
на замовлення 53266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 134.96 грн |
10+ | 89.25 грн |
100+ | 62.23 грн |
500+ | 51.76 грн |
1000+ | 44.88 грн |
3000+ | 42.10 грн |
6000+ | 41.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ951EP-T1_BE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 56W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQJ951EP-T1_BE3 за ціною від 45.09 грн до 156.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQJ951EP-T1_BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 56W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
SQJ951EP-T1_BE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
SQJ951EP-T1_BE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
SQJ951EP-T1_BE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
SQJ951EP-T1_BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 56W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |