SQJ980AEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 31643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 90.67 грн |
10+ | 73.18 грн |
100+ | 49.49 грн |
500+ | 41.91 грн |
1000+ | 34.14 грн |
3000+ | 32.15 грн |
6000+ | 30.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ980AEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 34W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Part Status: Active.
Інші пропозиції SQJ980AEP-T1_GE3 за ціною від 38.61 грн до 94.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SQJ980AEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 2984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SQJ980AEP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
товар відсутній |