Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ963EP-T1_GE3
SQJ963EP-T1_GE3

SQJ963EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj963ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 27W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ963EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 27W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Інші пропозиції SQJ963EP-T1_GE3 за ціною від 54.79 грн до 185.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJ963EP-T1_GE3 SQJ963EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj963ep.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 27W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
на замовлення 3527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.35 грн
10+115.15 грн
100+78.90 грн
500+59.47 грн
1000+54.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ963EP-T1_GE3 SQJ963EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors sqj963ep.pdf MOSFETs -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 18140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ963EP-T1_GE3 sqj963ep.pdf
SQJ963EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 27W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
на замовлення 3527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.35 грн
10+115.15 грн
100+78.90 грн
500+59.47 грн
1000+54.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ963EP-T1_GE3 sqj963ep.pdf
SQJ963EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 18140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.