SQJ951EP-T1_BE3

SQJ951EP-T1_BE3 Vishay Semiconductors


sqj951ep.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs DUAL P-CHANNEL 30V
на замовлення 43259 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.09 грн
10+95.17 грн
100+55.84 грн
500+44.51 грн
1000+41.72 грн
3000+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ951EP-T1_BE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 56W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції SQJ951EP-T1_BE3 за ціною від 44.54 грн до 154.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ951EP-T1_BE3 SQJ951EP-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj951ep.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 56W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.90 грн
10+95.68 грн
100+64.88 грн
500+48.52 грн
1000+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_BE3 SQJ951EP-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj951ep.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 56W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.