Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ956EP-T1_GE3
SQJ956EP-T1_GE3

SQJ956EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj956ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.7mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.61 грн
10+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ956EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 34W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.7mOhm @ 5.2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Part Status: Active.

Інші пропозиції SQJ956EP-T1_GE3 за ціною від 28.15 грн до 101.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ956EP-T1_GE3 SQJ956EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj956ep.pdf MOSFETs N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.24 грн
10+70.03 грн
100+46.56 грн
500+37.13 грн
1000+32.60 грн
3000+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ956EP-T1_GE3 SQJ956EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj956ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.7mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.