SQJ992EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 112.62 грн |
| 10+ | 84.94 грн |
| 100+ | 52.29 грн |
| 500+ | 41.47 грн |
| 1000+ | 37.96 грн |
| 3000+ | 34.96 грн |
| 6000+ | 33.57 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ992EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SQJ992EP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.047 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 15, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 34, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SQJ992EP-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ992EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
SQJ992EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQJ992EP-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQJ992EP-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)