SQJ951EP-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqj951ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 56W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ951EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 56W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції SQJ951EP-T1_GE3 за ціною від 44.11 грн до 156.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJ951EP-T1_GE3 SQJ951EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj951ep.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.77 грн
10+94.98 грн
100+64.41 грн
500+48.16 грн
1000+44.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_GE3 SQJ951EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors sqj951ep.pdf MOSFETs Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 16979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.25 грн
10+98.44 грн
100+58.06 грн
500+46.25 грн
1000+44.18 грн
3000+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_GE3 sqj951ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.77 грн
10+94.98 грн
100+64.41 грн
500+48.16 грн
1000+44.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_GE3 sqj951ep.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 16979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+156.25 грн
10+98.44 грн
100+58.06 грн
500+46.25 грн
1000+44.18 грн
3000+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.