Продукція > SQJ

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 18479 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.55 грн
10+	103.64 грн
100+	63.97 грн
500+	50.93 грн
1000+	47.59 грн
3000+	44.99 грн
6000+	43.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ114ELP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.26 грн
10+	77.65 грн
100+	44.86 грн
500+	36.73 грн
1000+	33.32 грн
3000+	28.27 грн
6000+	27.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ116EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2530 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.99 грн
10+	58.18 грн
100+	33.59 грн
500+	26.56 грн
1000+	24.72 грн
3000+	20.96 грн
6000+	19.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ118ELP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2892 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.91 грн
10+	70.90 грн
100+	41.10 грн
500+	33.73 грн
1000+	30.52 грн
3000+	25.88 грн
6000+	24.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ118ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ118ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.0192 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0192ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	126.65 грн
10+	79.66 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ120ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ120ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 206 A, 1740 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 206A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1740µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	140.19 грн
10+	88.42 грн
100+	59.10 грн
500+	44.97 грн
1000+	37.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ120ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ120ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 206 A, 1740 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 206A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1740µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.10 грн
500+	44.97 грн
1000+	37.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ120EP-T1_GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ120EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ120EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 202 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	139.40 грн
10+	88.42 грн
100+	58.87 грн
500+	44.82 грн
1000+	37.48 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ120EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ120EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 202 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.87 грн
500+	44.82 грн
1000+	37.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ120EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.06 грн
10+	78.36 грн
100+	45.40 грн
500+	37.21 грн
1000+	33.73 грн
3000+	28.61 грн
6000+	27.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ120EP-T1_GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.13 грн
10+	48.08 грн
25+	43.37 грн
100+	35.89 грн
250+	33.59 грн
500+	32.21 грн
1000+	30.56 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ122ELP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.57 грн
10+	61.48 грн
100+	35.50 грн
500+	28.06 грн
1000+	26.15 грн
3000+	22.12 грн
6000+	20.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ122ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3250µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	110.72 грн
12+	69.38 грн
100+	46.12 грн
500+	33.80 грн
1000+	29.09 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQJ122ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3250µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.12 грн
500+	33.80 грн
1000+	29.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ123ELP

Trans MOSFET P-CH 12V 238A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ123ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11680 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ123ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ123ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 238 A, 4000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 17652 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.78 грн
500+	47.49 грн
1000+	41.92 грн
5000+	34.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ123ELP-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2380 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.41 грн
10+	94.22 грн
100+	59.33 грн
500+	47.25 грн
1000+	45.13 грн
3000+	38.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ123ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11680 pF @ 6 V

на замовлення 2630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.36 грн
10+	105.03 грн
100+	84.43 грн
500+	65.10 грн
1000+	53.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ123ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ123ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 238 A, 4000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 17652 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	154.53 грн
10+	101.96 грн
100+	69.78 грн
500+	47.49 грн
1000+	41.92 грн
5000+	34.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ126EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8095 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.27 грн
10+	112.28 грн
100+	76.69 грн
500+	57.70 грн
1000+	53.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ126EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ126EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 A, 940 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5028 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	161.70 грн
10+	109.92 грн
100+	75.27 грн
500+	51.18 грн
1000+	45.27 грн
5000+	44.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ126EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8095 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ126EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ126EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 A, 940 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5028 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	75.27 грн
500+	51.18 грн
1000+	45.27 грн
5000+	44.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ128ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 437A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7315 pF @ 25 V

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ128ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ128ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 437 A, 0.00095 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 437A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 950µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.36 грн
500+	49.34 грн
1000+	41.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ128ELP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 21968 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.73 грн
10+	51.51 грн
3000+	44.79 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ128ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 437A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7315 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ128ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ128ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 437 A, 0.00095 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 437A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	117.09 грн
10+	80.45 грн
100+	64.36 грн
500+	49.34 грн
1000+	41.17 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ131ELP-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 408 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	162.50 грн
10+	102.07 грн
100+	61.65 грн
500+	52.09 грн
1000+	47.18 грн
3000+	40.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ136ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ136ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 A, 0.0009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	75.19 грн
500+	55.99 грн
1000+	50.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ136ELP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8015 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ136ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ136ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 A, 0.00112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	157.72 грн
10+	107.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ136ELP-T1_GE3

MOSFET 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ136ELP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8015 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5774 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	159.77 грн
10+	98.82 грн
100+	67.46 грн
500+	50.70 грн
1000+	49.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ138ELP

Trans MOSFET N-CH 40V 315A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ138ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6685 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ138ELP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 315A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ138ELP-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 20854 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.72 грн
10+	88.72 грн
100+	60.22 грн
500+	51.00 грн
1000+	41.51 грн
3000+	39.94 грн
6000+	38.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ138ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ138ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 315 A, 1500 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 126 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ138ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6685 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5647 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.53 грн
10+	84.32 грн
100+	65.60 грн
500+	52.18 грн
1000+	42.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ138ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ138ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 315 A, 1500 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 126 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	131.43 грн
10+	101.96 грн
100+	69.14 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ138EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4715 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ138EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 30919 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.87 грн
10+	91.87 грн
100+	58.31 грн
250+	58.17 грн
500+	46.43 грн
1000+	42.67 грн
3000+	37.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ138EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 330A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4715 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 28243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.43 грн
10+	80.92 грн
100+	57.25 грн
500+	43.81 грн
1000+	40.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ138EP-T1_JE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2779 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.04 грн
10+	79.30 грн
100+	44.65 грн
500+	34.41 грн
1000+	32.09 грн
3000+	27.17 грн
9000+	26.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ140ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 0.0017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 20834 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	130.63 грн
10+	86.82 грн
100+	62.77 грн
500+	42.46 грн
1000+	35.44 грн
5000+	31.75 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ140ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.26 грн
6000+	40.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ140ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 0.0017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 263W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 20834 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.77 грн
500+	42.46 грн
1000+	35.44 грн
5000+	31.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ140ELP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 32212 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.26 грн
10+	83.23 грн
100+	48.61 грн
500+	38.51 грн
1000+	35.84 грн
3000+	30.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ140ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.46 грн
10+	89.79 грн
100+	70.02 грн
500+	54.28 грн
1000+	42.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ140EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ140EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 8150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.65 грн
500+	41.94 грн
1000+	35.91 грн
5000+	31.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ140EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 62630 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.11 грн
10+	84.80 грн
100+	54.83 грн
250+	54.76 грн
500+	43.56 грн
1000+	39.53 грн
3000+	35.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ140EP-T1_GE3

на замовлення 8150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	113.11 грн
10+	86.82 грн
100+	61.65 грн
500+	41.94 грн
1000+	35.91 грн
5000+	31.82 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQJ141ELP-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.51 грн
10+	99.72 грн
100+	59.33 грн
500+	49.23 грн
1000+	47.18 грн
3000+	40.08 грн
6000+	39.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ142ELP

Trans MOSFET N-CH 40V 175A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ142ELP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 175A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.55 грн
10+	65.61 грн
100+	50.87 грн
500+	37.63 грн
1000+	34.30 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ142ELP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 175A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3015 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ142ELP-T1_GE3

MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)

на замовлення 16625 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.77 грн
10+	69.80 грн
100+	45.95 грн
500+	36.80 грн
1000+	31.75 грн
3000+	29.22 грн
6000+	28.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ142EP-T1-GE3-J

Vishay MOSFET 40V NCH 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ142EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ142EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 167A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 167A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	76.81 грн
10+	60.43 грн
100+	47.03 грн
500+	37.40 грн
1000+	30.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ142EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ142EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 167 A, 3600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 167A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 191W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.26 грн
500+	30.18 грн
1000+	25.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ142EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 167A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 167A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ142EP-T1_GE3

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	77.19 грн
16+	52.97 грн
100+	41.26 грн
500+	30.18 грн
1000+	25.26 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQJ142EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 167A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ142EP-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 36761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	79.66 грн
10+	64.62 грн
100+	43.76 грн
500+	37.07 грн
1000+	30.25 грн
3000+	28.47 грн
6000+	28.20 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ142EP-T1_JE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2562 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.37 грн
10+	62.19 грн
100+	35.84 грн
500+	28.33 грн
1000+	26.42 грн
3000+	22.39 грн
6000+	21.10 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ144EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ144EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	71.13 грн
17+	47.24 грн
100+	35.84 грн
500+	26.70 грн
1000+	22.39 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SQJ144EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 130A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V

на замовлення 5980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.27 грн
10+	64.57 грн
100+	50.35 грн
500+	39.03 грн
1000+	30.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ144EP-T1_GE3

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.84 грн
500+	26.70 грн
1000+	22.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ144EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 130A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V

на замовлення 5980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ144EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 20866 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.90 грн
10+	55.59 грн
100+	37.62 грн
500+	31.88 грн
1000+	25.94 грн
3000+	24.03 грн
6000+	23.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ146ELP

Trans MOSFET N-CH 40V 88A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ146ELP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ146ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ146ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 88 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 14967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	91.60 грн
14+	57.43 грн
100+	38.08 грн
500+	25.44 грн
1000+	21.30 грн
5000+	19.53 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ146ELP-T1_GE3

MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)

на замовлення 32922 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.39 грн
10+	56.53 грн
100+	34.55 грн
500+	27.65 грн
1000+	24.58 грн
3000+	21.10 грн
6000+	20.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ146ELP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ146ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ146ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 88 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 14967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.08 грн
500+	25.44 грн
1000+	21.30 грн
5000+	19.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ146EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 31362 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.65 грн
10+	52.84 грн
100+	30.86 грн
500+	24.10 грн
1000+	21.85 грн
3000+	18.98 грн
6000+	18.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ146EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ146EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.29 грн
10+	54.96 грн
100+	42.13 грн
500+	31.26 грн
1000+	25.00 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ146EP-T1_JE3

Description: VISHAY - SQJ146EP-T1_JE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 7000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	98.77 грн
13+	62.21 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ146EP-T1_JE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.21 грн
10+	55.12 грн
100+	31.68 грн
500+	26.08 грн
1000+	23.28 грн
3000+	19.73 грн
6000+	18.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	98.77 грн
50+	71.93 грн
100+	48.59 грн
500+	35.43 грн
1500+	29.84 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

195+	66.53 грн
197+	65.86 грн
202+	64.34 грн
259+	48.23 грн
262+	44.21 грн

Мінімальне замовлення: 195

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.98 грн
6000+	23.25 грн
9000+	22.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 101102 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.19 грн
3000+	24.51 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 28711 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.32 грн
10+	59.91 грн
100+	39.90 грн
500+	29.38 грн
1000+	26.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ147ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 183W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.86 грн
500+	36.39 грн
1500+	30.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	86.90 грн
11+	71.28 грн
25+	70.57 грн
50+	66.48 грн
100+	47.85 грн
250+	45.48 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ148EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.85 грн
10+	39.05 грн
100+	27.04 грн
500+	21.20 грн
1000+	18.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ148EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.78 грн
6000+	16.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ148EP-T1_GE3

MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ150EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 10960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.78 грн
10+	49.54 грн
100+	31.13 грн
500+	25.94 грн
1000+	22.19 грн
3000+	19.25 грн
6000+	18.30 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ150EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 66A PPAK SO-8

на замовлення 3048 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ152ELP

Trans MOSFET N-CH 40V 123A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ152ELP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 123A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	102.93 грн
10+	62.35 грн
100+	41.37 грн
500+	30.34 грн
1000+	27.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ152ELP-T1_GE3

MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)

на замовлення 8361 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.84 грн
10+	54.88 грн
100+	32.29 грн
500+	27.99 грн
1000+	23.96 грн
3000+	22.12 грн
6000+	21.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ152ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 123 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	84.43 грн
15+	56.87 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQJ152ELP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 123A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.72 грн
6000+	23.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ152ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 123 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ152EP-T1_GE3

Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In PressFit 400V 1500uF 18K Hrs Life 5pin

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ154EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 243A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.65 грн
10+	63.54 грн
100+	49.42 грн
500+	39.31 грн
1000+	32.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ154EP-T1_GE3

MOSFETs

на замовлення 11557 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.08 грн
10+	77.58 грн
100+	45.54 грн
500+	36.12 грн
1000+	33.11 грн
3000+	29.77 грн
6000+	28.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ154EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ154EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 243 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 243A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 14123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	94.79 грн
11+	73.04 грн
100+	52.89 грн
500+	41.64 грн
1000+	29.50 грн
5000+	27.79 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ154EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 243A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ154EP-T1_GE3

на замовлення 14123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.89 грн
500+	41.64 грн
1000+	29.50 грн
5000+	27.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ158EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.16 грн
10+	41.27 грн
100+	28.58 грн
500+	22.41 грн
1000+	19.07 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ158EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ158EP-T1_GE3

MOSFETs N-Channel 60V PowerPAK SO-8L

на замовлення 70527 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.08 грн
10+	46.40 грн
100+	27.58 грн
250+	27.24 грн
500+	22.74 грн
1000+	20.00 грн
3000+	15.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ160EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6697 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ160EP-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C AEC-Q101

на замовлення 2737 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.80 грн
10+	112.28 грн
100+	81.25 грн
3000+	68.28 грн
6000+	67.32 грн
9000+	66.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ160EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6697 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.51 грн
10+	102.22 грн
100+	81.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ161ELP-T1_GE3

MOSFETs Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	164.09 грн
10+	103.64 грн
100+	62.27 грн
500+	52.57 грн
1000+	45.88 грн
3000+	38.92 грн
9000+	38.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ162EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ162EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 166 A, 0.005 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	117.89 грн
10+	81.25 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ162EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3930 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ162EP-T1_GE3

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ162EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 4830 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.89 грн
10+	80.09 грн
100+	51.34 грн
500+	40.69 грн
1000+	36.60 грн
3000+	33.73 грн
6000+	31.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ162EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3930 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.43 грн
10+	79.44 грн
100+	54.02 грн
500+	41.62 грн
1000+	38.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ164ELP

Trans MOSFET N-CH 60V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ164ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.72 грн
10+	71.82 грн
100+	55.97 грн
500+	43.39 грн
1000+	34.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ164ELP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 23127 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	106.74 грн
10+	69.57 грн
100+	42.40 грн
500+	33.39 грн
1000+	30.52 грн
3000+	29.50 грн
24000+	25.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ164ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ164ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ164ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ164ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ164ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ166ELP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1435 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.76 грн
10+	63.91 грн
100+	36.87 грн
500+	29.15 грн
1000+	28.33 грн
3000+	24.10 грн
6000+	21.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ168ELP

SQJ168ELP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ168ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.91 грн
10+	49.56 грн
100+	34.31 грн
500+	26.90 грн
1000+	22.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ168ELP-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.01 грн
10+	54.33 грн
100+	32.23 грн
500+	28.95 грн
3000+	24.58 грн
6000+	24.10 грн
9000+	23.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ168ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.56 грн
6000+	20.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ170ELP-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 10289 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.03 грн
10+	61.95 грн
100+	41.92 грн
500+	40.35 грн
3000+	34.21 грн
6000+	33.59 грн
9000+	32.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ170ELP-T1_GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 25 V

на замовлення 4001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.72 грн
10+	71.97 грн
100+	56.10 грн
500+	43.49 грн
1000+	34.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ170ELP-T1_GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ174EP-T1/GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ174EP-T1_GE3

MOSFETs PowerPAK SO-8L BWL

на замовлення 2804 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	184.80 грн
10+	121.70 грн
100+	75.10 грн
500+	60.15 грн
1000+	55.37 грн
3000+	51.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ174EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ174EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 0.00235 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 293A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00235ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	86.03 грн
500+	58.28 грн
1000+	49.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ174EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.21 грн
10+	108.14 грн
100+	75.06 грн
500+	56.62 грн
1000+	56.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ174EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ174EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 0.00235 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 293A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	190.38 грн
10+	124.26 грн
100+	86.03 грн
500+	58.28 грн
1000+	49.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ174EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	51.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ174EP-T2-GE3

Vishay MOSFET 60V NCH 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ180EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ180EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 248 A, 0.0025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	156.92 грн
10+	117.09 грн
100+	93.20 грн
500+	72.63 грн
1000+	57.35 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ180EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 10897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.12 грн
10+	114.64 грн
100+	79.20 грн
500+	66.71 грн
1000+	57.01 грн
3000+	53.05 грн
6000+	51.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ180EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ180EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 248 A, 0.0025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	93.20 грн
500+	72.63 грн
1000+	57.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ182EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 31753 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	157.72 грн
10+	99.72 грн
100+	59.33 грн
500+	47.25 грн
1000+	45.06 грн
3000+	38.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ182EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5392 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ182EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ182EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 210 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	168.87 грн
10+	113.11 грн
100+	76.95 грн
500+	56.95 грн
1000+	49.70 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ182EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5392 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.23 грн
10+	84.76 грн
100+	66.15 грн
500+	49.60 грн
1000+	45.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ182EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ182EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 210 A, 0.005 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 395W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	76.95 грн
500+	56.95 грн
1000+	49.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ184EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ184EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 7500 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	126.65 грн
10+	82.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ184EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3478 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ184EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ184EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 7500 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ184EP-T1_GE3

MOSFET

на замовлення 4655 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.03 грн
10+	69.33 грн
100+	46.91 грн
500+	39.74 грн
1000+	34.00 грн
3000+	28.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ184EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3478 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.94 грн
10+	79.73 грн
100+	62.16 грн
500+	48.19 грн
1000+	38.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ185ELP-T1/GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ185ELP-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 6876 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.79 грн
10+	89.51 грн
100+	53.66 грн
500+	45.54 грн
1000+	41.31 грн
3000+	35.03 грн
6000+	33.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP

Trans MOSFET N-CH 80V 66A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP

Trans MOSFET N-CH 80V 66A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	57.01 грн
15+	52.70 грн
25+	51.66 грн
50+	45.40 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSF

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

1+	411.02 грн
10+	363.53 грн
100+	259.45 грн
500+	220.53 грн
1000+	186.39 грн
2000+	168.64 грн

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP-T1/GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2325 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.98 грн
10+	49.63 грн
100+	38.62 грн
500+	30.72 грн
1000+	25.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ186ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	96.38 грн
13+	65.87 грн
100+	42.06 грн
500+	31.36 грн
1000+	26.63 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2325 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80V D-S 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL , 12.5 mO 10V

на замовлення 5233 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.39 грн
10+	54.57 грн
100+	36.94 грн
500+	31.27 грн
1000+	28.27 грн
3000+	24.03 грн
6000+	22.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELP-T1_GE3

на замовлення 3390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.06 грн
500+	31.36 грн
1000+	26.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ186ELR-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 4940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.86 грн
10+	78.36 грн
100+	45.74 грн
500+	37.48 грн
1000+	32.84 грн
2500+	30.18 грн
5000+	27.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ186EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2531 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.43 грн
10+	56.36 грн
100+	43.83 грн
500+	34.87 грн
1000+	28.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ186EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 135W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 9433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.82 грн
500+	34.69 грн
1000+	28.68 грн
5000+	26.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ186EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ186EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 25023 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.90 грн
10+	55.35 грн
100+	41.92 грн
500+	35.57 грн
1000+	28.95 грн
3000+	27.17 грн
6000+	25.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ186EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 9433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.74 грн
13+	64.04 грн
100+	50.82 грн
500+	34.69 грн
1000+	28.68 грн
5000+	26.22 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQJ190ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ190ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.6 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.82 грн
500+	23.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ190ELP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 4899 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.65 грн
10+	44.68 грн
100+	25.33 грн
500+	19.53 грн
1000+	18.84 грн
3000+	16.04 грн
6000+	14.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ190ELP-T1_GE3

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	80.45 грн
16+	50.42 грн
100+	32.82 грн
500+	23.52 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQJ200EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ200EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 60 A, 60 A, 3100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3100µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3100µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.57 грн
500+	32.03 грн
1000+	26.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ200EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.94 грн
10+	79.81 грн
100+	62.25 грн
500+	48.26 грн
1000+	38.10 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ200EP-T1_GE3

на замовлення 2478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	101.96 грн
13+	65.08 грн
100+	43.57 грн
500+	32.03 грн
1000+	26.97 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQJ200EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ200EP-T1_GE3

MOSFETs Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2773 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.47 грн
10+	76.95 грн
100+	44.86 грн
500+	36.73 грн
1000+	32.16 грн
3000+	29.56 грн
6000+	26.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ202EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ202EP-T1_GE3

MOSFETs Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.01 грн
10+	86.37 грн
100+	50.73 грн
500+	40.28 грн
1000+	37.14 грн
3000+	32.64 грн
6000+	32.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ202EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.09 грн
10+	78.11 грн
100+	60.78 грн
500+	48.35 грн
1000+	39.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ202EP-T2_GE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFETS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ202EP-T2_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V, 2525pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, 3.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 54nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.77 грн
6000+	33.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ202EP-T2_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V, 2525pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V, 3.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 54nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.49 грн
10+	84.47 грн
100+	56.84 грн
500+	42.24 грн
1000+	38.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ204EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.88 грн
10+	81.66 грн
100+	55.19 грн
500+	41.16 грн
1000+	38.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ204EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ204EP-T1_GE3

MOSFETs 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.40 грн
10+	87.94 грн
100+	51.41 грн
500+	40.90 грн
1000+	37.82 грн
3000+	32.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ208EP-T1/GE3-X

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ208EP-T1_GE3

Description: MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ208EP-T1_GE3

Description: MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ208EP-T1_GE3

MOSFETs Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L

на замовлення 71325 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.58 грн
10+	89.51 грн
100+	53.39 грн
500+	45.20 грн
1000+	39.26 грн
3000+	38.44 грн
6000+	37.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 751 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

168+	77.33 грн
169+	76.56 грн
204+	63.67 грн
250+	60.78 грн
500+	45.40 грн

Мінімальне замовлення: 168

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ211ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.6 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.17 грн
500+	53.40 грн
1000+	46.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 751 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	90.14 грн
10+	82.86 грн
25+	82.03 грн
100+	65.78 грн
250+	60.30 грн
500+	46.70 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.10 грн
10+	87.28 грн
100+	59.16 грн
500+	44.22 грн
1000+	42.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

на замовлення 4252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.01 грн
10+	100.37 грн
100+	72.17 грн
500+	53.40 грн
1000+	46.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 7711 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.06 грн
10+	87.15 грн
100+	54.35 грн
500+	43.36 грн
1000+	40.56 грн
3000+	35.23 грн
6000+	35.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	49.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	52.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 33.6A T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.81 грн
6000+	36.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-T1_GE3
Код товару: 214086

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ211ELP-X

Vishay General Semiconductor

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ244EP-T1_BE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFETS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ244EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ244EP-T1_GE3

MOSFETs 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 8708 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.40 грн
10+	87.94 грн
100+	51.41 грн
500+	40.90 грн
1000+	38.51 грн
3000+	33.11 грн
9000+	32.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ244EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.88 грн
10+	81.66 грн
100+	55.19 грн
500+	41.16 грн
1000+	38.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ260EP-T1-BE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ260EP-T1/GE3-X

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ260EP-T1_BE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ260EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ260EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, TrenchFET®, n-Kanal, 60 V, 60 V, 54 A, 54 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4764 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	51.30 грн
500+	37.87 грн
1000+	32.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ260EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ260EP-T1_GE3

на замовлення 4764 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	119.48 грн
11+	76.55 грн
100+	51.30 грн
500+	37.87 грн
1000+	32.98 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ260EP-T1_GE3

MOSFETs Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3419 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.40 грн
10+	87.94 грн
100+	51.41 грн
500+	40.90 грн
1000+	37.82 грн
3000+	36.94 грн
6000+	32.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ260EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6A, 10V, 8.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.22 грн
10+	74.78 грн
100+	52.73 грн
500+	40.24 грн
1000+	37.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ262EP-T1-BE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ262EP-T1/GE3-X

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ262EP-T1_BE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ262EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.53 грн
10+	69.75 грн
100+	49.06 грн
500+	37.35 грн
1000+	34.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ262EP-T1_GE3

MOSFETs Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5552 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.84 грн
10+	82.44 грн
100+	48.00 грн
500+	37.96 грн
1000+	35.23 грн
3000+	29.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ262EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ262EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0126 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0126ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0126ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.56 грн
500+	38.24 грн
1000+	32.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ262EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ262EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ262EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.0126 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0126ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0126ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	131.43 грн
10+	84.43 грн
100+	56.56 грн
500+	38.24 грн
1000+	32.77 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ264EP

Trans MOSFET N-CH 60V 20A/54A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ264EP-T1/GE3-X

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ264EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V, 2100pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V, 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.88 грн
10+	86.98 грн
100+	61.66 грн
500+	47.32 грн
1000+	43.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ264EP-T1_GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

на замовлення 2989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.21 грн
10+	94.22 грн
100+	57.90 грн
500+	47.38 грн
1000+	43.97 грн
3000+	42.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ264EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V, 2100pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V, 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ401EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10015 pF @ 6 V

на замовлення 2914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	149.78 грн
10+	119.60 грн
100+	95.19 грн
500+	75.58 грн
1000+	64.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ401EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10015 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ401EP-T1_GE3

MOSFETs P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 30480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	188.78 грн
10+	120.92 грн
100+	72.37 грн
500+	63.43 грн
1000+	59.88 грн
3000+	51.55 грн
6000+	49.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ401EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ401EP-T2_GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQJ4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1"GE3

Description: VISHAY - SQJ402EP-T1"GE3 - N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9936

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2720 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	112.31 грн
10+	91.87 грн
100+	64.11 грн
250+	58.65 грн
500+	54.14 грн
3000+	45.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2286 pF @ 25 V

на замовлення 6949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.00 грн
10+	85.06 грн
100+	67.66 грн
500+	53.73 грн
1000+	45.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2286 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	47.93 грн
6000+	44.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	48.12 грн
6000+	44.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ402EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 13671 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	95.59 грн
10+	80.45 грн
100+	69.78 грн
500+	48.89 грн
1000+	43.76 грн
5000+	36.80 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	85.51 грн
159+	81.68 грн
250+	78.40 грн
500+	72.87 грн

Мінімальне замовлення: 152

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_GE3
Код товару: 155826

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	82.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_GE3

на замовлення 13671 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.78 грн
500+	48.89 грн
1000+	43.76 грн
5000+	36.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_GE3

MOSFETs 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

на замовлення 23618 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.11 грн
10+	84.01 грн
100+	59.33 грн
500+	47.11 грн
1000+	45.06 грн
3000+	38.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.97 грн
10+	88.09 грн
100+	70.35 грн
500+	53.25 грн
1000+	48.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ402EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	95.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ403BEEP-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 25812 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	45.88 грн
3000+	45.23 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ403BEEP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ403BEEP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ403BEEP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2673 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.10 грн
10+	87.58 грн
100+	59.39 грн
500+	44.40 грн
1000+	42.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ403BEEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

218+	59.50 грн

Мінімальне замовлення: 218

В кошику од. на суму грн.

SQJ403BEEP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.10 грн
10+	87.58 грн
100+	59.39 грн
500+	44.40 грн
1000+	42.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ403BEEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ403BEEP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ403BEEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	82.72 грн
10+	75.98 грн
25+	75.65 грн
100+	64.62 грн
250+	59.53 грн
500+	52.16 грн
1000+	49.54 грн
3000+	46.93 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ403BEEP-T1_GE3

MOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.14 грн
10+	86.37 грн
100+	43.97 грн
500+	42.88 грн
1000+	40.76 грн
3000+	35.37 грн
6000+	35.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ403EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3652 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	140.56 грн
10+	93.71 грн
100+	71.00 грн
500+	53.25 грн
1000+	48.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ403EP-T1_GE3

MOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 21657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.18 грн
10+	98.93 грн
100+	59.33 грн
500+	47.11 грн
1000+	44.24 грн
3000+	40.15 грн
6000+	39.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ403EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	50.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ403EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1-BE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.62 грн
10+	79.00 грн
100+	61.41 грн
500+	48.85 грн
1000+	39.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	80.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

MOSFETs -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 49896 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.40 грн
10+	87.94 грн
100+	51.41 грн
500+	40.83 грн
1000+	37.82 грн
3000+	32.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	81.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ407EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0036 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm

на замовлення 11895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.31 грн
500+	52.96 грн
1000+	37.55 грн
5000+	35.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	105.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO SQJ407EP-T1_GE3 Vishay Siliconix TSQJ407ep
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	76.26 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	58.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3505 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.07 грн
10+	79.96 грн
100+	56.93 грн
500+	42.45 грн
1000+	39.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

на замовлення 11895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	120.28 грн
10+	91.60 грн
100+	67.31 грн
500+	52.96 грн
1000+	37.55 грн
5000+	35.44 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ407EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	52.61 грн
6000+	50.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1-BE3

MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 6279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.14 грн
10+	85.58 грн
100+	58.03 грн
500+	49.23 грн
1000+	40.08 грн
2500+	38.78 грн
5000+	35.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V

на замовлення 2690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.61 грн
10+	86.98 грн
100+	67.65 грн
500+	53.81 грн
1000+	43.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 83000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

250+	51.81 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.19 грн
10+	83.14 грн
100+	56.18 грн
500+	41.91 грн
1000+	39.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 83000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	130.09 грн
10+	105.73 грн
100+	81.88 грн
500+	66.46 грн
1000+	49.78 грн
3000+	44.23 грн
6000+	41.83 грн
9000+	40.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	81.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ409EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 46038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.83 грн
500+	49.34 грн
1500+	42.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	52.88 грн
6000+	50.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	59.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ409EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 46038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	144.18 грн
50+	99.57 грн
100+	66.83 грн
500+	49.34 грн
1500+	42.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T1_GE3

MOSFET -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 73364 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	106.74 грн
10+	86.37 грн
100+	58.03 грн
500+	49.23 грн
1000+	40.08 грн
3000+	37.69 грн
6000+	36.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T2/GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T2_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 37759 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.17 грн
10+	42.24 грн
3000+	36.73 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T2_GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 16249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.84 грн
10+	80.55 грн
100+	57.23 грн
500+	44.93 грн
1000+	40.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T2_GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.34 грн
6000+	35.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ409EP-T2_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ410EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8

на замовлення 2785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ410EP-T1_GE3

MOSFETs N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 25831 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	223.03 грн
10+	142.12 грн
100+	91.49 грн
500+	76.47 грн
1000+	73.74 грн
3000+	62.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ410EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ411EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ411EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ411EP-T1_GE3

MOSFETs -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3123 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.86 грн
10+	81.66 грн
100+	49.23 грн
500+	39.05 грн
1000+	35.57 грн
3000+	32.43 грн
6000+	30.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ411EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ411EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 6 V

на замовлення 2994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.64 грн
10+	71.15 грн
100+	55.31 грн
500+	44.00 грн
1000+	35.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ412EP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ412EP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

на замовлення 1253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ412EP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

на замовлення 1253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ412EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	76.04 грн
6000+	70.47 грн
9000+	68.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ412EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 24798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.98 грн
10+	134.91 грн
100+	107.36 грн
500+	85.25 грн
1000+	72.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ412EP-T1_GE3

MOSFET 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5758 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	174.44 грн
10+	142.12 грн
100+	99.00 грн
250+	91.49 грн
500+	82.61 грн
1000+	71.01 грн
3000+	66.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ412EP-T2_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ412EP-T2_GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQJ422EP-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ414EP-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.39 грн
10+	58.34 грн
100+	34.62 грн
500+	28.88 грн
1000+	23.21 грн
3000+	21.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ414EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.17 грн
10+	56.07 грн
100+	37.12 грн
500+	27.18 грн
1000+	24.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ414EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ414EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ414EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	92.40 грн
14+	57.75 грн
100+	39.11 грн
500+	26.78 грн
1000+	21.85 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ414EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ414EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ414EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ414EP-T1_GE3

MOSFET Dual N-Ch 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.39 грн
10+	57.40 грн
100+	34.62 грн
500+	28.88 грн
1000+	24.65 грн
3000+	21.85 грн
6000+	21.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ414EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ414EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0098 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.01 грн
500+	28.62 грн
1000+	24.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ414EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ414EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_BE3

MOSFETs PowerPAK SO-8L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 30A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.59 грн
10+	53.26 грн
100+	41.44 грн
500+	32.96 грн
1000+	26.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ415EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.014 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	77.90 грн
15+	54.88 грн
100+	42.85 грн
500+	34.62 грн
1000+	27.52 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

396+	32.72 грн
398+	32.56 грн
400+	32.42 грн
401+	31.11 грн
500+	28.67 грн
1000+	27.39 грн

Мінімальне замовлення: 396

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_GE3

MOSFETs -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 6118 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.84 грн
10+	51.27 грн
100+	34.82 грн
500+	30.31 грн
1000+	26.08 грн
3000+	24.44 грн
6000+	23.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_GE3

на замовлення 2717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.85 грн
500+	34.62 грн
1000+	27.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.75 грн
10+	45.86 грн
100+	36.70 грн
500+	29.63 грн
1000+	27.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ415EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	35.21 грн
22+	35.06 грн
25+	34.89 грн
100+	33.49 грн
250+	30.86 грн
500+	29.49 грн
1000+	29.35 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

SQJ416EP-T1-BE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ416EP-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ416EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ416EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ416EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.20 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ416EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ416EP-T1_GE3

MOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 119238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.72 грн
3000+	24.10 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SQJ416EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ416EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 27A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T1
Код товару: 147924

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.88 грн
10+	62.87 грн
100+	48.93 грн
500+	38.92 грн
1000+	31.70 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.02 грн
6000+	30.29 грн
9000+	28.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ418EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 48 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 48
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T1_GE3

MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 48576 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.43 грн
10+	67.92 грн
100+	45.95 грн
500+	38.99 грн
1000+	31.75 грн
3000+	29.84 грн
6000+	29.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 48A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.88 грн
10+	62.87 грн
100+	48.93 грн
500+	38.92 грн
1000+	31.70 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 48A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T2_GE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ418EP-T2_GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ420EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ420EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5774 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.91 грн
10+	46.82 грн
100+	36.44 грн
500+	28.98 грн
1000+	23.61 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ420EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.91 грн
10+	46.82 грн
100+	36.44 грн
500+	28.98 грн
1000+	23.61 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ420EP-T1_GE3

MOSFETs 40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 27891 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.54 грн
10+	51.90 грн
100+	31.48 грн
500+	27.31 грн
1000+	23.35 грн
3000+	21.51 грн
6000+	20.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ420EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 9360 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.45 грн
10+	95.01 грн
100+	57.69 грн
500+	46.02 грн
1000+	43.70 грн
3000+	37.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V

на замовлення 8873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.98 грн
10+	91.27 грн
100+	70.98 грн
500+	56.46 грн
1000+	45.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	47.91 грн
6000+	43.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 75A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ422EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	80.45 грн
500+	60.06 грн
1000+	53.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 5568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

185+	70.11 грн

Мінімальне замовлення: 185

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.20 грн
10+	109.91 грн
100+	75.02 грн
500+	56.38 грн
1000+	51.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_GE3

MOSFETs -40V 75A 83W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 10123 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.36 грн
10+	98.93 грн
100+	62.27 грн
500+	49.84 грн
1000+	46.43 грн
3000+	41.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ422EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 3400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	160.90 грн
10+	109.92 грн
100+	80.45 грн
500+	60.06 грн
1000+	53.60 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	51.08 грн
6000+	48.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ422EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 5568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	147.15 грн
10+	122.03 грн
25+	121.84 грн
50+	115.28 грн
100+	87.76 грн
250+	77.89 грн
500+	66.67 грн
1000+	56.63 грн
3000+	55.30 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ423EP-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.26 грн
10+	64.31 грн
100+	43.49 грн
500+	29.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ423EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 55A T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ423EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.62 грн
6000+	29.00 грн
9000+	27.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ423EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17269 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	76.81 грн
10+	60.21 грн
100+	46.83 грн
500+	37.26 грн
1000+	30.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ423EP-T1_GE3

MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 111632 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	79.66 грн
10+	64.38 грн
100+	43.56 грн
500+	36.94 грн
1000+	30.11 грн
3000+	28.33 грн
6000+	26.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1-BE3

MOSFET P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_BE3

MOSFETs PowerPAK SO-8L

на замовлення 2560 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.38 грн
10+	98.15 грн
100+	61.04 грн
500+	48.61 грн
1000+	46.77 грн
3000+	40.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	156.69 грн
10+	96.97 грн
100+	66.10 грн
500+	49.64 грн
1000+	48.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	156.69 грн
10+	96.97 грн
100+	66.10 грн
500+	49.64 грн
1000+	48.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	68.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	72.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ431AEP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 9.4 A, 0.305 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	81.25 грн
500+	59.84 грн
1000+	51.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_GE3

MOSFETs -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 31149 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	161.70 грн
10+	102.86 грн
100+	61.04 грн
500+	48.61 грн
1000+	45.06 грн
3000+	40.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 9.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	63.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T1_GE3

на замовлення 4404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	178.43 грн
10+	118.69 грн
100+	81.25 грн
500+	59.84 грн
1000+	51.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ431AEP-T2-GE3

Vishay MOSFET 200V PCH 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ431EP-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ431EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 12 A, 0.213 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.213ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 25085 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	167.28 грн
10+	121.87 грн
100+	83.64 грн
500+	62.65 грн
1000+	53.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.08 грн
10+	113.17 грн
100+	82.05 грн
500+	62.00 грн
1000+	57.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1_GE3

SQJ431EP-T1-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 2499 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	169.93 грн
14+	89.74 грн
36+	84.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	91.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1_GE3

MOSFETs -200v -12A 83W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 38789 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	182.41 грн
10+	118.56 грн
100+	71.01 грн
500+	57.35 грн
1000+	53.05 грн
3000+	48.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	76.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	56.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1_GE3

на замовлення 25085 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	83.64 грн
500+	62.65 грн
1000+	53.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	111.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T2_GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQJ4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EP-T2_GE3

Description: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ431EPT1-GE3

на замовлення 170 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ433EP-T1-BE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ433EP-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ433EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4877 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ433EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4877 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.24 грн
10+	75.00 грн
100+	58.30 грн
500+	46.38 грн
1000+	37.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ433EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ433EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4877 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.03 грн
10+	85.58 грн
100+	57.76 грн
500+	43.00 грн
1000+	39.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ433EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4877 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ433EP-T1_GE3

MOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2823 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.37 грн
10+	80.87 грн
100+	54.76 грн
500+	46.43 грн
1000+	37.76 грн
3000+	35.57 грн
6000+	33.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ443AEP-T1-BE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ443AEP-T1-GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ443AEP-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2173 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.03 грн
10+	52.61 грн
100+	30.11 грн
500+	23.90 грн
1000+	22.87 грн
3000+	19.46 грн
6000+	17.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQJ443EP-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.71 грн
10+	73.67 грн
100+	57.29 грн
500+	45.57 грн
1000+	37.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 40A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 26280 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	40.39 грн
3000+	39.81 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	49.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	61.69 грн
13+	57.82 грн
25+	57.61 грн
100+	50.81 грн
250+	46.58 грн
500+	43.01 грн
1000+	41.29 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_GE3

MOSFETs P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 58102 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.41 грн
10+	59.20 грн
100+	44.52 грн
500+	40.97 грн
1000+	36.60 грн
3000+	33.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.71 грн
10+	73.67 грн
100+	57.29 грн
500+	45.57 грн
1000+	37.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

288+	44.97 грн

Мінімальне замовлення: 288

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T2_GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.37 грн
6000+	27.85 грн
9000+	26.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T2_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 40A Automotive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T2_GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.68 грн
10+	69.53 грн
100+	46.45 грн
500+	34.32 грн
1000+	31.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ443EP-T2_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2874 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.54 грн
10+	63.60 грн
100+	43.08 грн
500+	36.46 грн
1000+	29.36 грн
3000+	28.68 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ444EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.05 грн
6000+	33.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ444EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.87 грн
10+	70.56 грн
100+	54.89 грн
500+	43.66 грн
1000+	35.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ444EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3878 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.87 грн
10+	70.56 грн
100+	54.89 грн
500+	43.66 грн
1000+	35.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ444EP-T1_GE3

MOSFETs N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 47713 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.45 грн
10+	66.27 грн
100+	46.22 грн
500+	40.42 грн
1000+	34.62 грн
3000+	32.57 грн
6000+	31.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ444EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

263+	49.29 грн

Мінімальне замовлення: 263

В кошику од. на суму грн.

SQJ444EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ444EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0026 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	112.31 грн
11+	78.86 грн
100+	61.49 грн
500+	44.60 грн
1000+	33.46 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQJ444EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ444EP-T1_GE3

MOSFET N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ444EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 5700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	83.31 грн
11+	73.57 грн
25+	72.77 грн
50+	69.66 грн
100+	56.33 грн
250+	53.54 грн
500+	48.28 грн
1000+	41.57 грн
3000+	38.88 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ444EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ444EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0026 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.49 грн
500+	44.60 грн
1000+	33.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ446EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.09 грн
10+	77.89 грн
100+	60.57 грн
500+	48.18 грн
1000+	39.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ446EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ446EP-T1_GE3

MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ454EP-T1_BE3

N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ454EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.90 грн
10+	75.22 грн
100+	50.61 грн
500+	37.59 грн
1000+	34.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ454EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ454EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ454EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ454EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2793 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.02 грн
500+	44.38 грн
1000+	37.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ454EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 13A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	57.49 грн
14+	54.02 грн
100+	49.74 грн
500+	44.98 грн
1000+	38.10 грн
3000+	35.55 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SQJ454EP-T1_GE3

MOSFET 200V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 17707 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.52 грн
10+	84.80 грн
100+	68.28 грн
24000+	34.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ454EP-T1_GE3

на замовлення 2793 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	115.50 грн
10+	82.04 грн
100+	59.02 грн
500+	44.38 грн
1000+	37.76 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ454EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 13A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ454EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.90 грн
10+	75.22 грн
100+	50.61 грн
500+	37.59 грн
1000+	34.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ454EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 13A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

285+	45.41 грн

Мінімальне замовлення: 285

В кошику од. на суму грн.

SQJ456EP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ456EP-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ456EP-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ456EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3342 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	351.79 грн
10+	284.10 грн
100+	229.83 грн
500+	191.72 грн
1000+	164.16 грн

В кошику од. на суму грн.

SQJ456EP-T1_GE3

MOSFETs 100V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	389.51 грн
10+	299.94 грн
100+	188.44 грн
500+	186.39 грн
1000+	167.96 грн
3000+	157.72 грн

В кошику од. на суму грн.

SQJ456EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ456EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3342 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	171.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ456EP-T2_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3342 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ456EP-T2_GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJA72EP-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ456EP-T2_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8126 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.38 грн
10+	67.38 грн
100+	44.85 грн
500+	33.00 грн
1000+	30.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_BE3

60V, 36A max P-Channel TrenchFET Power MOSFET, 25mOhm @ Vgs = 10V

на замовлення 52 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

239+	54.14 грн
296+	43.79 грн
500+	36.85 грн
1000+	32.96 грн
3000+	26.66 грн

Мінімальне замовлення: 239

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.18 грн
6000+	26.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 117077 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.93 грн
10+	51.74 грн
100+	33.32 грн
500+	27.24 грн
1000+	24.99 грн
3000+	21.98 грн
6000+	21.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	71.35 грн
13+	58.01 грн
100+	46.92 грн
500+	38.07 грн
1000+	32.69 грн
3000+	27.42 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2091 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	98.81 грн
10+	74.09 грн
25+	73.36 грн
100+	53.42 грн
250+	48.96 грн
500+	36.80 грн
1000+	26.57 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ457EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.75 грн
500+	35.36 грн
1000+	31.20 грн
5000+	29.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 81766 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.71 грн
10+	55.75 грн
100+	36.87 грн
500+	28.81 грн
1000+	24.65 грн
3000+	21.85 грн
6000+	21.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.32 грн
10+	59.69 грн
100+	39.73 грн
500+	29.24 грн
1000+	26.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

на замовлення 5785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	86.03 грн
13+	64.36 грн
100+	48.75 грн
500+	35.36 грн
1000+	31.20 грн
5000+	29.70 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2091 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

188+	69.15 грн
189+	68.47 грн
251+	51.70 грн
253+	49.35 грн
500+	35.78 грн
1000+	24.80 грн

Мінімальне замовлення: 188

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.85 грн
6000+	23.13 грн
9000+	22.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 36A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.46 грн
9000+	27.77 грн
24000+	27.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T2_GE3

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.18 грн
6000+	26.11 грн
9000+	25.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T2_GE3

на замовлення 12701 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.38 грн
10+	67.38 грн
100+	44.85 грн
500+	33.00 грн
1000+	30.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ457EP-T2_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1-BE3

MOSFETs PPAKSO8 P-CH 60V 52A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1/BE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

224+	57.78 грн
262+	49.49 грн
500+	43.37 грн
1000+	39.23 грн
3000+	34.04 грн

Мінімальне замовлення: 224

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_BE3

MOSFETs PowerPAK SO-8L

на замовлення 2221 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.37 грн
10+	71.61 грн
100+	45.27 грн
500+	36.46 грн
1000+	33.52 грн
3000+	29.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	70.79 грн
12+	61.91 грн
100+	53.03 грн
500+	44.81 грн
1000+	38.92 грн
3000+	35.01 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V

на замовлення 2938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.87 грн
10+	70.56 грн
100+	54.89 грн
500+	43.66 грн
1000+	35.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	76.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	102.95 грн
10+	87.14 грн
25+	86.27 грн
100+	76.53 грн
250+	70.13 грн
500+	52.74 грн
1000+	44.76 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 16628 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.13 грн
10+	80.87 грн
100+	50.73 грн
500+	40.28 грн
1000+	37.14 грн
3000+	32.64 грн
6000+	32.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	50.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.24 грн
6000+	33.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ459EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 52 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm

на замовлення 1963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.55 грн
500+	53.18 грн
1000+	37.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	53.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	79.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

228+	56.75 грн

Мінімальне замовлення: 228

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ459EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 52 A, 0.018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	125.86 грн
10+	95.59 грн
100+	68.42 грн
500+	50.44 грн
1000+	42.95 грн
5000+	37.76 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 30788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	130.58 грн
10+	80.25 грн
100+	54.18 грн
500+	40.38 грн
1000+	37.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T1_NE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 4220 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.23 грн
10+	84.01 грн
100+	50.11 грн
500+	42.47 грн
1000+	37.07 грн
3000+	31.41 грн
24000+	30.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T2_BE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.16 грн
10+	69.01 грн
100+	50.67 грн
500+	37.61 грн
1000+	34.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T2_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 68439 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.96 грн
10+	36.20 грн
3000+	31.48 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T2_BE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T2_BE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.58 грн
6000+	30.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T2_GE3

MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.81 грн
10+	73.73 грн
100+	49.77 грн
500+	42.19 грн
1000+	34.41 грн
3000+	33.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T2_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 52A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T2_GE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V

на замовлення 4395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.03 грн
10+	68.12 грн
100+	53.00 грн
500+	42.16 грн
1000+	34.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ459EP-T2_GE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ460AEP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2654 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.16 грн
10+	80.33 грн
100+	62.46 грн
500+	49.69 грн
1000+	40.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ460AEP-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ460AEP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2654 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ460AEP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4795 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ460AEP-T1_GE3

MOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3582 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.65 грн
10+	88.72 грн
100+	52.16 грн
500+	41.44 грн
1000+	38.44 грн
3000+	35.44 грн
6000+	33.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ460AEP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 58A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ460AEP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4795 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.95 грн
10+	83.80 грн
100+	56.68 грн
500+	42.29 грн
1000+	39.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ460EP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32A SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T1-GE3

Description: VISHAY - SQJ461EP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 83
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
SVHC: To Be Advised

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ461EP-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 30A 8-SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	259.62 грн
10+	174.78 грн
100+	126.42 грн
500+	97.12 грн
1000+	90.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T1_GE3

MOSFETs 60V 30A 83W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 7787 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.27 грн
10+	174.31 грн
100+	110.61 грн
500+	98.32 грн
1000+	90.81 грн
3000+	83.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 2787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	134.57 грн

Мінімальне замовлення: 97

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	95.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 2787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	263.74 грн
10+	222.24 грн
25+	221.32 грн
100+	172.51 грн
500+	142.44 грн
1000+	123.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T1_NE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	219.05 грн
10+	138.98 грн
100+	86.03 грн
500+	72.37 грн
1000+	66.91 грн
3000+	62.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T2_GE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V

на замовлення 5890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.03 грн
10+	111.10 грн
100+	88.46 грн
500+	70.24 грн
1000+	59.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T2_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ461EP-T2_GE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	62.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1"GE3

Description: VISHAY - SQJ463EP-T1"GE3 - MOSFET, P-CH, -40V, -30A, POWERPAK SO
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET SQ Series
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1-GE3

SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	256.35 грн
10+	218.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1-GE3

MOSFET 40V 30A 83W P-Ch Automotive

на замовлення 1377 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1-GE3

Description: VISHAY - SQJ463EP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 18
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008
SVHC: To Be Advised

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1-GE3
Код товару: 170979

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	271.91 грн
10+	172.34 грн
100+	121.47 грн
500+	103.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1_GE3

SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	90.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1_GE3

SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ463EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	148.16 грн
500+	125.00 грн
1000+	109.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1_GE3

SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1_GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ423EP-T1_GE3

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	228.61 грн
10+	190.01 грн
25+	159.77 грн
100+	133.14 грн
250+	129.72 грн
500+	118.80 грн
1000+	101.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1_GE3

SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	137.61 грн
6000+	133.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ463EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	289.94 грн
10+	209.49 грн
100+	148.16 грн
500+	125.00 грн
1000+	109.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ463EP-T1_NE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1750 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	305.08 грн
10+	195.51 грн
100+	133.14 грн
500+	111.29 грн
1000+	103.10 грн
3000+	96.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1-BE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1/BE3

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1_BE3

MOSFETs PowerPAK SO-8L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.14 грн
10+	68.20 грн
100+	45.41 грн
500+	33.45 грн
1000+	30.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.60 грн
6000+	26.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V

на замовлення 11585 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.14 грн
10+	68.20 грн
100+	45.41 грн
500+	33.45 грн
1000+	30.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1_GE3

MOSFETs N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

на замовлення 80290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.42 грн
10+	57.16 грн
100+	37.69 грн
500+	29.77 грн
1000+	27.11 грн
3000+	22.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.60 грн
6000+	26.49 грн
9000+	25.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T2_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ464EP-T2_GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ465EP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ465EP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	118.03 грн
10+	96.83 грн
100+	75.34 грн
500+	61.62 грн
1000+	47.42 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ465EP-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQJ465EP-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ465EP-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

261+	49.58 грн

Мінімальне замовлення: 261

В кошику од. на суму грн.

SQJ465EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.07 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 13599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	90.81 грн
50+	78.54 грн
100+	66.27 грн
500+	42.53 грн
1500+	38.51 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ465EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.64 грн
10+	71.45 грн
100+	55.57 грн
500+	44.20 грн
1000+	36.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ465EP-T1_GE3

MOSFET -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 42662 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.79 грн
10+	76.71 грн
100+	51.89 грн
500+	43.97 грн
1000+	35.84 грн
3000+	33.66 грн
6000+	32.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ465EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ465EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.07 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm

на замовлення 13967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.54 грн
500+	47.63 грн
1000+	38.85 грн
5000+	33.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ465EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.51 грн
6000+	34.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ465EP-T1_GE3

SQJ465EP-T1-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 2785 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	107.27 грн
16+	75.94 грн
43+	71.99 грн
250+	71.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ469EP-T1_GE3

MOSFETs 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 31388 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	242.95 грн
10+	171.17 грн
25+	133.82 грн
100+	114.02 грн
250+	105.14 грн
500+	98.32 грн
1000+	90.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ469EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ469EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ469EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 24416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	209.49 грн
50+	166.48 грн
100+	124.26 грн
500+	102.81 грн
1500+	91.49 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ469EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	140.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ469EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9542 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	258.08 грн
10+	163.24 грн
100+	114.53 грн
500+	95.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ469EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ469EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ469EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 24416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	124.26 грн
500+	102.81 грн
1500+	91.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ469EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	86.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ474EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.40 грн
6000+	25.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ474EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.06 грн
10+	52.22 грн
100+	40.60 грн
500+	32.29 грн
1000+	26.30 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ474EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.09 грн
6000+	23.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ474EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ474EP-T1_GE3

MOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.43 грн
10+	55.98 грн
100+	36.94 грн
500+	30.45 грн
1000+	25.54 грн
3000+	22.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ474EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 26240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.42 грн
10+	52.89 грн
100+	36.79 грн
500+	27.75 грн
1000+	25.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ474EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ474EP-T2_GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ474EP-T2_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

на замовлення 2812 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.75 грн
10+	53.11 грн
100+	36.81 грн
500+	28.87 грн
1000+	24.56 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.01 грн
10+	57.55 грн
100+	33.86 грн
500+	26.70 грн
1000+	24.44 грн
3000+	22.26 грн
6000+	20.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 1303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

316+	41.03 грн
317+	40.87 грн
383+	33.79 грн
386+	32.39 грн
500+	26.55 грн
1000+	23.98 грн

Мінімальне замовлення: 316

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.22 грн
6000+	20.72 грн
9000+	20.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ476EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 13250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	87.62 грн
15+	56.56 грн
100+	38.79 грн
500+	28.70 грн
1000+	23.96 грн
5000+	21.44 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.91 грн
6000+	27.00 грн
9000+	26.14 грн
24000+	25.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_GE3

MOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 14637 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	23.48 грн
3000+	20.41 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 1303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	52.58 грн
17+	43.96 грн
25+	43.79 грн
100+	34.91 грн
250+	32.13 грн
500+	27.31 грн
1000+	25.69 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.27 грн
10+	50.37 грн
100+	34.56 грн
500+	26.43 грн
1000+	24.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.08 грн
6000+	25.23 грн
9000+	24.42 грн
24000+	23.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ476EP-T1_GE3

на замовлення 13250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.79 грн
500+	28.70 грн
1000+	23.96 грн
5000+	21.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 215888 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.61 грн
10+	34.78 грн
3000+	30.25 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	81.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.37 грн
6000+	31.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

на замовлення 8392 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.96 грн
10+	65.46 грн
100+	50.92 грн
500+	40.50 грн
1000+	32.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	90.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 36013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.52 грн
10+	71.89 грн
100+	48.23 грн
500+	35.75 грн
1000+	32.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ479EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 32 A, 0.0275 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.87 грн
500+	43.20 грн
1000+	39.40 грн
5000+	38.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	65.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3
Код товару: 194623

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	70.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	65.05 грн
13+	58.30 грн
25+	58.12 грн
100+	51.14 грн
250+	39.35 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.88 грн
6000+	28.61 грн
9000+	28.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3

на замовлення 5846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	117.09 грн
10+	82.04 грн
100+	58.87 грн
500+	43.20 грн
1000+	39.40 грн
5000+	38.85 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

238+	54.42 грн

Мінімальне замовлення: 238

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3

MOSFETs P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 38033 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.57 грн
10+	68.39 грн
100+	46.36 грн
500+	36.66 грн
1000+	31.95 грн
3000+	29.50 грн
6000+	28.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ479EP-T1_NE3

MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1868 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.87 грн
10+	76.32 грн
100+	44.24 грн
500+	36.25 грн
1000+	32.84 грн
3000+	27.86 грн
6000+	26.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1"GE3

Description: VISHAY - SQJ481EP-T1"GE3 - P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9937

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1-BE3

MOSFET P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_BE3

P-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 4595 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.18 грн
10+	62.11 грн
25+	53.94 грн
100+	38.51 грн
250+	38.44 грн
500+	31.07 грн
1000+	27.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_GE3

MOSFETs -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 24151 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.03 грн
10+	57.16 грн
100+	37.69 грн
500+	31.07 грн
1000+	26.08 грн
3000+	24.44 грн
6000+	23.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ481EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 16 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 22636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	90.01 грн
14+	60.30 грн
100+	44.37 грн
500+	32.32 грн
1000+	27.17 грн
5000+	24.37 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.13 грн
10+	54.36 грн
100+	42.28 грн
500+	33.63 грн
1000+	27.40 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_GE3

SQJ481EP-T1-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 1198 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	124.69 грн
24+	48.72 грн
66+	46.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 16A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.54 грн
6000+	26.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_GE3
Код товару: 191995

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ481EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 16 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 22636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.37 грн
500+	32.32 грн
1000+	27.17 грн
5000+	24.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ481EP-T2-GE3

Vishay MOSFET 80V PCH 175C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ486EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 37 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.73 грн
6000+	30.93 грн
9000+	29.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ486EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 37 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.42 грн
10+	64.20 грн
100+	49.97 грн
500+	39.75 грн
1000+	32.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ486EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ486EP-T1_GE3

MOSFETs N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 21677 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.18 грн
10+	67.13 грн
100+	45.47 грн
500+	36.12 грн
1000+	31.41 грн
3000+	29.70 грн
6000+	28.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ486EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ486EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.42 грн
10+	64.20 грн
100+	49.97 грн
500+	39.75 грн
1000+	32.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 100V(D-S)

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 301-310 дні (днів)

3+	111.52 грн
10+	91.87 грн
100+	63.50 грн
250+	58.85 грн
500+	53.46 грн
1000+	45.81 грн
3000+	43.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

197+	65.72 грн

Мінімальне замовлення: 197

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.53 грн
10+	85.95 грн
100+	68.40 грн
500+	54.32 грн
1000+	46.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T1_GE3

MOSFET 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

на замовлення 20968 шт:

термін постачання 751-760 дні (днів)

3+	113.91 грн
10+	101.29 грн
100+	71.01 грн
500+	57.62 грн
1000+	47.79 грн
3000+	44.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	153.56 грн
10+	137.28 грн
25+	132.90 грн
50+	121.66 грн
100+	100.81 грн
250+	93.42 грн
500+	80.89 грн
1000+	71.24 грн
3000+	69.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	48.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T2_BE3

MOSFET N-CHANNEL 100V(D-S)

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.06 грн
10+	111.49 грн
25+	91.49 грн
100+	77.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T2_BE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T2_BE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T2_BE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T2_BE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T2_GE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.42 грн
6000+	34.32 грн
9000+	32.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T2_GE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.64 грн
10+	71.30 грн
100+	55.44 грн
500+	44.10 грн
1000+	35.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T2_GE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ488EP-T2_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ500AEP-T1_BE3

Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ500AEP-T1_BE3

MOSFETs N and P CH 40V (D-S)

на замовлення 42091 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.36 грн
10+	93.44 грн
100+	54.83 грн
500+	43.70 грн
1000+	40.97 грн
3000+	35.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ500AEP-T1_BE3

Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ500AEP-T1_GE3

Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ500AEP-T1_GE3

Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ500AEP-T1_GE3

MOSFETs N and P Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 61761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.36 грн
10+	93.44 грн
100+	54.83 грн
500+	43.70 грн
1000+	40.97 грн
3000+	35.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ500EP-T1-GE3

MOSFET 40V 8A 48W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ504EP-T1_GE3

MOSFETs 40/-40V Vds; SO-8L +/-20V Vgs

на замовлення 8528 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.36 грн
10+	101.29 грн
100+	60.56 грн
500+	48.27 грн
1000+	43.76 грн
3000+	39.33 грн
6000+	39.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ504EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ504EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 6100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6100µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6100µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3357 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	71.13 грн
500+	52.66 грн
1000+	45.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ504EP-T1_GE3

Description: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ504EP-T1_GE3

на замовлення 3357 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	164.09 грн
10+	105.14 грн
100+	71.13 грн
500+	52.66 грн
1000+	45.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ504EP-T1_GE3

Description: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1-BE3

MOSFETs POWRPK DUAL CHAN 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1/BE3

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_BE3

Description: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8815 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.90 грн
10+	75.30 грн
100+	50.69 грн
500+	37.69 грн
1000+	34.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_BE3

Description: MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.72 грн
6000+	30.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_BE3

MOSFETs N- AND P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	56.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	52.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ560EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.0099 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0099ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0099ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 11893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	77.42 грн
500+	57.32 грн
1000+	39.40 грн
5000+	37.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_GE3

MOSFETs 60V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 49684 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.30 грн
10+	87.15 грн
100+	56.81 грн
500+	45.13 грн
1000+	40.76 грн
3000+	36.60 грн
6000+	36.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	83.74 грн
10+	75.86 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_GE3

на замовлення 44754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.35 грн
10+	80.84 грн
100+	54.65 грн
500+	40.76 грн
1000+	38.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ560EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 9900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 34W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 34W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	157.72 грн
10+	100.37 грн
100+	68.11 грн
500+	50.22 грн
1000+	42.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 60V 30A/18A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ560EP-T1_GE3

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.60 грн
6000+	33.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ570EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 100V 15A/9.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	81.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ570EP-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 9.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ570EP-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 100V 15A/9.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ570EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ570EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 15 A, 15 A, 0.0365 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0365ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 27W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0365ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	62.45 грн
500+	50.44 грн
1000+	39.67 грн
3000+	32.50 грн
6000+	31.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ570EP-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 9.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.19 грн
10+	64.65 грн
100+	50.30 грн
500+	40.01 грн
1000+	32.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ570EP-T1_GE3

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	102.76 грн
10+	85.23 грн
100+	62.45 грн
500+	50.44 грн
1000+	39.67 грн
3000+	32.50 грн
6000+	31.88 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQJ570EP-T1_GE3

MOSFETs N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 43402 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.76 грн
10+	70.90 грн
100+	48.00 грн
500+	39.40 грн
1000+	33.11 грн
3000+	30.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ740EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ740EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	181.61 грн
10+	117.09 грн
100+	80.45 грн
500+	55.33 грн
1000+	48.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ740EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ740EP-T1_GE3

MOSFETs Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL, 3.4 mohm a. 10V

на замовлення 3566 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	173.65 грн
10+	118.56 грн
100+	71.69 грн
500+	58.31 грн
1000+	53.94 грн
3000+	51.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ740EP-T1_GE3

на замовлення 2624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	80.45 грн
500+	55.33 грн
1000+	48.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ740EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 93W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3143pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL
Part Status: Active

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	147.48 грн
10+	127.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ742EP-T1_GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 88W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2449pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.74 грн
10+	77.66 грн
100+	52.39 грн
500+	39.00 грн
1000+	36.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ742EP-T1_GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 88W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2449pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8L Dual BWL
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ746ELP-T1_GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 4059 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.72 грн
10+	69.57 грн
100+	40.15 грн
500+	32.91 грн
1000+	31.20 грн
3000+	26.56 грн
6000+	24.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ748EP-T1_GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2725 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.89 грн
10+	73.57 грн
100+	42.60 грн
500+	34.96 грн
1000+	33.05 грн
3000+	28.13 грн
6000+	25.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ764ELP-T1_GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

на замовлення 2201 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.58 грн
10+	89.51 грн
100+	54.01 грн
500+	45.81 грн
1000+	40.01 грн
3000+	33.93 грн
9000+	33.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ840EP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ840EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ840EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 9300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.80 грн
10+	88.42 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ840EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ840EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 9300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ840EP-T1_GE3

MOSFET 30V 30A 46W AEC-Q101 Qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ844AEP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ844AEP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ844AEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ844AEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1161pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.6mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ844AEP-T1_GE3

MOSFETs N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 23688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.37 грн
10+	67.05 грн
100+	40.97 грн
500+	36.73 грн
1000+	31.68 грн
3000+	28.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ844EP-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ848AEP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ848EP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ848EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 47A POWERPAKSO-8

на замовлення 2345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ848EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 47A POWERPAKSO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ848EPT1-GE3

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T1_GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQJ4

на замовлення 2235 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.63 грн
10+	111.49 грн
100+	64.66 грн
250+	64.45 грн
500+	52.98 грн
1000+	49.23 грн
3000+	48.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	53.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	161.30 грн
10+	105.70 грн
100+	77.69 грн
500+	59.12 грн
1000+	54.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T2_GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T2_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 51846 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.92 грн
10+	84.01 грн
100+	50.87 грн
500+	40.42 грн
1000+	37.28 грн
3000+	32.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ850EP-T2_GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.68 грн
10+	83.43 грн
100+	61.92 грн
500+	47.48 грн
1000+	41.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.97 грн
10+	77.00 грн
100+	51.87 грн
500+	38.58 грн
1000+	35.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.55 грн
10+	63.46 грн
100+	47.57 грн
500+	35.26 грн
1000+	32.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_GE3

MOSFETs 40V 58A 48W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3515 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.96 грн
10+	68.23 грн
100+	44.31 грн
500+	35.03 грн
1000+	32.09 грн
3000+	27.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_JB3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ858AEP-T1_JB3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ858EP-T1_GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ858AEP-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ860EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.28 грн
6000+	23.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ860EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.06 грн
10+	55.55 грн
100+	38.43 грн
500+	30.14 грн
1000+	25.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ860EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.70 грн
6000+	22.53 грн
9000+	20.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ860EP-T1_GE3

MOSFETs 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

на замовлення 61751 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.45 грн
10+	60.69 грн
100+	35.98 грн
500+	28.54 грн
1000+	25.60 грн
3000+	22.26 грн
6000+	20.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ860EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.52 грн
10+	54.29 грн
100+	37.54 грн
500+	29.44 грн
1000+	25.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ868EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.27 грн
10+	64.87 грн
100+	50.57 грн
500+	39.20 грн
1000+	30.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ868EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ868EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 0.0062 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 1863 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.02 грн
500+	28.48 грн
1000+	25.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ868EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ868EP-T1_GE3

MOSFETs Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 56779 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	107.53 грн
10+	65.72 грн
100+	37.89 грн
500+	29.90 грн
1000+	27.72 грн
3000+	25.60 грн
6000+	24.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ868EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ868EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1863 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	90.81 грн
14+	56.95 грн
100+	37.76 грн
500+	27.74 грн
1000+	23.76 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ868EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 58A POWERPAKSOL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ872EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.87 грн
10+	87.58 грн
100+	59.17 грн
500+	44.10 грн
1000+	40.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ872EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 24.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

134+	96.67 грн
179+	72.30 грн
500+	57.16 грн
1000+	49.85 грн
3000+	40.68 грн
6000+	36.83 грн

Мінімальне замовлення: 134

В кошику од. на суму грн.

SQJ872EP-T1_GE3

MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 127328 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	107.53 грн
10+	81.66 грн
100+	50.73 грн
500+	40.28 грн
1000+	37.89 грн
3000+	36.60 грн
6000+	34.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ872EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ872EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 24.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	125.99 грн
10+	103.57 грн
100+	77.47 грн
500+	59.06 грн
1000+	49.45 грн
3000+	41.84 грн
6000+	39.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ872EP-T1_GE3

MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ886EP-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ886EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ886EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ886EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ886EP-T1_GE3

MOSFETs 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 50696 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.09 грн
10+	89.51 грн
100+	53.60 грн
500+	42.67 грн
1000+	39.87 грн
3000+	34.68 грн
6000+	34.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ886EP-T1_GE3

MOSFET 40V 60A 55W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 8429 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ886EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2922 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.49 грн
10+	84.54 грн
100+	57.28 грн
500+	42.79 грн
1000+	40.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_BE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_BE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFE

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.06 грн
10+	78.36 грн
100+	45.81 грн
500+	36.25 грн
1000+	33.11 грн
3000+	31.68 грн
6000+	31.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_BE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.56 грн
10+	68.86 грн
100+	53.54 грн
500+	42.59 грн
1000+	34.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	143.64 грн
10+	81.58 грн
100+	59.48 грн
500+	44.29 грн
1000+	39.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ910AEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 5800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 10544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.23 грн
500+	39.50 грн
1000+	33.39 грн
5000+	29.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_GE3

MOSFETs Dual N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2046 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.82 грн
10+	84.80 грн
100+	49.36 грн
500+	39.19 грн
1000+	36.60 грн
3000+	34.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1869pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ910AEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 5800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 10544 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	135.41 грн
10+	86.82 грн
100+	58.23 грн
500+	39.50 грн
1000+	33.39 грн
5000+	29.43 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T2_GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ910AEP-T2_GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ910EP-T1-GE3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ912AEP-T1_BE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ912AEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ912AEP-T1_GE3

MOSFET 40V 30A 48W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 40630 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.81 грн
10+	73.73 грн
100+	49.77 грн
500+	42.19 грн
1000+	34.41 грн
3000+	32.29 грн
6000+	30.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ912AEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

на замовлення 5369 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ912AEP-T2_BE3

MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S)

на замовлення 2159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ912BEP-T1_GE3

MOSFETs Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 14003 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	107.53 грн
10+	76.71 грн
100+	53.32 грн
500+	42.33 грн
1000+	38.78 грн
3000+	34.21 грн
24000+	33.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ912BEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.04 грн
10+	79.51 грн
100+	53.67 грн
500+	39.96 грн
1000+	37.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ912BEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ912BEP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ912BEP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 9000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	89.21 грн
50+	70.02 грн
100+	57.59 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ912DEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ912DEP-T1_GE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

на замовлення 18922 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.98 грн
10+	62.26 грн
100+	37.21 грн
500+	30.79 грн
1000+	28.06 грн
3000+	25.19 грн
6000+	23.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ912DEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.46 грн
10+	63.91 грн
100+	42.60 грн
500+	31.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ912EP-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ914EP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ914EP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ914EP-T1_GE3

MOSFET Dual 30V Vds 20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2194 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ914EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.85 грн
10+	86.32 грн
100+	67.27 грн
500+	52.15 грн
1000+	41.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ914EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ940EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 15A/18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ940EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ940EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ940EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.0133 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0133ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0133ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 13243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.80 грн
10+	88.42 грн
100+	59.42 грн
500+	40.31 грн
1000+	34.21 грн
5000+	28.54 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ940EP-T1_GE3
Код товару: 180512

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ940EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 15A/18A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ940EP-T1_GE3

MOSFETs 40V 15A AEC-Q101 Qualified

на замовлення 55739 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.01 грн
10+	86.37 грн
100+	50.59 грн
500+	40.15 грн
1000+	37.01 грн
3000+	32.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ940EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ941EP-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 55W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ942EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.94 грн
10+	79.81 грн
100+	62.25 грн
500+	48.26 грн
1000+	38.10 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ942EP-T1_GE3

MOSFET 40V 15A AEC-Q101 Qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ942EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ946EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ946EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 27W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 27W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	80.45 грн
50+	61.49 грн
100+	41.02 грн
500+	30.03 грн
1500+	24.99 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQJ946EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ946EP-T1_GE3

на замовлення 7323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.02 грн
500+	30.03 грн
1500+	24.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ946EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ946EP-T1_GE3

MOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5978 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.57 грн
10+	53.31 грн
100+	31.54 грн
500+	24.85 грн
1000+	22.46 грн
3000+	20.55 грн
6000+	18.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_BE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_BE3

MOSFETs DUAL P-CHANNEL 30V

на замовлення 43259 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.36 грн
10+	93.44 грн
100+	54.83 грн
500+	43.70 грн
1000+	40.97 грн
3000+	35.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_BE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.08 грн
10+	93.94 грн
100+	63.70 грн
500+	47.63 грн
1000+	43.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_GE3

MOSFETs Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 16979 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	154.53 грн
10+	97.36 грн
100+	57.42 грн
500+	45.74 грн
1000+	43.70 грн
3000+	43.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ951EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	149.75 грн
10+	101.16 грн
100+	69.22 грн
500+	51.48 грн
1000+	39.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.08 грн
10+	93.94 грн
100+	63.70 грн
500+	47.63 грн
1000+	43.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ951EP-T1_GE3

на замовлення 5088 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	73.04 грн
500+	57.47 грн
1000+	40.62 грн
5000+	38.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ952EP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	83.89 грн
11+	71.82 грн
25+	71.31 грн
100+	52.47 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJ952EP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ952EP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ952EP-T1_BE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

на замовлення 5753 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.52 грн
10+	72.08 грн
100+	42.54 грн
500+	34.55 грн
1000+	31.07 грн
3000+	27.24 грн
6000+	26.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ952EP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ952EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ952EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23 A, 23 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.74 грн
500+	40.53 грн
1000+	34.55 грн
5000+	28.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ952EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ952EP-T1_GE3

MOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 1707 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.80 грн
10+	87.15 грн
100+	50.87 грн
500+	40.42 грн
1000+	37.28 грн
3000+	32.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ952EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ952EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23 A, 23 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	153.73 грн
10+	98.77 грн
100+	66.27 грн
500+	48.89 грн
1000+	41.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJ952EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ956EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.7mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.26 грн
10+	73.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ956EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.7mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ956EP-T1_GE3

MOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2651 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	112.31 грн
10+	70.19 грн
100+	40.83 грн
500+	32.09 грн
1000+	29.36 грн
3000+	25.33 грн
6000+	24.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ958EP-T1_GE3

MOSFETs Dual 60V PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4157 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	112.31 грн
10+	70.19 грн
100+	40.83 грн
500+	32.09 грн
1000+	29.36 грн
3000+	27.52 грн
6000+	24.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ958EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ960EP-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ960EP-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ960EP-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ960EP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ960EP-T1_GE3
Код товару: 186737

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ960EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ960EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1621 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.03 грн
10+	120.12 грн
100+	82.84 грн
500+	64.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ960EP-T1_GE3

MOSFETs 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 78057 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.34 грн
10+	127.20 грн
100+	76.47 грн
500+	63.43 грн
1000+	62.81 грн
3000+	55.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ962EP-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ963EP-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQJ963EP-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ963EP-T1_GE3

SQJ963EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ963EP-T1_GE3

SQJ963EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ963EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3527 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.04 грн
10+	113.09 грн
100+	77.49 грн
500+	58.41 грн
1000+	53.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ963EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	53.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ963EP-T1_GE3

MOSFETs -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 18140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	165.68 грн
10+	111.49 грн
100+	72.37 грн
250+	63.36 грн
500+	59.06 грн
1000+	54.55 грн
3000+	50.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJ964EP-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ968EP-T1-GE3

Description: VISHAY - SQJ968EP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 18
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028
Verlustleistung Pd: 25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung, p-Kanal: 25
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ968EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ968EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23.5 A, 23.5 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 8159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	78.94 грн
13+	64.36 грн
100+	45.48 грн
500+	34.10 грн
1000+	30.38 грн
5000+	29.29 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQJ968EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 42W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 714pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.26 грн
10+	73.30 грн
100+	57.13 грн
500+	44.29 грн
1000+	34.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ968EP-T1_GE3

MOSFETs Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4103 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	112.31 грн
10+	70.19 грн
100+	40.76 грн
500+	33.39 грн
1000+	29.22 грн
3000+	26.90 грн
6000+	24.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ968EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ968EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 42W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 714pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ968EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ968EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23.5 A, 23.5 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 8171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.02 грн
500+	39.35 грн
1000+	32.57 грн
5000+	28.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ970EP-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ970EPT1-GE3

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1-BE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_BE3

Dual N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_BE3

MOSFET DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3746 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.81 грн
10+	73.73 грн
100+	49.77 грн
500+	42.19 грн
1000+	39.80 грн
3000+	33.86 грн
6000+	31.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.55 грн
10+	76.48 грн
100+	59.48 грн
500+	47.32 грн
1000+	38.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_GE3

MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 59147 шт:

термін постачання 519-528 дні (днів)

4+	104.35 грн
10+	90.29 грн
100+	62.06 грн
500+	49.91 грн
1000+	39.40 грн
3000+	34.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_GE3

SQJ974EP-T1-GE3 Multi channel transistors

на замовлення 2918 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	140.19 грн
18+	67.06 грн
48+	64.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJ974EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	117.89 грн
10+	88.42 грн
100+	64.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ974EP-T1_GE3

на замовлення 4388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.96 грн
500+	50.30 грн
1000+	35.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJ980AEP-T1-BE3

MOSFETs SOT669 75V 17A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ980AEP-T1_BE3

Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.35 грн
10+	62.20 грн
100+	48.36 грн
500+	38.47 грн
1000+	31.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ980AEP-T1_BE3

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ980AEP-T1_BE3

Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ980AEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ980AEP-T1_GE3

MOSFETs Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 30986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.65 грн
10+	79.30 грн
100+	46.56 грн
500+	36.80 грн
1000+	33.93 грн
3000+	32.09 грн
6000+	31.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ980AEP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.80 грн
10+	68.34 грн
100+	53.20 грн
500+	42.31 грн
1000+	34.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ990EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJ990EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 17A/34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ990EP-T1_GE3

MOSFET Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5991 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.16 грн
10+	88.72 грн
100+	60.36 грн
500+	49.91 грн
1000+	39.40 грн
3000+	35.44 грн
6000+	34.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ990EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 25V, 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V, 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.30 грн
10+	93.12 грн
100+	72.63 грн
500+	56.31 грн
1000+	44.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJ990EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 17A/34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ992EP-T1-GE3

Description: VISHAY - SQJ992EP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.047 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 34
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ992EP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ992EP-T1_BE3

Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJ992EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ992EP-T1_GE3

MOSFETs Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 22014 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.14 грн
10+	79.30 грн
100+	48.82 грн
500+	38.71 грн
1000+	35.44 грн
3000+	32.64 грн
6000+	31.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJ992EP-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJ992EP-T2_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 3.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.52 грн
10+	50.96 грн
100+	39.65 грн
500+	31.54 грн
1000+	25.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJ992EP-T2_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 3.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.76 грн
6000+	24.54 грн
9000+	23.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJA00EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA00EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0105 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	90.01 грн
14+	60.22 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJA00EP-T1_GE3

MOSFETs 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

на замовлення 8455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.21 грн
10+	59.04 грн
100+	38.99 грн
500+	32.16 грн
1000+	26.90 грн
3000+	24.65 грн
6000+	23.90 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJA00EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6089 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.61 грн
10+	67.38 грн
100+	44.85 грн
500+	33.01 грн
1000+	30.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJA00EP-T1_GE3

MOSFET 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJA00EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.18 грн
6000+	26.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJA02EP-T1_GE3

MOSFETs 60V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2363 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.82 грн
10+	62.19 грн
25+	53.94 грн
100+	44.04 грн
250+	43.90 грн
500+	40.83 грн
3000+	36.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJA02EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJA02EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA02EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2058 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.56 грн
500+	43.27 грн
1000+	38.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJA02EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA02EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2822 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	90.81 грн
13+	66.35 грн
100+	54.01 грн
500+	48.67 грн
1000+	41.44 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJA02EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.09 грн
10+	78.40 грн
100+	60.99 грн
500+	48.51 грн
1000+	39.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJA04EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJA04EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.88 грн
10+	63.31 грн
100+	49.21 грн
500+	39.15 грн
1000+	31.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJA04EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.33 грн
10+	69.60 грн
100+	54.13 грн
500+	43.06 грн
1000+	35.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJA04EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJA04EP-T1_GE3

MOSFETs 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 1308 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.76 грн
10+	70.90 грн
100+	42.67 грн
500+	36.80 грн
1000+	33.93 грн
3000+	28.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJA06EP-T1_GE3

MOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJA06EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.80 грн
10+	74.85 грн
100+	58.38 грн
500+	45.26 грн
1000+	35.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJA06EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJA16EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	155.92 грн
10+	100.22 грн
100+	68.65 грн
500+	51.49 грн
1000+	47.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJA16EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA16EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 278 A, 3000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 278A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	164.09 грн
50+	112.31 грн
100+	77.11 грн
500+	57.10 грн
1500+	49.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJA16EP-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 38048 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	112.31 грн
10+	92.65 грн
100+	64.11 грн
250+	61.18 грн
500+	53.53 грн
1000+	45.81 грн
3000+	43.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJA16EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJA16EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA16EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 278 A, 3000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 278A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	77.11 грн
500+	57.10 грн
1500+	49.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJA20EP-T1-BE3

MOSFETs SOT669 200V 22.5A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJA20EP-T1/BE3

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJA20EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJA20EP-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 200V 22.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJA20EP-T1_BE3

MOSFETs PowerPAK SO-8L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJA20EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	146.71 грн
10+	90.46 грн
100+	61.10 грн
500+	45.55 грн
1000+	41.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJA20EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA20EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 22.5 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	122.67 грн
10+	94.79 грн
100+	67.47 грн
500+	49.78 грн
1000+	42.33 грн
5000+	37.28 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJA20EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 22.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	49.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJA20EP-T1_GE3

MOSFETs 200V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 11840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.91 грн
10+	84.80 грн
100+	50.93 грн
500+	40.49 грн
1000+	37.35 грн
3000+	32.84 грн
6000+	32.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJA20EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJA20EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 22.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJA20EP-T1_GE3

на замовлення 9629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.47 грн
500+	49.78 грн
1000+	42.33 грн
5000+	37.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJA20EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 22.5A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	52.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJA20EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.65 грн
10+	82.03 грн
100+	55.42 грн
500+	41.32 грн
1000+	38.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJA26EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.77mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9778 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.66 грн
10+	99.41 грн
100+	79.08 грн
500+	62.80 грн
1000+	53.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJA26EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA26EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 410 A, 0.00066 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00066ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	174.44 грн
10+	116.30 грн
100+	81.25 грн
500+	54.81 грн
1000+	46.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJA26EP-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.77mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9778 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	56.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJA26EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 26200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	173.65 грн
10+	110.71 грн
100+	65.75 грн
500+	52.71 грн
1000+	51.62 грн
3000+	46.97 грн
6000+	45.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJA26EP-T1_GE3

на замовлення 2934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	81.25 грн
500+	54.81 грн
1000+	46.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJA34EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA34EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 4300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.83 грн
500+	33.80 грн
1000+	29.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJA34EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJA34EP-T1_GE3

MOSFETs Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3649 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.70 грн
10+	71.61 грн
100+	41.58 грн
500+	33.73 грн
1000+	29.97 грн
3000+	29.36 грн
6000+	24.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJA34EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA34EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 4300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	114.70 грн
11+	73.12 грн
100+	48.83 грн
500+	33.80 грн
1000+	29.43 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJA34EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJA36EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6636 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	159.00 грн
10+	110.65 грн
100+	82.18 грн
500+	62.10 грн
1000+	59.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQJA36EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 350A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJA36EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6636 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	57.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJA36EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 350A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJA36EP-T1_GE3

MOSFET 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJA36EP-T1_JE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3721 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.51 грн
10+	108.35 грн
100+	74.42 грн
500+	62.34 грн
1000+	57.76 грн
3000+	49.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJA37EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.83 грн
6000+	21.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJA37EP-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.98 грн
10+	52.29 грн
100+	36.23 грн
500+	28.41 грн
1000+	24.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJA37EP-T1_GE3

MOSFETs -30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 23817 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	63.72 грн
10+	50.02 грн
100+	34.75 грн
500+	29.50 грн
1000+	24.03 грн
3000+	22.53 грн
6000+	21.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJA37EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJA37EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.68 грн
10+	47.86 грн
100+	37.20 грн
500+	29.59 грн
1000+	24.10 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJA38EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJA38EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA38EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 14939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.77 грн
500+	36.76 грн
1000+	29.29 грн
5000+	26.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJA38EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJA38EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA38EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 14939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	98.77 грн
12+	69.06 грн
100+	53.77 грн
500+	36.76 грн
1000+	29.29 грн
5000+	26.83 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQJA38EP-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 68660 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.04 грн
10+	67.29 грн
100+	44.93 грн
500+	35.91 грн
1000+	31.07 грн
3000+	28.81 грн
6000+	27.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJA42EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

на замовлення 2747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJA42EP-T1_GE3

MOSFETs Nch 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 4227 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.40 грн
10+	88.72 грн
100+	52.50 грн
500+	44.45 грн
1000+	41.58 грн
3000+	38.44 грн
6000+	32.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJA42EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJA46EP-T1_GE3

MOSFET N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQJA60EP-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJA60EP-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.04 грн
10+	60.36 грн
100+	46.91 грн
500+	37.32 грн
1000+	30.40 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJA60EP-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 32924 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.99 грн
10+	62.66 грн
100+	38.30 грн
500+	34.34 грн
1000+	29.56 грн
3000+	27.58 грн
6000+	26.90 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJA60EP-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJA60EP-T1_GE3

MOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 23139 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.54 грн
10+	63.60 грн
100+	43.08 грн
500+	36.53 грн
1000+	29.70 грн
3000+	28.81 грн
6000+	28.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJA60EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	41.16 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SQJA60EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.04 грн
10+	60.36 грн
100+	46.91 грн
500+	37.32 грн
1000+	30.40 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJA60EP-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

337+	38.42 грн

Мінімальне замовлення: 337

В кошику од. на суму грн.

SQJA60EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJA61EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJA61EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA61EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 54.5 A, 0.0121 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1132 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	68.18 грн
500+	53.62 грн
1000+	44.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJA61EP-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3725 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.41 грн
10+	85.58 грн
100+	51.48 грн
500+	43.63 грн
1000+	39.60 грн
3000+	33.66 грн
6000+	32.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJA61EP-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.35 грн
10+	80.55 грн
100+	54.36 грн
500+	40.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJA61EP-T1_GE3

на замовлення 1132 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	153.73 грн
10+	97.98 грн
100+	68.18 грн
500+	53.62 грн
1000+	44.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJA62EP-T1_GE3

Description: VISHAY - SQJA62EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1489 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	110.72 грн
10+	84.43 грн
100+	61.18 грн
500+	45.04 грн
1000+	41.44 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQJA62EP-T1_GE3

MOSFETs N-Channel 60V PowerPAK SO-8L

на замовлення 27850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.57 грн
10+	74.98 грн
100+	47.04 грн
500+	37.28 грн
1000+	34.41 грн
3000+	30.04 грн
6000+	29.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQJA62EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJA62EP-T1_GE3

на замовлення 1489 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.18 грн
500+	45.04 грн
1000+	41.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQJA62EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.43 грн
10+	76.04 грн
100+	51.17 грн
500+	38.02 грн
1000+	35.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQJA64EP-T1-BE3

MOSFET N-CH 60-V 175C MSFT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJA64EP-T1-BE3 M

MOSFET N-CH 60-V 175C MSFT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJA64EP-T1-GE3 M

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQJA64EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17989 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.93 грн
10+	41.49 грн
100+	28.68 грн
500+	22.49 грн
1000+	19.14 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQJA64EP-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.86 грн
6000+	17.21 грн
9000+	15.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJA64EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11903 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.54 грн
10+	45.41 грн
100+	31.44 грн
500+	24.65 грн
1000+	20.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQJA64EP-T1_GE3

MOSFETs N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 289627 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	63.72 грн
10+	46.72 грн
100+	27.72 грн
500+	22.33 грн
1000+	20.14 грн
3000+	17.00 грн
6000+	16.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQJA64EP-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.68 грн
6000+	18.86 грн
9000+	17.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQJA64EP-T1_GE3