Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ980AEP-T1_GE3
SQJ980AEP-T1_GE3

SQJ980AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj980ap.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Power - Max: 34W (Tc)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.37 грн
10+68.80 грн
100+53.55 грн
500+42.59 грн
1000+34.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ980AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.8A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 35V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Power - Max: 34W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SQJ980AEP-T1_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJ980AEP-T1_GE3 SQJ980AEP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqj980ap.pdf MOSFETs Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 28794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.