Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ974EP-T1_GE3
SQJ974EP-T1_GE3

SQJ974EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj974ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+40.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ974EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJ974EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 48W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SQJ974EP-T1_GE3 за ціною від 34.79 грн до 136.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJ974EP-T1_GE3 SQJ974EP-T1_GE3 VISHAY sqj974ep.pdf Description: VISHAY - SQJ974EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.55 грн
500+43.15 грн
1000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ974EP-T1_GE3 SQJ974EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj974ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.63 грн
10+77.33 грн
100+60.14 грн
500+47.84 грн
1000+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ974EP-T1_GE3 SQJ974EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors sqj974ep.pdf MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 59147 шт:
термін постачання 519-528 дні (днів)
4+105.51 грн
10+91.30 грн
100+62.75 грн
500+50.46 грн
1000+39.83 грн
3000+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ974EP-T1_GE3 SQJ974EP-T1_GE3 VISHAY SQJ974EP-T1-GE3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 17A; 16W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 16W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 17A
On-state resistance: 25.5mΩ
Gate charge: 15nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.91 грн
10+75.62 грн
25+63.98 грн
100+51.52 грн
500+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ974EP-T1_GE3 SQJ974EP-T1_GE3 VISHAY sqj974ep.pdf Description: VISHAY - SQJ974EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.11 грн
10+83.76 грн
100+58.55 грн
500+43.15 грн
1000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ974EP-T1_GE3 sqj974ep.pdf
SQJ974EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ974EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+58.55 грн
500+43.15 грн
1000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ974EP-T1_GE3 sqj974ep.pdf
SQJ974EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.63 грн
10+77.33 грн
100+60.14 грн
500+47.84 грн
1000+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ974EP-T1_GE3 sqj974ep.pdf
SQJ974EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 59147 шт:
термін постачання 519-528 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+105.51 грн
10+91.30 грн
100+62.75 грн
500+50.46 грн
1000+39.83 грн
3000+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ974EP-T1_GE3 SQJ974EP-T1-GE3.pdf
SQJ974EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 17A; 16W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 16W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 17A
On-state resistance: 25.5mΩ
Gate charge: 15nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+119.91 грн
10+75.62 грн
25+63.98 грн
100+51.52 грн
500+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ974EP-T1_GE3 sqj974ep.pdf
SQJ974EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ974EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+136.11 грн
10+83.76 грн
100+58.55 грн
500+43.15 грн
1000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.