SQJ968EP-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQJ968EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23.5 A, 23.5 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 42W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 51.12 грн |
| 500+ | 40.21 грн |
| 1000+ | 33.28 грн |
| 5000+ | 29.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ968EP-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJ968EP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 18, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028, Verlustleistung Pd: 25, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, Verlustleistung, p-Kanal: 25, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 25, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SQJ968EP-T1_GE3 за ціною від 27.87 грн до 87.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQJ968EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ968EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 23.5 A, 23.5 A, 0.028 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 23.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 23.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm Verlustleistung, p-Kanal: 42W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe TrenchFET Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 42W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 8159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJ968EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 31906 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJ968EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 42W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 714pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJ968EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 23.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SQJ968EP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ968EP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 18 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028 Verlustleistung Pd: 25 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung, p-Kanal: 25 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 25 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: To Be Advised |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SQJ968EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 42W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 714pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33.6mOhm @ 4.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
товару немає в наявності |