Продукція > VISHAY > SQJ952EP-T1_GE3
SQJ952EP-T1_GE3

SQJ952EP-T1_GE3 VISHAY

sqj952ep.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ952EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23 A, 23 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+44.22 грн
1000+35.38 грн
5000+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ952EP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJ952EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23 A, 23 A, 0.012 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 25W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SQJ952EP-T1_GE3 за ціною від 34.47 грн до 121.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ952EP-T1_GE3 SQJ952EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj952ep.pdf Description: VISHAY - SQJ952EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23 A, 23 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.90 грн
10+86.29 грн
100+58.69 грн
500+44.22 грн
1000+35.38 грн
5000+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ952EP-T1_GE3 SQJ952EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj952ep.pdf MOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.06 грн
10+90.96 грн
100+52.03 грн
500+42.23 грн
1000+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ952EP-T1_GE3 SQJ952EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj952ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ952EP-T1_GE3 SQJ952EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj952ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.