1000+	37.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ142EP-T1-GE3-J

Vishay MOSFET 40V NCH 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ142EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 167A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 167A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.98 грн
10+	66.07 грн
100+	51.42 грн
500+	40.89 грн
1000+	33.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ142EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ142EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ142EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 167 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 167A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 191W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.11 грн
500+	32.99 грн
1000+	27.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ142EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 167A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 167A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ142EP-T1_GE3

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	84.39 грн
16+	57.91 грн
100+	45.11 грн
500+	32.99 грн
1000+	27.62 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQJ142EP-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 36761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.57 грн
10+	73.48 грн
100+	49.76 грн
500+	42.15 грн
1000+	34.39 грн
3000+	32.37 грн
6000+	32.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ142EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ142EP-T1_JE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2562 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	114.12 грн
10+	70.71 грн
100+	40.76 грн
500+	32.22 грн
1000+	30.04 грн
3000+	25.46 грн
6000+	23.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ144EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 130A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V

на замовлення 5980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	82.30 грн
10+	70.60 грн
100+	55.05 грн
500+	42.67 грн
1000+	33.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ144EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ144EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.19 грн
500+	29.19 грн
1000+	24.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ144EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 130A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V

на замовлення 5980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ144EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 20866 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.34 грн
10+	63.21 грн
100+	42.78 грн
500+	36.25 грн
1000+	29.50 грн
3000+	27.33 грн
6000+	26.40 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ144EP-T1_GE3

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	77.77 грн
17+	51.64 грн
100+	39.19 грн
500+	29.19 грн
1000+	24.48 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SQJ146ELP

Trans MOSFET N-CH 40V 88A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ146ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ146ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 88 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 14967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	81.43 грн
14+	62.53 грн
100+	41.80 грн
500+	27.90 грн
1000+	23.36 грн
5000+	21.42 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQJ146ELP-T1_GE3

MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)

на замовлення 32922 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.62 грн
10+	64.28 грн
100+	39.28 грн
500+	31.44 грн
1000+	27.95 грн
3000+	23.99 грн
6000+	23.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ146ELP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ146ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ146ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 88 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 14967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.80 грн
500+	27.90 грн
1000+	23.36 грн
5000+	21.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ146ELP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ146EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 31362 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.60 грн
10+	60.08 грн
100+	35.09 грн
500+	27.40 грн
1000+	24.84 грн
3000+	21.58 грн
6000+	20.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ146EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ146EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.38 грн
10+	60.08 грн
100+	46.06 грн
500+	34.17 грн
1000+	27.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ146EP-T1_JE3

Description: VISHAY - SQJ146EP-T1_JE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 7000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	107.99 грн
13+	68.02 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ146EP-T1_JE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.44 грн
10+	62.67 грн
100+	36.02 грн
500+	29.66 грн
1000+	26.47 грн
3000+	22.44 грн
6000+	21.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	83.54 грн
11+	68.52 грн
25+	67.84 грн
50+	63.91 грн
100+	46.00 грн
250+	43.72 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	110.01 грн
10+	67.04 грн
100+	44.64 грн
500+	32.86 грн
1000+	29.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 117073 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.68 грн
10+	66.24 грн
100+	42.70 грн
500+	33.54 грн
1000+	30.59 грн
3000+	26.71 грн
6000+	24.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

195+	63.96 грн
197+	63.32 грн
202+	61.86 грн
259+	46.37 грн
262+	42.51 грн

Мінімальне замовлення: 195

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.52 грн
500+	39.79 грн
1500+	33.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.07 грн
6000+	26.02 грн
9000+	25.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

на замовлення 2088 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.83 грн
50+	69.84 грн
100+	53.39 грн
500+	38.90 грн
1500+	32.77 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQJ148EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.23 грн
10+	42.70 грн
100+	29.57 грн
500+	23.18 грн
1000+	19.73 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ148EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.44 грн
6000+	17.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ148EP-T1_GE3

MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ150EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 10960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.11 грн
10+	56.33 грн
100+	35.40 грн
500+	29.50 грн
1000+	25.23 грн
3000+	21.89 грн
6000+	20.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ150EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 66A PPAK SO-8

на замовлення 3048 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ152ELP

Trans MOSFET N-CH 40V 123A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ152ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 123 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	92.31 грн
15+	62.18 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQJ152ELP-T1_GE3

MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)

на замовлення 8361 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.19 грн
10+	62.41 грн
100+	36.72 грн
500+	31.83 грн
1000+	27.25 грн
3000+	25.15 грн
6000+	24.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ152ELP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 123A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.22 грн
6000+	26.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ152ELP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 123A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ152ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 123 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ152ELP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 123A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.53 грн
10+	68.17 грн
100+	45.23 грн
500+	33.18 грн
1000+	30.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ152EP-T1_GE3

Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In PressFit 400V 1500uF 18K Hrs Life 5pin

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ154EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 243A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.18 грн
10+	69.47 грн
100+	54.03 грн
500+	42.97 грн
1000+	35.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ154EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ154EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 243 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 243A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 14123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	103.64 грн
11+	79.86 грн
100+	57.83 грн
500+	45.53 грн
1000+	32.25 грн
5000+	30.38 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ154EP-T1_GE3

MOSFETs

на замовлення 11557 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.67 грн
10+	88.21 грн
100+	51.78 грн
500+	41.07 грн
1000+	37.65 грн
3000+	33.85 грн
6000+	32.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ154EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 243A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ154EP-T1_GE3

на замовлення 14123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	57.83 грн
500+	45.53 грн
1000+	32.25 грн
5000+	30.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ154EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 243A Automotive AEC-Q101 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ158EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	53.75 грн
10+	45.12 грн
100+	31.25 грн
500+	24.50 грн
1000+	20.85 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ158EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ158EP-T1_GE3

MOSFETs N-Channel 60V PowerPAK SO-8L

на замовлення 70527 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.00 грн
10+	52.76 грн
100+	31.36 грн
250+	30.98 грн
500+	25.85 грн
1000+	22.75 грн
3000+	17.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ160EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6697 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.40 грн
10+	111.76 грн
100+	88.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ160EP-T1_GE3

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ160EP-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C AEC-Q101

на замовлення 2737 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.69 грн
10+	127.67 грн
100+	92.38 грн
3000+	77.63 грн
6000+	76.55 грн
9000+	75.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ160EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6697 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ161ELP-T1_GE3

MOSFETs Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	186.58 грн
10+	117.85 грн
100+	70.80 грн
500+	59.78 грн
1000+	52.17 грн
3000+	44.25 грн
9000+	43.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ162EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ162EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 166 A, 0.005 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.89 грн
10+	88.83 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ162EP-T1_GE3

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ162EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3930 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.04 грн
10+	86.85 грн
100+	59.07 грн
500+	45.50 грн
1000+	41.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ162EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 4830 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.05 грн
10+	91.06 грн
100+	58.38 грн
500+	46.27 грн
1000+	41.61 грн
3000+	38.35 грн
6000+	36.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ162EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3930 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ164ELP

Trans MOSFET N-CH 60V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ164ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ164ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ164ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ164ELP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 23127 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.37 грн
10+	79.10 грн
100+	48.21 грн
500+	37.96 грн
1000+	34.70 грн
3000+	33.54 грн
24000+	29.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ164ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ164ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ164ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.54 грн
10+	78.52 грн
100+	61.19 грн
500+	47.44 грн
1000+	37.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ166ELP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1435 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	116.84 грн
10+	72.67 грн
100+	41.92 грн
500+	33.15 грн
1000+	32.22 грн
3000+	27.40 грн
6000+	24.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ168ELP

SQJ168ELP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ168ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.67 грн
6000+	22.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ168ELP-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	71.64 грн
10+	61.78 грн
100+	36.64 грн
500+	32.92 грн
3000+	27.95 грн
6000+	27.40 грн
9000+	26.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ168ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	65.50 грн
10+	54.18 грн
100+	37.51 грн
500+	29.41 грн
1000+	25.03 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ170ELP-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 10289 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.58 грн
10+	70.44 грн
100+	47.67 грн
500+	45.88 грн
3000+	38.89 грн
6000+	38.20 грн
9000+	37.50 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ170ELP-T1_GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 25 V

на замовлення 4001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.54 грн
10+	78.68 грн
100+	61.34 грн
500+	47.55 грн
1000+	37.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ170ELP-T1_GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ174EP-T1/GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ174EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 293A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ174EP-T1_GE3

MOSFETs PowerPAK SO-8L BWL

на замовлення 2804 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.13 грн
10+	138.38 грн
100+	85.40 грн
500+	68.39 грн
1000+	62.96 грн
3000+	58.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ174EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	183.91 грн
10+	118.23 грн
100+	82.06 грн
500+	61.90 грн
1000+	61.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ174EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ174EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 0.00235 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 293A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00235ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	94.06 грн
500+	63.72 грн
1000+	53.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ174EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	55.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ174EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ174EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 0.00235 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 293A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	208.14 грн
10+	135.86 грн
100+	94.06 грн
500+	63.72 грн
1000+	53.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ174EP-T2-GE3

Vishay MOSFET 60V NCH 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ180EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ180EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 248 A, 0.0025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	171.56 грн
10+	128.02 грн
100+	101.89 грн
500+	79.41 грн
1000+	62.70 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ180EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 10897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	177.52 грн
10+	130.35 грн
100+	90.05 грн
500+	75.85 грн
1000+	64.82 грн
3000+	60.32 грн
6000+	58.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ180EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ180EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 248 A, 0.0025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	101.89 грн
500+	79.41 грн
1000+	62.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ182EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 31753 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	179.33 грн
10+	113.38 грн
100+	67.46 грн
500+	53.72 грн
1000+	51.24 грн
3000+	44.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ182EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ182EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 210 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	184.63 грн
10+	123.67 грн
100+	84.13 грн
500+	62.27 грн
1000+	54.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ182EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5392 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.05 грн
10+	92.67 грн
100+	72.32 грн
500+	54.23 грн
1000+	49.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ182EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 210A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ182EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ182EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 210 A, 0.005 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 395W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	84.13 грн
500+	62.27 грн
1000+	54.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ182EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5392 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	50.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ184EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ184EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 7500 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	117.57 грн
11+	80.64 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQJ184EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3478 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ184EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ184EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 7500 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ184EP-T1_GE3

MOSFET

на замовлення 4655 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.82 грн
10+	78.83 грн
100+	53.33 грн
500+	45.18 грн
1000+	38.66 грн
3000+	32.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ184EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3478 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.61 грн
10+	87.18 грн
100+	67.96 грн
500+	52.69 грн
1000+	41.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ185ELP-T1/GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ185ELP-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 7628 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	161.22 грн
10+	101.78 грн
100+	61.02 грн
500+	51.78 грн
1000+	46.97 грн
3000+	39.83 грн
6000+	38.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP

Trans MOSFET N-CH 80V 66A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	54.81 грн
15+	50.66 грн
25+	49.66 грн
50+	43.64 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP

Trans MOSFET N-CH 80V 66A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSF

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

1+	467.35 грн
10+	413.36 грн
100+	295.01 грн
500+	250.75 грн
1000+	211.94 грн
2000+	191.75 грн

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP-T1/GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ186ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	105.38 грн
13+	72.02 грн
100+	45.98 грн
500+	34.29 грн
1000+	29.11 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2325 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP-T1_GE3

на замовлення 3390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.98 грн
500+	34.29 грн
1000+	29.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80V D-S 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL , 12.5 mO 10V

на замовлення 5233 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.62 грн
10+	62.05 грн
100+	42.00 грн
500+	35.56 грн
1000+	32.14 грн
3000+	27.33 грн
6000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2325 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.86 грн
10+	54.26 грн
100+	42.23 грн
500+	33.59 грн
1000+	27.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELR-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 4940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.10 грн
10+	89.10 грн
100+	52.01 грн
500+	42.62 грн
1000+	37.34 грн
2500+	34.31 грн
5000+	31.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ186EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2531 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	78.10 грн
10+	61.62 грн
100+	47.92 грн
500+	38.12 грн
1000+	31.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ186EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 135W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 9433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	55.56 грн
500+	37.93 грн
1000+	31.35 грн
5000+	28.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ186EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ186EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 9433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	116.70 грн
13+	70.02 грн
100+	55.56 грн
500+	37.93 грн
1000+	31.35 грн
5000+	28.66 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQJ186EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 25023 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.34 грн
10+	62.94 грн
100+	47.67 грн
500+	40.45 грн
1000+	32.92 грн
3000+	30.90 грн
6000+	29.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ190ELP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 4899 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.60 грн
10+	50.80 грн
100+	28.80 грн
500+	22.20 грн
1000+	21.43 грн
3000+	18.24 грн
6000+	16.30 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ190ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ190ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.6 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	87.96 грн
16+	55.13 грн
100+	35.88 грн
500+	25.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQJ190ELP-T1_GE3

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.88 грн
500+	25.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ200EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ200EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 60 A, 60 A, 3100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3100µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3100µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.64 грн
500+	35.02 грн
1000+	29.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ200EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.61 грн
10+	87.26 грн
100+	68.06 грн
500+	52.76 грн
1000+	41.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ200EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ200EP-T1_GE3

на замовлення 2478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	111.47 грн
13+	71.15 грн
100+	47.64 грн
500+	35.02 грн
1000+	29.49 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQJ200EP-T1_GE3

MOSFETs Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2773 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.39 грн
10+	87.49 грн
100+	51.00 грн
500+	41.77 грн
1000+	36.57 грн
3000+	33.62 грн
6000+	30.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ202EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 20A/60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ202EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	108.33 грн
10+	85.40 грн
100+	66.45 грн
500+	52.86 грн
1000+	43.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ202EP-T1_GE3

MOSFETs Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.78 грн
10+	98.21 грн
100+	57.68 грн
500+	45.80 грн
1000+	42.23 грн
3000+	37.11 грн
6000+	36.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ202EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ202EP-T2_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V, 2525pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, 3.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 54nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.29 грн
6000+	37.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ202EP-T2_GE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFETS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ202EP-T2_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V, 2525pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, 3.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 54nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	150.32 грн
10+	92.35 грн
100+	62.15 грн
500+	46.18 грн
1000+	42.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ204EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ204EP-T1_GE3

MOSFETs 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.50 грн
10+	99.99 грн
100+	58.46 грн
500+	46.50 грн
1000+	43.01 грн
3000+	37.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ204EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.28 грн
10+	89.28 грн
100+	60.34 грн
500+	45.00 грн
1000+	42.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ204EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 20A/60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ208EP-T1/GE3-X

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ208EP-T1_GE3

Description: MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ208EP-T1_GE3

Description: MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ208EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 20A/60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ208EP-T1_GE3

MOSFETs Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L

на замовлення 71325 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	162.12 грн
10+	101.78 грн
100+	60.71 грн
500+	51.39 грн
1000+	44.64 грн
3000+	43.71 грн
6000+	43.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	47.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	155.36 грн
10+	95.42 грн
100+	64.68 грн
500+	48.35 грн
1000+	46.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	50.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	149.79 грн
10+	109.73 грн
100+	78.90 грн
500+	58.39 грн
1000+	50.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 751 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

168+	74.34 грн
169+	73.61 грн
204+	61.21 грн
250+	58.43 грн
500+	43.65 грн

Мінімальне замовлення: 168

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 7711 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.20 грн
10+	99.10 грн
100+	61.80 грн
500+	49.30 грн
1000+	46.11 грн
3000+	40.06 грн
6000+	39.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.53 грн
6000+	40.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3
Код товару: 214086

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 751 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	86.65 грн
10+	79.65 грн
25+	78.86 грн
100+	63.24 грн
250+	57.97 грн
500+	44.89 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

на замовлення 4252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	78.90 грн
500+	58.39 грн
1000+	50.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-X

Vishay General Semiconductor

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ244EP-T1_BE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFETS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ244EP-T1_GE3

MOSFETs 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 8870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.50 грн
10+	99.99 грн
100+	58.46 грн
500+	46.50 грн
1000+	44.64 грн
3000+	39.67 грн
6000+	38.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ244EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.28 грн
10+	89.28 грн
100+	60.34 грн
500+	45.00 грн
1000+	42.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ244EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 20A/60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ244EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ260EP-T1-BE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ260EP-T1/GE3-X

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ260EP-T1_BE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ260EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ260EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, TrenchFET®, n-Kanal, 60 V, 60 V, 54 A, 54 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4764 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.08 грн
500+	41.40 грн
1000+	36.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ260EP-T1_GE3

DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ260EP-T1_GE3

на замовлення 4764 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	130.63 грн
11+	83.69 грн
100+	56.08 грн
500+	41.40 грн
1000+	36.05 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ260EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.97 грн
10+	81.76 грн
100+	57.65 грн
500+	43.99 грн
1000+	40.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ260EP-T1_GE3

MOSFETs Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3419 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.50 грн
10+	99.99 грн
100+	58.46 грн
500+	46.50 грн
1000+	43.01 грн
3000+	42.00 грн
6000+	37.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ260EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ262EP-T1-BE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ262EP-T1/GE3-X

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ262EP-T1_BE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ262EP-T1_GE3

MOSFETs Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5552 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.63 грн
10+	93.74 грн
100+	54.58 грн
500+	43.16 грн
1000+	40.06 грн
3000+	34.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ262EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ262EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ262EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0126 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0126ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0126ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.62 грн
500+	49.90 грн
1000+	41.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ262EP-T1_GE3

на замовлення 2818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	158.50 грн
10+	101.89 грн
100+	68.02 грн
500+	50.06 грн
1000+	42.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ262EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.57 грн
10+	76.26 грн
100+	53.64 грн
500+	40.83 грн
1000+	37.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ262EP-T1_GE3

DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ264EP

Trans MOSFET N-CH 60V 20A/54A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ264EP-T1/GE3-X

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ264EP-T1_GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

на замовлення 2989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	154.88 грн
10+	107.13 грн
100+	65.83 грн
500+	53.88 грн
1000+	50.00 грн
3000+	48.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ264EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V, 2100pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V, 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	49.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ264EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V, 2100pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V, 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.28 грн
10+	95.10 грн
100+	67.41 грн
500+	51.73 грн
1000+	47.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ401EP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ401EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ401EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10015 pF @ 6 V

на замовлення 2914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	163.76 грн
10+	130.76 грн
100+	104.07 грн
500+	82.64 грн
1000+	70.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ401EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ401EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10015 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ401EP-T1_GE3

MOSFETs P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 30814 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	217.37 грн
10+	138.38 грн
100+	85.40 грн
500+	71.42 грн
1000+	61.64 грн
3000+	58.54 грн
6000+	56.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ401EP-T2_GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQJ4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1"GE3

Description: VISHAY - SQJ402EP-T1"GE3 - N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9936

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2720 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.71 грн
10+	104.46 грн
100+	72.90 грн
250+	66.69 грн
500+	61.56 грн
3000+	52.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2286 pF @ 25 V

на замовлення 6949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.89 грн
10+	93.00 грн
100+	73.98 грн
500+	58.75 грн
1000+	49.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2286 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	52.40 грн
6000+	48.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ402EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 13671 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	104.51 грн
10+	87.96 грн
100+	76.29 грн
500+	53.45 грн
1000+	47.85 грн
5000+	40.23 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_GE3
Код товару: 155826

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	91.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_GE3

на замовлення 13671 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	76.29 грн
500+	53.45 грн
1000+	47.85 грн
5000+	40.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.72 грн
10+	96.31 грн
100+	76.91 грн
500+	58.22 грн
1000+	53.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_GE3

MOSFETs 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

на замовлення 23618 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.61 грн
10+	95.53 грн
100+	67.46 грн
500+	53.57 грн
1000+	51.24 грн
3000+	44.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	82.20 грн
159+	78.52 грн
250+	75.37 грн
500+	70.06 грн

Мінімальне замовлення: 152

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	52.61 грн
6000+	49.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	78.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ403BEEP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ403BEEP-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 25812 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.54 грн
10+	106.24 грн
100+	62.03 грн
500+	49.37 грн
1000+	46.35 грн
3000+	40.60 грн
6000+	40.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ403BEEP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2673 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	155.36 грн
10+	95.75 грн
100+	64.93 грн
500+	48.54 грн
1000+	46.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ403BEEP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ403BEEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	79.52 грн
10+	73.04 грн
25+	72.73 грн
100+	62.13 грн
250+	57.23 грн
500+	50.15 грн
1000+	47.63 грн
3000+	45.11 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ403BEEP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ403BEEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

218+	57.20 грн

Мінімальне замовлення: 218

В кошику од. на суму грн.

SQJ403BEEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ403BEEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	72.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ403BEEP-T1_GE3

MOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	119.55 грн
10+	98.21 грн
100+	50.00 грн
500+	48.75 грн
1000+	46.35 грн
3000+	40.21 грн
6000+	40.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ403BEEP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	155.36 грн
10+	95.75 грн
100+	64.93 грн
500+	48.54 грн
1000+	46.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ403EEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ403EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	51.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ403EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3652 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	153.68 грн
10+	102.46 грн
100+	77.62 грн
500+	58.22 грн
1000+	53.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ403EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ403EP-T1_GE3

MOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 21657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	163.93 грн
10+	112.49 грн
100+	67.46 грн
500+	53.57 грн
1000+	50.31 грн
3000+	45.65 грн
6000+	45.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ403EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	55.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1-BE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	110.01 грн
10+	86.37 грн
100+	67.14 грн
500+	53.41 грн
1000+	43.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	56.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

MOSFETs -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 51837 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.23 грн
10+	99.99 грн
100+	58.46 грн
500+	46.50 грн
1000+	43.01 грн
3000+	38.12 грн
9000+	37.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ407EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0036 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm

на замовлення 11895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	73.59 грн
500+	57.90 грн
1000+	41.06 грн
5000+	38.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	50.58 грн
6000+	48.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO SQJ407EP-T1_GE3 Vishay Siliconix TSQJ407ep
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	70.87 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3505 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.25 грн
10+	87.42 грн
100+	62.24 грн
500+	46.42 грн
1000+	43.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	77.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

на замовлення 11895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	131.50 грн
10+	100.15 грн
100+	73.59 грн
500+	57.90 грн
1000+	41.06 грн
5000+	38.74 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	77.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	101.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1-BE3

MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_BE3

P Channel Trans MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 6279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	119.55 грн
10+	97.31 грн
100+	65.99 грн
500+	55.97 грн
1000+	45.57 грн
2500+	44.10 грн
5000+	40.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V

на замовлення 2690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.93 грн
10+	95.10 грн
100+	73.96 грн
500+	58.83 грн
1000+	47.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	50.84 грн
6000+	48.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	56.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 83000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	49.81 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ409EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 39369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	74.98 грн
500+	55.31 грн
1500+	47.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 83000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	125.06 грн
10+	101.65 грн
100+	78.72 грн
500+	63.89 грн
1000+	47.86 грн
3000+	42.52 грн
6000+	40.22 грн
9000+	39.30 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	147.80 грн
10+	90.90 грн
100+	61.42 грн
500+	45.82 грн
1000+	43.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	78.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_GE3

на замовлення 39369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	156.76 грн
50+	112.34 грн
100+	74.98 грн
500+	55.31 грн
1500+	47.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_GE3

MOSFET -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 73364 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.37 грн
10+	98.21 грн
100+	65.99 грн
500+	55.97 грн
1000+	45.57 грн
3000+	42.85 грн
6000+	41.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T2/GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T2_GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 16249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.09 грн
10+	88.06 грн
100+	62.58 грн
500+	49.12 грн
1000+	44.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T2_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 43145 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	153.97 грн
10+	100.88 грн
100+	58.77 грн
500+	46.66 грн
1000+	43.16 грн
3000+	37.88 грн
6000+	37.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T2_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T2_GE3

Automotive P-Channel

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T2_GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.92 грн
6000+	38.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ410EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8

на замовлення 2785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ410EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ410EP-T1_GE3

MOSFETs N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 25831 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	253.60 грн
10+	161.59 грн
100+	104.03 грн
500+	86.95 грн
1000+	83.84 грн
3000+	70.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ410EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ411EP-T1_GE3

MOSFETs -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3123 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.10 грн
10+	92.85 грн
100+	55.97 грн
500+	44.41 грн
1000+	40.45 грн
3000+	36.88 грн
6000+	34.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ411EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 6 V

на замовлення 2994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.09 грн
10+	77.79 грн
100+	60.47 грн
500+	48.10 грн
1000+	39.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ411EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ411EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 60A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ411EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ411EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ412EP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ412EP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

на замовлення 1253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ412EP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

на замовлення 1253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ412EP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ412EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 24798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.75 грн
10+	147.50 грн
100+	117.38 грн
500+	93.20 грн
1000+	79.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ412EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ412EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	83.13 грн
6000+	77.05 грн
9000+	74.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ412EP-T1_GE3

MOSFET 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5758 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.35 грн
10+	161.59 грн
100+	112.57 грн
250+	104.03 грн
500+	93.94 грн
1000+	80.74 грн
3000+	75.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ412EP-T2_GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQJ422EP-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ412EP-T2_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ414EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.77 грн
10+	61.30 грн
100+	40.59 грн
500+	29.72 грн
1000+	27.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ414EP-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.62 грн
10+	66.33 грн
100+	39.36 грн
500+	32.84 грн
1000+	26.40 грн
3000+	24.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ414EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ414EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ414EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ414EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	101.02 грн
14+	63.14 грн
100+	42.76 грн
500+	29.27 грн
1000+	23.89 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ414EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ414EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ414EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ414EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ414EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ414EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0098 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.03 грн
500+	31.30 грн
1000+	26.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ414EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ414EP-T1_GE3

MOSFET Dual N-Ch 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.62 грн
10+	65.26 грн
100+	39.36 грн
500+	32.84 грн
1000+	28.03 грн
3000+	24.84 грн
6000+	24.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_BE3

MOSFETs PowerPAK SO-8L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.90 грн
10+	58.22 грн
100+	45.31 грн
500+	36.04 грн
1000+	29.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 30A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 30A T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ415EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.014 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	85.17 грн
15+	60.00 грн
100+	46.85 грн
500+	37.85 грн
1000+	30.08 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	33.85 грн
22+	33.70 грн
25+	33.54 грн
100+	32.20 грн
250+	29.67 грн
500+	28.35 грн
1000+	28.22 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.70 грн
10+	50.14 грн
100+	40.13 грн
500+	32.40 грн
1000+	29.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_GE3

на замовлення 2717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.85 грн
500+	37.85 грн
1000+	30.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_GE3

MOSFETs -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 6118 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.96 грн
10+	58.30 грн
100+	39.59 грн
500+	34.47 грн
1000+	29.66 грн
3000+	27.79 грн
6000+	26.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

396+	31.46 грн
398+	31.31 грн
400+	31.17 грн
401+	29.91 грн
500+	27.56 грн
1000+	26.34 грн

Мінімальне замовлення: 396

В кошику од. на суму грн.

SQJ416EP-T1-BE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ416EP-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ416EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ416EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ416EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	78.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ416EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ416EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ416EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ416EP-T1_GE3

MOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 119375 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.63 грн
10+	66.51 грн
100+	42.23 грн
500+	33.15 грн
1000+	30.20 грн
3000+	24.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ416EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T1
Код товару: 147924

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.34 грн
10+	68.74 грн
100+	53.49 грн
500+	42.55 грн
1000+	34.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.11 грн
6000+	33.11 грн
9000+	31.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ418EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 48
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T1_GE3

MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 48576 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.01 грн
10+	77.23 грн
100+	52.25 грн
500+	44.33 грн
1000+	36.10 грн
3000+	33.93 грн
6000+	32.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 48A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.34 грн
10+	68.74 грн
100+	53.49 грн
500+	42.55 грн
1000+	34.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 48A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 48A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T2_GE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T2_GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ420EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ420EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5774 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	65.50 грн
10+	51.19 грн
100+	39.84 грн
500+	31.69 грн
1000+	25.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ420EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ420EP-T1_GE3

Automotive N-Channel 40 V D-S 175 C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ420EP-T1_GE3

MOSFETs 40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 27891 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	89.30 грн
10+	59.01 грн
100+	35.79 грн
500+	31.05 грн
1000+	26.55 грн
3000+	24.45 грн
6000+	23.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ420EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	65.50 грн
10+	51.19 грн
100+	39.84 грн
500+	31.69 грн
1000+	25.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V

на замовлення 8873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.81 грн
10+	99.79 грн
100+	77.60 грн
500+	61.73 грн
1000+	50.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 9360 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.91 грн
10+	108.03 грн
100+	65.60 грн
500+	52.32 грн
1000+	49.69 грн
3000+	43.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 75A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	52.38 грн
6000+	48.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.83 грн
10+	120.17 грн
100+	82.02 грн
500+	61.65 грн
1000+	56.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ422EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	87.96 грн
500+	65.66 грн
1000+	58.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 5568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	141.46 грн
10+	117.32 грн
25+	117.13 грн
50+	110.82 грн
100+	84.37 грн
250+	74.88 грн
500+	64.09 грн
1000+	54.44 грн
3000+	53.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	55.85 грн
6000+	52.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ422EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	175.92 грн
10+	120.18 грн
100+	87.96 грн
500+	65.66 грн
1000+	58.60 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_GE3

MOSFETs -40V 75A 83W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 10123 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	167.56 грн
10+	112.49 грн
100+	70.80 грн
500+	56.67 грн
1000+	52.79 грн
3000+	47.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 5568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

185+	67.40 грн

Мінімальне замовлення: 185

В кошику од. на суму грн.

SQJ423EP-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	90.12 грн
10+	73.12 грн
100+	49.45 грн
500+	33.07 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ423EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 55A T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ423EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 55A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ423EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17269 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.98 грн
10+	65.83 грн
100+	51.21 грн
500+	40.73 грн
1000+	33.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ423EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.57 грн
6000+	31.70 грн
9000+	30.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ423EP-T1_GE3

MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 111632 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.57 грн
10+	73.21 грн
100+	49.53 грн
500+	42.00 грн
1000+	34.24 грн
3000+	32.22 грн
6000+	30.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1-BE3

MOSFET P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_BE3

MOSFETs PowerPAK SO-8L

на замовлення 2560 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	163.03 грн
10+	111.60 грн
100+	69.40 грн
500+	55.27 грн
1000+	53.18 грн
3000+	45.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.32 грн
10+	106.02 грн
100+	72.27 грн
500+	54.27 грн
1000+	53.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_BE3

P-Channel Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	49.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	49.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	61.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	54.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ431AEP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.305 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	88.83 грн
500+	65.42 грн
1000+	56.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_GE3

MOSFETs -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 31149 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.86 грн
10+	116.95 грн
100+	69.40 грн
500+	55.27 грн
1000+	51.24 грн
3000+	45.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	65.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.32 грн
10+	106.02 грн
100+	72.27 грн
500+	54.27 грн
1000+	53.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_GE3

на замовлення 4404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	195.08 грн
10+	129.76 грн
100+	88.83 грн
500+	65.42 грн
1000+	56.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	69.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T2-GE3

Vishay MOSFET 200V PCH 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ431EP-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ431EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 12 A, 0.213 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.213ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 25085 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	182.89 грн
10+	133.24 грн
100+	91.44 грн
500+	68.49 грн
1000+	58.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	106.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	61.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1_GE3

MOSFETs -200v -12A 83W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 38789 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.41 грн
10+	134.81 грн
100+	80.74 грн
500+	65.21 грн
1000+	60.32 грн
3000+	55.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	68.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1_GE3

на замовлення 25085 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	91.44 грн
500+	68.49 грн
1000+	58.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	87.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	73.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	166.28 грн
10+	123.73 грн
100+	89.71 грн
500+	67.79 грн
1000+	62.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1_GE3

SQJ431EP-T1-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 2707 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	196.47 грн
13+	88.31 грн
36+	83.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T2_GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQJ4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T2_GE3

Description: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EPT1-GE3

на замовлення 170 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ433EP-T1-BE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ433EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4877 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ433EP-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ433EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4877 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	104.13 грн
10+	82.00 грн
100+	63.74 грн
500+	50.70 грн
1000+	41.30 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ433EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 75A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ433EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4877 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ433EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ433EP-T1_GE3

MOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2823 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	114.12 грн
10+	91.96 грн
100+	62.26 грн
500+	52.79 грн
1000+	42.93 грн
3000+	40.45 грн
6000+	38.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ433EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4877 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.00 грн
10+	93.56 грн
100+	63.15 грн
500+	47.01 грн
1000+	43.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ443AEP-T1-BE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ443AEP-T1-GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ443AEP-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2177 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.82 грн
10+	59.82 грн
100+	34.24 грн
500+	27.17 грн
1000+	26.01 грн
3000+	22.13 грн
6000+	19.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQJ443EP-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 40A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.45 грн
10+	80.54 грн
100+	62.64 грн
500+	49.83 грн
1000+	40.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_BE3

SQJ443EP-T1_BE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 26432 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.33 грн
10+	96.42 грн
100+	56.05 грн
500+	44.48 грн
1000+	40.76 грн
3000+	36.49 грн
6000+	35.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

288+	43.23 грн

Мінімальне замовлення: 288

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.45 грн
10+	80.54 грн
100+	62.64 грн
500+	49.83 грн
1000+	40.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_GE3

MOSFETs P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 58102 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.33 грн
10+	67.32 грн
100+	50.62 грн
500+	46.58 грн
1000+	41.61 грн
3000+	37.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	47.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	59.30 грн
13+	55.59 грн
25+	55.39 грн
100+	48.85 грн
250+	44.78 грн
500+	41.34 грн
1000+	39.70 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T2_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T2_GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.29 грн
10+	76.02 грн
100+	50.78 грн
500+	37.52 грн
1000+	34.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T2_GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.20 грн
6000+	30.45 грн
9000+	29.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T2_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2874 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	89.30 грн
10+	72.32 грн
100+	48.99 грн
500+	41.46 грн
1000+	33.38 грн
3000+	32.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ444EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.51 грн
6000+	37.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ444EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.25 грн
10+	77.15 грн
100+	60.01 грн
500+	47.74 грн
1000+	38.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ444EP-T1_GE3

MOSFETs N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 47713 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.48 грн
10+	75.35 грн
100+	52.56 грн
500+	45.96 грн
1000+	39.36 грн
3000+	37.03 грн
6000+	35.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ444EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	80.09 грн
11+	70.73 грн
25+	69.96 грн
50+	66.97 грн
100+	54.15 грн
250+	51.47 грн
500+	46.41 грн
1000+	39.97 грн
3000+	37.38 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ444EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ444EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0026 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	122.79 грн
11+	86.22 грн
100+	67.23 грн
500+	48.76 грн
1000+	36.58 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQJ444EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ444EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ444EP-T1_GE3

MOSFET N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ444EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

263+	47.39 грн

Мінімальне замовлення: 263

В кошику од. на суму грн.

SQJ444EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ444EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0026 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.23 грн
500+	48.76 грн
1000+	36.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ444EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3878 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.25 грн
10+	77.15 грн
100+	60.01 грн
500+	47.74 грн
1000+	38.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ446EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	108.33 грн
10+	85.15 грн
100+	66.22 грн
500+	52.68 грн
1000+	42.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ446EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ446EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ446EP-T1_GE3

MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ454EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.36 грн
10+	82.24 грн
100+	55.34 грн
500+	41.10 грн
1000+	37.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ454EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ454EP-T1_BE3

N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ454EP-T1_GE3

MOSFET 200V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 17707 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.80 грн
10+	96.42 грн
100+	77.63 грн
24000+	39.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ454EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 13A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

285+	43.66 грн

Мінімальне замовлення: 285

В кошику од. на суму грн.

SQJ454EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ454EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2793 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	126.28 грн
10+	89.70 грн
100+	64.53 грн
500+	48.52 грн
1000+	41.28 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ454EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.36 грн
10+	82.24 грн
100+	55.34 грн
500+	41.10 грн
1000+	37.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ454EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 13A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	55.27 грн
14+	51.93 грн
100+	47.82 грн
500+	43.24 грн
1000+	36.63 грн
3000+	34.18 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SQJ454EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 13A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ454EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ454EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 13A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ454EP-T1_GE3

на замовлення 2793 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.53 грн
500+	48.52 грн
1000+	41.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ456EP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ456EP-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ456EP-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ456EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ456EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3342 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	384.62 грн
10+	310.61 грн
100+	251.28 грн
500+	209.61 грн
1000+	179.48 грн

В кошику од. на суму грн.

SQJ456EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ456EP-T1_GE3

MOSFETs 100V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	442.90 грн
10+	341.04 грн
100+	214.27 грн
500+	211.94 грн
1000+	190.98 грн
3000+	179.33 грн

В кошику од. на суму грн.

SQJ456EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3342 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	187.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ456EP-T2_GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJA72EP-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ456EP-T2_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ456EP-T2_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3342 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_BE3

60V, 36A max P-Channel TrenchFET Power MOSFET, 25mOhm @ Vgs = 10V

на замовлення 52 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	68.59 грн
13+	55.77 грн
100+	45.11 грн
500+	36.60 грн
1000+	31.43 грн
3000+	26.36 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.90 грн
6000+	28.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 117077 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.79 грн
10+	58.83 грн
100+	37.88 грн
500+	30.98 грн
1000+	28.41 грн
3000+	25.00 грн
6000+	24.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_BE3

SQJ457EP-T1_BE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

239+	52.05 грн
296+	42.10 грн
500+	35.43 грн
1000+	31.68 грн
3000+	25.63 грн

Мінімальне замовлення: 239

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8126 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.77 грн
10+	73.67 грн
100+	49.03 грн
500+	36.08 грн
1000+	32.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2091 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

188+	66.48 грн
189+	65.82 грн
251+	49.70 грн
253+	47.44 грн
500+	34.40 грн
1000+	23.84 грн

Мінімальне замовлення: 188

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	109.17 грн
10+	66.47 грн
100+	44.23 грн
500+	32.56 грн
1000+	29.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.30 грн
500+	38.65 грн
1000+	34.11 грн
5000+	32.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 81766 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.22 грн
10+	63.39 грн
100+	41.92 грн
500+	32.76 грн
1000+	28.03 грн
3000+	24.84 грн
6000+	24.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.36 грн
9000+	26.69 грн
24000+	26.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2091 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	94.99 грн
10+	71.22 грн
25+	70.52 грн
100+	51.35 грн
250+	47.06 грн
500+	35.38 грн
1000+	25.54 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.79 грн
6000+	25.76 грн
9000+	24.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

на замовлення 5785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	94.06 грн
13+	70.37 грн
100+	53.30 грн
500+	38.65 грн
1000+	34.11 грн
5000+	32.47 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T2_GE3

на замовлення 12701 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.77 грн
10+	73.67 грн
100+	49.03 грн
500+	36.08 грн
1000+	32.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T2_GE3

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.90 грн
6000+	28.55 грн
9000+	27.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T2_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1-BE3

MOSFETs PPAKSO8 P-CH 60V 52A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1/BE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	68.05 грн
12+	59.52 грн
100+	50.98 грн
500+	43.08 грн
1000+	37.42 грн
3000+	33.66 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	73.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V

на замовлення 2938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.25 грн
10+	77.15 грн
100+	60.01 грн
500+	47.74 грн
1000+	38.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_BE3

MOSFETs PowerPAK SO-8L

на замовлення 2221 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	114.12 грн
10+	81.42 грн
100+	51.47 грн
500+	41.46 грн
1000+	38.12 грн
3000+	33.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

224+	55.55 грн
262+	47.58 грн
500+	41.69 грн
1000+	37.72 грн
3000+	32.73 грн

Мінімальне замовлення: 224

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 162000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	76.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.35 грн
6000+	36.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 16628 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.08 грн
10+	91.96 грн
100+	57.68 грн
500+	45.80 грн
1000+	42.23 грн
3000+	37.11 грн
6000+	36.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

228+	54.56 грн

Мінімальне замовлення: 228

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ459EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 52 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm

на замовлення 1963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	73.85 грн
500+	58.14 грн
1000+	41.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	98.97 грн
10+	83.78 грн
25+	82.94 грн
100+	73.57 грн
250+	67.42 грн
500+	50.70 грн
1000+	43.03 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	48.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 58251 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.28 грн
10+	89.36 грн
100+	60.33 грн
500+	44.97 грн
1000+	42.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ459EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 52 A, 0.018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	137.60 грн
10+	104.51 грн
100+	74.81 грн
500+	55.15 грн
1000+	46.95 грн
5000+	41.28 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	51.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_NE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1420 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.35 грн
10+	95.53 грн
100+	56.98 грн
500+	48.29 грн
1000+	42.15 грн
3000+	35.71 грн
24000+	35.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T2_BE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.72 грн
6000+	32.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T2_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 73034 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	117.74 грн
10+	82.14 грн
100+	52.01 грн
500+	41.15 грн
1000+	37.73 грн
3000+	32.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T2_BE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T2_BE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	111.69 грн
10+	75.45 грн
100+	55.40 грн
500+	41.12 грн
1000+	37.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T2_GE3

MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.25 грн
10+	83.83 грн
100+	56.59 грн
500+	47.98 грн
1000+	39.13 грн
3000+	37.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T2_GE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V

на замовлення 4395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.06 грн
10+	74.48 грн
100+	57.94 грн
500+	46.09 грн
1000+	37.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T2_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T2_GE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T2_GE3

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ460AEP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2654 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	111.69 грн
10+	87.82 грн
100+	68.28 грн
500+	54.32 грн
1000+	44.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ460AEP-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ460AEP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2654 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ460AEP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 58A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ460AEP-T1_GE3

MOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3582 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.01 грн
10+	100.88 грн
100+	59.31 грн
500+	47.12 грн
1000+	43.71 грн
3000+	40.29 грн
6000+	37.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ460AEP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 58A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ460AEP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4795 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.64 грн
10+	91.62 грн
100+	61.97 грн
500+	46.24 грн
1000+	43.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ460AEP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4795 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ460AEP-T2_GE3

Automotive N Channel 60 V 175 C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ460EP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32A SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 30A 8-SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ461EP-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T1-GE3

Description: VISHAY - SQJ461EP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 83
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
SVHC: To Be Advised

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 2787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	253.55 грн
10+	213.65 грн
25+	212.77 грн
100+	165.84 грн
500+	136.93 грн
1000+	118.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	104.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T1_GE3

MOSFETs 60V 30A 83W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 7787 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	243.64 грн
10+	198.20 грн
100+	125.77 грн
500+	111.79 грн
1000+	103.25 грн
3000+	94.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 2787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	129.37 грн

Мінімальне замовлення: 97

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	283.85 грн
10+	191.09 грн
100+	138.22 грн
500+	106.18 грн
1000+	98.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T2_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T2_GE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V

на замовлення 5890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.00 грн
10+	121.46 грн
100+	96.71 грн
500+	76.79 грн
1000+	65.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T2_GE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	68.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1"GE3

Description: VISHAY - SQJ463EP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, -40V, -30A, POWERPAK SO
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET SQ Series
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1-GE3

Description: VISHAY - SQJ463EP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 18
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008
SVHC: To Be Advised

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1-GE3

SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	246.45 грн
10+	210.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1-GE3
Код товару: 170979

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1-GE3

MOSFET 40V 30A 83W P-Ch Automotive

на замовлення 1377 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1_GE3

SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1_GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ423EP-T1_GE3

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	259.94 грн
10+	216.05 грн
25+	181.66 грн
100+	151.38 грн
250+	147.50 грн
500+	135.08 грн
1000+	115.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1_GE3

SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	132.29 грн
6000+	127.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	116.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ463EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm

на замовлення 2363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	165.47 грн
500+	140.71 грн
1000+	111.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1_GE3

SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	87.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ463EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2023 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	274.33 грн
10+	204.66 грн
100+	148.92 грн
500+	114.02 грн
1000+	102.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	68.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1_GE3

SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	337.59 грн
10+	214.14 грн
100+	150.94 грн
500+	116.34 грн
1000+	108.22 грн

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1-BE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1/BE3

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.61 грн
10+	74.56 грн
100+	49.65 грн
500+	36.57 грн
1000+	33.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.36 грн
6000+	28.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1_BE3

MOSFETs PowerPAK SO-8L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V

на замовлення 11585 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.61 грн
10+	74.56 грн
100+	49.65 грн
500+	36.57 грн
1000+	33.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1_GE3

MOSFETs N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

на замовлення 80290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.53 грн
10+	64.99 грн
100+	42.85 грн
500+	33.85 грн
1000+	30.82 грн
3000+	25.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.36 грн
6000+	28.97 грн
9000+	27.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T2_GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T2_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ465EP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

261+	47.66 грн

Мінімальне замовлення: 261

В кошику од. на суму грн.

SQJ465EP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ465EP-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQJ465EP-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ465EP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	113.47 грн
10+	93.08 грн
100+	72.43 грн
500+	59.24 грн
1000+	45.59 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ465EP-T1_GE3

MOSFET -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 42662 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.78 грн
10+	87.22 грн
100+	59.00 грн
500+	50.00 грн
1000+	40.76 грн
3000+	38.27 грн
6000+	36.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ465EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.01 грн
6000+	37.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ465EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.07 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm

на замовлення 13967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.19 грн
500+	52.08 грн
1000+	42.47 грн
5000+	36.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ465EP-T1_GE3

SQJ465EP-T1-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 2811 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	105.55 грн
16+	74.72 грн
43+	70.84 грн
250+	70.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ465EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.07 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 13599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	99.28 грн
50+	85.87 грн
100+	72.46 грн
500+	46.50 грн
1500+	42.10 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ465EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ465EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.09 грн
10+	78.12 грн
100+	60.76 грн
500+	48.33 грн
1000+	39.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ469EP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ469EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ469EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 24416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	229.04 грн
50+	182.01 грн
100+	135.86 грн
500+	112.41 грн
1500+	100.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ469EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ469EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ469EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9542 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	282.17 грн
10+	178.47 грн
100+	125.22 грн
500+	104.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ469EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ469EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	94.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ469EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ469EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 24416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	135.86 грн
500+	112.41 грн
1500+	100.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ469EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	135.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ469EP-T1_GE3

MOSFETs 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 31388 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	276.24 грн
10+	194.63 грн
25+	152.16 грн
100+	129.65 грн
250+	119.55 грн
500+	111.79 грн
1000+	102.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ474EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.22 грн
10+	57.09 грн
100+	44.39 грн
500+	35.30 грн
1000+	28.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ474EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.96 грн
6000+	27.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ474EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ474EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 26240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.02 грн
10+	57.82 грн
100+	40.22 грн
500+	30.34 грн
1000+	27.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ474EP-T1_GE3

MOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.01 грн
10+	63.66 грн
100+	42.00 грн
500+	34.62 грн
1000+	29.03 грн
3000+	25.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ474EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ474EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ474EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.43 грн
6000+	25.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ474EP-T2_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ474EP-T2_GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

на замовлення 2812 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.70 грн
10+	58.06 грн
100+	40.25 грн
500+	31.56 грн
1000+	26.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.35 грн
10+	65.44 грн
100+	38.51 грн
500+	30.35 грн
1000+	27.79 грн
3000+	25.31 грн
6000+	23.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 1303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	50.55 грн
17+	42.27 грн
25+	42.10 грн
100+	33.56 грн
250+	30.89 грн
500+	26.25 грн
1000+	24.70 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.07 грн
6000+	24.25 грн
9000+	23.48 грн
24000+	22.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 13250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	95.80 грн
15+	61.83 грн
100+	42.41 грн
500+	31.38 грн
1000+	26.20 грн
5000+	23.44 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_GE3

MOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 17150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.72 грн
10+	63.12 грн
100+	37.65 грн
500+	30.04 грн
1000+	27.17 грн
3000+	24.45 грн
6000+	23.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 1303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

316+	39.45 грн
317+	39.29 грн
383+	32.48 грн
386+	31.14 грн
500+	25.52 грн
1000+	23.05 грн

Мінімальне замовлення: 316

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	82.30 грн
10+	55.07 грн
100+	37.78 грн
500+	28.89 грн
1000+	26.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.84 грн
6000+	25.96 грн
9000+	25.13 грн
24000+	24.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_GE3

на замовлення 13250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.41 грн
500+	31.38 грн
1000+	26.20 грн
5000+	23.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.38 грн
6000+	22.66 грн
9000+	22.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.58 грн
6000+	34.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	78.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

на замовлення 8392 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.70 грн
10+	71.57 грн
100+	55.67 грн
500+	44.28 грн
1000+	36.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 219457 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.99 грн
10+	86.78 грн
100+	50.38 грн
500+	39.83 грн
1000+	36.41 грн
3000+	30.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

238+	52.31 грн

Мінімальне замовлення: 238

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3
Код товару: 194623

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.36 грн
500+	47.23 грн
1000+	43.07 грн
5000+	42.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.85 грн
6000+	31.28 грн
9000+	31.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	87.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3

на замовлення 5846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.02 грн
10+	89.70 грн
100+	64.36 грн
500+	47.23 грн
1000+	43.07 грн
5000+	42.47 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	50.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3

MOSFETs P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 38033 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	113.21 грн
10+	77.76 грн
100+	52.71 грн
500+	41.69 грн
1000+	36.33 грн
3000+	33.54 грн
6000+	32.30 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	63.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	67.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	62.54 грн
13+	56.05 грн
25+	55.87 грн
100+	49.17 грн
250+	37.83 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 36013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.49 грн
10+	78.60 грн
100+	52.73 грн
500+	39.09 грн
1000+	35.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_NE3

MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1868 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.57 грн
10+	86.78 грн
100+	50.31 грн
500+	41.22 грн
1000+	37.34 грн
3000+	31.67 грн
6000+	30.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1"GE3

Description: VISHAY - SQJ481EP-T1"GE3 - P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9937

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1-BE3

MOSFET P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 4595 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	110.50 грн
10+	70.62 грн
25+	61.33 грн
100+	43.78 грн
250+	43.71 грн
500+	35.32 грн
1000+	30.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_BE3

P-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 16A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 16A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.58 грн
10+	59.44 грн
100+	46.22 грн
500+	36.77 грн
1000+	29.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ481EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 16 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 22636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	98.41 грн
14+	65.93 грн
100+	48.51 грн
500+	35.34 грн
1000+	29.71 грн
5000+	26.65 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_GE3

SQJ481EP-T1-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 1898 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	111.09 грн
24+	48.04 грн
66+	45.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_GE3
Код товару: 191995

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.20 грн
6000+	28.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ481EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 16 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 22636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.51 грн
500+	35.34 грн
1000+	29.71 грн
5000+	26.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_GE3

MOSFETs -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 24151 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.82 грн
10+	64.99 грн
100+	42.85 грн
500+	35.32 грн
1000+	29.66 грн
3000+	27.79 грн
6000+	26.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T2-GE3

Vishay MOSFET 80V PCH 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ486EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 37 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.02 грн
10+	70.19 грн
100+	54.63 грн
500+	43.46 грн
1000+	35.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ486EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 37 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.88 грн
6000+	33.82 грн
9000+	32.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ486EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ486EP-T1_GE3

MOSFETs N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 21677 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	110.50 грн
10+	76.33 грн
100+	51.70 грн
500+	41.07 грн
1000+	35.71 грн
3000+	33.77 грн
6000+	32.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ486EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ486EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.02 грн
10+	70.19 грн
100+	54.63 грн
500+	43.46 грн
1000+	35.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ486EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 100V(D-S)

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 301-310 дні (днів)

3+	126.80 грн
10+	104.46 грн
100+	72.20 грн
250+	66.92 грн
500+	60.79 грн
1000+	52.09 грн
3000+	49.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.57 грн
10+	93.97 грн
100+	74.79 грн
500+	59.39 грн
1000+	50.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T1_GE3

MOSFET 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

на замовлення 20968 шт:

термін постачання 751-760 дні (днів)

3+	129.52 грн
10+	115.17 грн
100+	80.74 грн
500+	65.52 грн
1000+	54.34 грн
3000+	50.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	52.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

197+	63.18 грн

Мінімальне замовлення: 197

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	147.63 грн
10+	131.97 грн
25+	127.76 грн
50+	116.96 грн
100+	96.91 грн
250+	89.81 грн
500+	77.76 грн
1000+	68.49 грн
3000+	66.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T2_BE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T2_BE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T2_BE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T2_BE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T2_BE3

MOSFET N-CHANNEL 100V(D-S)

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.20 грн
10+	126.77 грн
25+	104.03 грн
100+	88.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T2_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T2_GE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.09 грн
10+	77.96 грн
100+	60.61 грн
500+	48.22 грн
1000+	39.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T2_GE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T2_GE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.92 грн
6000+	37.52 грн
9000+	35.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ500AEP-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 40V 30A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ500AEP-T1_BE3

MOSFETs N and P CH 40V (D-S)

на замовлення 42091 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	167.56 грн
10+	106.24 грн
100+	62.34 грн
500+	49.69 грн
1000+	46.58 грн
3000+	40.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ500AEP-T1_BE3

Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ500AEP-T1_BE3

Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ500AEP-T1_GE3

Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ500AEP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 40V 30A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ500AEP-T1_GE3

MOSFETs N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 61761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	167.56 грн
10+	106.24 грн
100+	62.34 грн
500+	49.69 грн
1000+	46.58 грн
3000+	40.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ500AEP-T1_GE3

Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ500EP-T1-GE3

Trans MOSFET N/P-CH 40V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ500EP-T1-GE3

MOSFET 40V 8A 48W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ504EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ504EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6100µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6100µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3357 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	77.77 грн
500+	57.58 грн
1000+	49.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ504EP-T1_GE3

Description: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ504EP-T1_GE3

на замовлення 3357 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	179.40 грн
10+	114.96 грн
100+	77.77 грн
500+	57.58 грн
1000+	49.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ504EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ504EP-T1_GE3

MOSFETs 40/-40V Vds; SO-8L +/-20V Vgs

на замовлення 8528 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	167.56 грн
10+	115.17 грн
100+	68.86 грн
500+	54.89 грн
1000+	49.76 грн
3000+	44.72 грн
6000+	44.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ504EP-T1_GE3

Description: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1-BE3

MOSFETs POWRPK DUAL CHAN 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1/BE3

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_BE3

Description: N- AND P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_BE3

Description: N- AND P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_BE3

MOSFETs N- AND P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_GE3

MOSFETs 60V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 49684 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.23 грн
10+	99.10 грн
100+	64.59 грн
500+	51.32 грн
1000+	46.35 грн
3000+	41.61 грн
6000+	41.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ560EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0099 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 11893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	84.65 грн
500+	62.67 грн
1000+	43.07 грн
5000+	40.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 49230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	146.96 грн
10+	90.41 грн
100+	61.14 грн
500+	45.60 грн
1000+	42.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	54.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ560EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 9900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	172.43 грн
10+	109.73 грн
100+	74.46 грн
500+	54.91 грн
1000+	46.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	50.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.94 грн
6000+	37.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	80.51 грн
10+	72.93 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ570EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ570EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 15 A, 15 A, 0.0365 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0365ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 27W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0365ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	68.28 грн
500+	55.15 грн
1000+	43.37 грн
3000+	35.53 грн
6000+	34.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ570EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 100V 15A/9.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	78.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ570EP-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 9.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.86 грн
10+	70.68 грн
100+	55.00 грн
500+	43.75 грн
1000+	35.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ570EP-T1_GE3

MOSFETs N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 43402 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	116.84 грн
10+	80.62 грн
100+	54.58 грн
500+	44.79 грн
1000+	37.65 грн
3000+	34.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ570EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 100V 15A/9.5A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ570EP-T1_GE3

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	112.34 грн
10+	93.18 грн
100+	68.28 грн
500+	55.15 грн
1000+	43.37 грн
3000+	35.53 грн
6000+	34.86 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQJ570EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 100V 15A/9.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ570EP-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 9.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ740EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ740EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	198.56 грн
10+	128.02 грн
100+	87.96 грн
500+	60.49 грн
1000+	53.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ740EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ740EP-T1_GE3

MOSFETs Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL, 3.4 mohm a. 10V

на замовлення 3566 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.45 грн
10+	134.81 грн
100+	81.51 грн
500+	66.30 грн
1000+	61.33 грн
3000+	58.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ740EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 123A Automotive AEC-Q101 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	70.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ740EP-T1_GE3

на замовлення 2624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	87.96 грн
500+	60.49 грн
1000+	53.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ740EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL
Part Status: Active

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	161.24 грн
10+	139.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ746ELP-T1_GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 4059 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.89 грн
10+	79.10 грн
100+	45.65 грн
500+	37.42 грн
1000+	35.48 грн
3000+	30.20 грн
6000+	27.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ748EP-T1_GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2725 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.05 грн
10+	83.65 грн
100+	48.44 грн
500+	39.75 грн
1000+	37.57 грн
3000+	31.98 грн
6000+	29.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ764ELP-T1_GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

на замовлення 2201 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	162.12 грн
10+	101.78 грн
100+	61.41 грн
500+	52.09 грн
1000+	45.49 грн
3000+	38.58 грн
9000+	37.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ840EP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ840EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ840EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	48.77 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SQJ840EP-T1_GE3

MOSFET 30V 30A 46W AEC-Q101 Qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ840EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ840EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 41 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ844AEP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ844AEP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ844AEP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ844AEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ844AEP-T1_GE3

MOSFETs N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 23688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	114.12 грн
10+	76.24 грн
100+	46.58 грн
500+	41.77 грн
1000+	36.02 грн
3000+	32.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ844AEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ844EP-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ844EP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ848AEP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ848EP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ848EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 47A POWERPAKSO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ848EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 47A POWERPAKSO-8

на замовлення 2345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ848EPT1-GE3

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	176.35 грн
10+	115.56 грн
100+	84.94 грн
500+	64.63 грн
1000+	59.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	57.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T1_GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQJ4

на замовлення 2235 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.54 грн
10+	126.77 грн
100+	73.52 грн
250+	73.29 грн
500+	60.24 грн
1000+	55.97 грн
3000+	55.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T2_GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T2_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 51846 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.99 грн
10+	95.53 грн
100+	57.84 грн
500+	45.96 грн
1000+	42.39 грн
3000+	36.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T2_GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.29 грн
10+	91.22 грн
100+	67.70 грн
500+	51.91 грн
1000+	45.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.72 грн
10+	84.18 грн
100+	56.71 грн
500+	42.18 грн
1000+	39.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_GE3

MOSFETs 40V 58A 48W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3515 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	115.93 грн
10+	77.58 грн
100+	50.38 грн
500+	39.83 грн
1000+	36.49 грн
3000+	30.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	106.65 грн
10+	69.38 грн
100+	52.01 грн
500+	38.56 грн
1000+	35.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 58A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_JB3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_JB3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ858EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ858EP-T1_GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ858AEP-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ860EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.22 грн
10+	60.73 грн
100+	42.02 грн
500+	32.95 грн
1000+	28.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ860EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.64 грн
6000+	25.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ860EP-T1_BE3

N-Channel MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ860EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.00 грн
6000+	24.63 грн
9000+	22.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ860EP-T1_GE3

MOSFETs 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

на замовлення 61751 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.48 грн
10+	69.01 грн
100+	40.91 грн
500+	32.45 грн
1000+	29.11 грн
3000+	25.31 грн
6000+	23.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ860EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.54 грн
10+	59.36 грн
100+	41.05 грн
500+	32.19 грн
1000+	27.40 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ868EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ868EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	82.30 грн
10+	70.92 грн
100+	55.29 грн
500+	42.86 грн
1000+	33.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ868EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ868EP-T1_GE3

MOSFETs Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 56779 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.27 грн
10+	74.73 грн
100+	43.09 грн
500+	34.00 грн
1000+	31.52 грн
3000+	29.11 грн
6000+	28.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ868EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1863 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	99.28 грн
14+	62.27 грн
100+	41.28 грн
500+	30.33 грн
1000+	25.98 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ868EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ868EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 0.0062 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 1863 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.01 грн
500+	31.13 грн
1000+	27.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ872EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	156.20 грн
10+	95.75 грн
100+	64.69 грн
500+	48.21 грн
1000+	44.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ872EP-T1_GE3

MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 127328 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.27 грн
10+	92.85 грн
100+	57.68 грн
500+	45.80 грн
1000+	43.09 грн
3000+	41.61 грн
6000+	38.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ872EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 24.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	121.12 грн
10+	99.57 грн
100+	74.48 грн
500+	56.77 грн
1000+	47.54 грн
3000+	40.22 грн
6000+	37.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ872EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ872EP-T1_GE3

MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ872EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 24.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

134+	92.93 грн
179+	69.51 грн
500+	54.95 грн
1000+	47.92 грн
3000+	39.11 грн
6000+	35.41 грн

Мінімальне замовлення: 134

В кошику од. на суму грн.

SQJ886EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ886EP-T1_GE3

MOSFETs 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 58749 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.80 грн
10+	102.67 грн
100+	69.25 грн
500+	58.61 грн
1000+	47.82 грн
3000+	44.17 грн
6000+	42.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ886EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ886EP-T1_GE3

MOSFET 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 8429 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_BE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_BE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFE

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.20 грн
10+	89.10 грн
100+	52.09 грн
500+	41.22 грн
1000+	37.65 грн
3000+	37.57 грн
6000+	32.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_BE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.73 грн
10+	75.29 грн
100+	58.54 грн
500+	46.56 грн
1000+	37.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ910AEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 11060 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.22 грн
500+	43.67 грн
1000+	35.98 грн
5000+	32.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_GE3

на замовлення 11060 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	102.76 грн
12+	78.47 грн
100+	59.22 грн
500+	43.67 грн
1000+	35.98 грн
5000+	32.55 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_GE3

MOSFETs Dual N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2441 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	159.41 грн
10+	100.88 грн
100+	58.77 грн
500+	46.58 грн
1000+	42.70 грн
3000+	37.65 грн
6000+	36.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	157.04 грн
10+	89.20 грн
100+	65.03 грн
500+	48.42 грн
1000+	43.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T2_GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T2_GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ910EP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ910EP-T1-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ912AEP-T1_BE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ912AEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ912AEP-T1_GE3

MOSFET 40V 30A 48W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 40630 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.25 грн
10+	83.83 грн
100+	56.59 грн
500+	47.98 грн
1000+	39.13 грн
3000+	36.72 грн
6000+	35.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ912AEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

на замовлення 5369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ912AEP-T2_BE3

MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S)

на замовлення 2159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ912BEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ912BEP-T1_GE3

MOSFETs Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 14003 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.27 грн
10+	87.22 грн
100+	60.63 грн
500+	48.13 грн
1000+	44.10 грн
3000+	38.89 грн
24000+	38.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ912BEP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ912BEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 9000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	97.54 грн
50+	76.55 грн
100+	62.96 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ912BEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	141.08 грн
10+	86.93 грн
100+	58.68 грн
500+	43.69 грн
1000+	40.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ912DEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.21 грн
10+	69.87 грн
100+	46.57 грн
500+	34.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ912DEP-T1_GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

на замовлення 18922 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.40 грн
10+	70.80 грн
100+	42.31 грн
500+	35.01 грн
1000+	31.91 грн
3000+	28.65 грн
6000+	26.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ912DEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ912EP-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ914EP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ914EP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ914EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ914EP-T1_GE3

MOSFET Dual 30V Vds 20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2194 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ914EP-T1_GE3

DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ914EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	109.17 грн
10+	94.37 грн
100+	73.55 грн
500+	57.02 грн
1000+	45.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ940EP-T1_GE3

MOSFETs 40V 15A AEC-Q101 Qualified

на замовлення 55739 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.78 грн
10+	98.21 грн
100+	57.53 грн
500+	45.65 грн
1000+	42.08 грн
3000+	36.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ940EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 15A/18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ940EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ940EP-T1_GE3
Код товару: 180512

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ940EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ940EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.0133 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0133ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0133ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 13949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	150.66 грн
10+	96.67 грн
100+	64.97 грн
500+	44.07 грн
1000+	37.40 грн
5000+	31.20 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ940EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 15A/18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ940EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 15A/18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ940EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ941EP-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ941EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ942EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ942EP-T1_GE3

MOSFET 40V 15A AEC-Q101 Qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ942EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.61 грн
10+	87.26 грн
100+	68.06 грн
500+	52.76 грн
1000+	41.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ946EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ946EP-T1_GE3

MOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5978 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.25 грн
10+	60.62 грн
100+	35.87 грн
500+	28.26 грн
1000+	25.54 грн
3000+	23.37 грн
6000+	20.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ946EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ946EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ946EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 27W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.85 грн
500+	32.83 грн
1500+	27.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ946EP-T1_GE3

на замовлення 7323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	87.96 грн
50+	67.23 грн
100+	44.85 грн
500+	32.83 грн
1500+	27.32 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_BE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	166.28 грн
10+	102.70 грн
100+	69.64 грн
500+	52.08 грн
1000+	47.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_BE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_BE3

MOSFETs DUAL P-CHANNEL 30V

на замовлення 43259 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	167.56 грн
10+	106.24 грн
100+	62.34 грн
500+	49.69 грн
1000+	46.58 грн
3000+	40.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ951EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	163.73 грн
10+	110.60 грн
100+	75.68 грн
500+	56.28 грн
1000+	43.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_GE3

MOSFETs Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 16979 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	175.71 грн
10+	110.70 грн
100+	65.29 грн
500+	52.01 грн
1000+	49.69 грн
3000+	49.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	166.28 грн
10+	102.70 грн
100+	69.64 грн
500+	52.08 грн
1000+	47.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_GE3

на замовлення 5088 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	79.86 грн
500+	62.83 грн
1000+	44.42 грн
5000+	41.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	47.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ952EP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ952EP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	80.65 грн
11+	69.05 грн
25+	68.56 грн
100+	50.44 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ952EP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ952EP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ952EP-T1_BE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

на замовлення 5753 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.80 грн
10+	81.96 грн
100+	48.37 грн
500+	39.28 грн
1000+	35.32 грн
3000+	30.98 грн
6000+	29.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ952EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ952EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ952EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23 A, 23 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	168.08 грн
10+	107.99 грн
100+	72.46 грн
500+	53.45 грн
1000+	45.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ952EP-T1_GE3

MOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 1707 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.69 грн
10+	99.10 грн
100+	57.84 грн
500+	45.96 грн
1000+	42.39 грн
3000+	36.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ952EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ952EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ952EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23 A, 23 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	65.32 грн
500+	44.32 грн
1000+	37.77 грн
5000+	31.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ956EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.7mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.22 грн
10+	79.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ956EP-T1_GE3

MOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2651 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.71 грн
10+	79.81 грн
100+	46.42 грн
500+	36.49 грн
1000+	33.38 грн
3000+	28.80 грн
6000+	27.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ956EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.7mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ958EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ958EP-T1_GE3

MOSFETs Dual 60V PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4157 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.71 грн
10+	79.81 грн
100+	46.42 грн
500+	36.49 грн
1000+	33.38 грн
3000+	31.29 грн
6000+	27.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ960EP-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ960EP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ960EP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ960EP-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ960EP-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ960EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1621 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	209.94 грн
10+	131.33 грн
100+	90.57 грн
500+	70.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ960EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ960EP-T1_GE3
Код товару: 186737

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ960EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ960EP-T1_GE3

MOSFETs 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 78057 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	225.52 грн
10+	144.63 грн
100+	86.95 грн
500+	72.12 грн
1000+	71.42 грн
3000+	62.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ962EP-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ963EP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ963EP-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQJ963EP-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ963EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ963EP-T1_GE3

MOSFETs -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 18140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	188.39 грн
10+	126.77 грн
100+	82.29 грн
250+	72.04 грн
500+	67.15 грн
1000+	62.03 грн
3000+	56.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ963EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3527 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	199.03 грн
10+	123.65 грн
100+	84.72 грн
500+	63.86 грн
1000+	58.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ963EP-T1_GE3

SQJ963EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ963EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	58.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ963EP-T1_GE3

SQJ963EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ964EP-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ968EP-T1-GE3

Description: VISHAY - SQJ968EP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 18
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028
Verlustleistung Pd: 25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung, p-Kanal: 25
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ968EP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ968EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ968EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ968EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23.5 A, 23.5 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 8159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	86.30 грн
13+	70.37 грн
100+	49.73 грн
500+	37.28 грн
1000+	33.22 грн
5000+	32.02 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQJ968EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ968EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 42W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 714pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ968EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ968EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23.5 A, 23.5 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 8171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.69 грн
500+	43.02 грн
1000+	35.61 грн
5000+	31.50 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ968EP-T1_GE3

MOSFETs Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4103 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.71 грн
10+	79.81 грн
100+	46.35 грн
500+	37.96 грн
1000+	33.23 грн
3000+	30.59 грн
6000+	27.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ968EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 42W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 714pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.22 грн
10+	80.14 грн
100+	62.46 грн
500+	48.42 грн
1000+	38.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ970EP-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ970EPT1-GE3

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1-BE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_BE3

Dual N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_BE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3746 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.25 грн
10+	83.83 грн
100+	56.59 грн
500+	47.98 грн
1000+	45.26 грн
3000+	38.51 грн
6000+	36.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 17A; 16W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 16W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2918 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	117.05 грн
10+	85.66 грн
25+	72.78 грн
100+	60.17 грн
250+	59.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_GE3

на замовлення 2918 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	97.54 грн
10+	68.74 грн
25+	60.65 грн
100+	50.14 грн
250+	49.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ974EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.89 грн
10+	96.67 грн
100+	70.02 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_GE3

MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 59147 шт:

термін постачання 519-528 дні (днів)

4+	118.65 грн
10+	102.67 грн
100+	70.57 грн
500+	56.75 грн
1000+	44.79 грн
3000+	39.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_GE3

на замовлення 4388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.93 грн
500+	54.99 грн
1000+	38.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	106.65 грн
10+	83.62 грн
100+	65.03 грн
500+	51.73 грн
1000+	42.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ980AEP-T1-BE3

MOSFETs SOT669 75V 17A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ980AEP-T1_BE3

Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.66 грн
10+	68.01 грн
100+	52.87 грн
500+	42.06 грн
1000+	34.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ980AEP-T1_BE3

Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ980AEP-T1_BE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ980AEP-T1_GE3

MOSFETs Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 30986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.01 грн
10+	90.17 грн
100+	52.95 грн
500+	41.84 грн
1000+	38.58 грн
3000+	36.49 грн
6000+	35.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ980AEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.90 грн
10+	74.72 грн
100+	58.16 грн
500+	46.26 грн
1000+	37.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ980AEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ990EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 17A/34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ990EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 17A/34A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ990EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.41 грн
10+	101.81 грн
100+	79.40 грн
500+	61.56 грн
1000+	48.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ990EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 17A/34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ990EP-T1_GE3

MOSFET Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5991 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	115.03 грн
10+	100.88 грн
100+	68.63 грн
500+	56.75 грн
1000+	44.79 грн
3000+	40.29 грн
6000+	39.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ990EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	50.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ992EP-T1-GE3

Description: VISHAY - SQJ992EP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.047 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ992EP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ992EP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ992EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15A Automotive T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ992EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ992EP-T1_GE3

MOSFETs Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 22014 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	119.55 грн
10+	90.17 грн
100+	55.51 грн
500+	44.02 грн
1000+	40.29 грн
3000+	37.11 грн
6000+	35.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ992EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ992EP-T2_GE3