SQJ980AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 34W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 33.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ980AEP-T1_BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 34W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQJ980AEP-T1_BE3 за ціною від 32.03 грн до 80.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQJ980AEP-T1_BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SQJ980AEP-T1_BE3 | Виробник : Vishay |
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SQJ980AEP-T1-BE3 | Виробник : Vishay | MOSFETs SOT669 75V 17A N-CH MOSFET |
товару немає в наявності |