SQJ963EP-T1_GE3

SQJ963EP-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqj963ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 2399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.02 грн
10+ 96.7 грн
100+ 76.98 грн
500+ 61.12 грн
1000+ 51.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ963EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 27W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Part Status: Active.

Інші пропозиції SQJ963EP-T1_GE3 за ціною від 49.35 грн до 128.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ963EP-T1_GE3 SQJ963EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj963ep.pdf MOSFET -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 26059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.19 грн
10+ 104.92 грн
100+ 72.59 грн
250+ 66.59 грн
500+ 60.73 грн
1000+ 52.01 грн
3000+ 49.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQJ963EP-T1_GE3 SQJ963EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj963ep.pdf SQJ963EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com
товар відсутній
SQJ963EP-T1_GE3 SQJ963EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj963ep.pdf SQJ963EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com
товар відсутній
SQJ963EP-T1_GE3 SQJ963EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj963ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SQJ963EP-T1-GE3 Виробник : Vishay sqj963ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SQJ963EP-T1_GE3 SQJ963EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj963ep.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
товар відсутній
SQJ963EP-T1-GE3 SQJ963EP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj963ep-1764806.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQJ963EP-T1_GE3
товар відсутній