SQJ942EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix


sqj942ep.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 40V 15A AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+131.16 грн
10+81.91 грн
100+47.83 грн
500+37.78 грн
1000+34.56 грн
3000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ942EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 17W, 48W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 45A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active.

Інші пропозиції SQJ942EP-T1_GE3 за ціною від 38.97 грн до 95.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQJ942EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj942ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ942EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj942ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.05 грн
10+81.62 грн
100+63.66 грн
500+49.36 грн
1000+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ942EP-T1_GE3 sqj942ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ942EP-T1_GE3 sqj942ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 809pF @ 20V, 1451pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+95.05 грн
10+81.62 грн
100+63.66 грн
500+49.36 грн
1000+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.