SQJ974EP-T1_GE3

SQJ974EP-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqj974ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+41.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ974EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJ974EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 48W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJ974EP-T1_GE3 за ціною від 37.26 грн до 134.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ974EP-T1_GE3 SQJ974EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3006518.pdf Description: VISHAY - SQJ974EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.87 грн
500+52.58 грн
1000+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ974EP-T1_GE3 SQJ974EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj974ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.98 грн
10+79.96 грн
100+62.19 грн
500+49.47 грн
1000+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ974EP-T1_GE3 SQJ974EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC3981CE7F20143&compId=SQJ974EP-T1-GE3.pdf?ci_sign=1d59635a477f7482d3d1f4e23f10b282ac36172f Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 17A; 16W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 16W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.42 грн
10+75.78 грн
18+52.58 грн
48+49.49 грн
250+48.72 грн
500+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ974EP-T1_GE3 SQJ974EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj974ep.pdf MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 59147 шт:
термін постачання 519-528 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.46 грн
10+98.18 грн
100+67.48 грн
500+54.27 грн
1000+42.83 грн
3000+37.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ974EP-T1_GE3 SQJ974EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj974ep.pdf Description: VISHAY - SQJ974EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.58 грн
10+88.27 грн
100+63.12 грн
500+48.18 грн
1000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ974EP-T1_GE3 SQJ974EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC3981CE7F20143&compId=SQJ974EP-T1-GE3.pdf?ci_sign=1d59635a477f7482d3d1f4e23f10b282ac36172f Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 17A; 16W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 16W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.91 грн
10+94.43 грн
18+63.10 грн
48+59.39 грн
250+58.46 грн
500+56.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ974EP-T1_GE3 SQJ974EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj974ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ974EP-T1_GE3 SQJ974EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj974ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.