Продукція > VISHAY > SQJ952EP-T1_GE3
SQJ952EP-T1_GE3

SQJ952EP-T1_GE3 VISHAY

VISH-S-A0014527080-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ952EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23 A, 23 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.56 грн
500+43.80 грн
1000+37.33 грн
5000+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ952EP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJ952EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23 A, 23 A, 0.012 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 25W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SQJ952EP-T1_GE3 за ціною від 37.90 грн до 166.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ952EP-T1_GE3 SQJ952EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj952ep.pdf MOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.03 грн
10+102.36 грн
100+59.77 грн
500+47.50 грн
1000+43.89 грн
3000+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ952EP-T1_GE3 SQJ952EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0014527080-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ952EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23 A, 23 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 25W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+166.13 грн
10+106.73 грн
100+71.61 грн
500+52.83 грн
1000+45.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ952EP-T1_GE3 SQJ952EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj952ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ952EP-T1_GE3 SQJ952EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj952ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.