Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ963EP-T1_GE3
SQJ963EP-T1_GE3

SQJ963EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj963ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+56.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ963EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 27W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ963EP-T1_GE3 за ціною від 55.45 грн до 193.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ963EP-T1_GE3 SQJ963EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj963ep.pdf MOSFETs -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 18140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.56 грн
10+123.52 грн
100+80.18 грн
250+70.20 грн
500+65.43 грн
1000+60.44 грн
3000+55.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ963EP-T1_GE3 SQJ963EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj963ep.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.92 грн
10+120.48 грн
100+82.54 грн
500+62.22 грн
1000+57.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ963EP-T1_GE3 SQJ963EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj963ep.pdf SQJ963EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ963EP-T1_GE3 SQJ963EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj963ep.pdf SQJ963EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ963EP-T1_GE3 SQJ963EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj963ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ963EP-T1-GE3 Виробник : Vishay sqj963ep.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ963EP-T1-GE3 SQJ963EP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj963ep-1764806.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQJ963EP-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.