SQJ974EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 40.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ974EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJ974EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 48W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SQJ974EP-T1_GE3 за ціною від 35.05 грн до 137.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ974EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ974EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQJ974EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 48W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJ974EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 59147 шт: термін постачання 519-528 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQJ974EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ974EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SQJ974EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP T/R Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |