Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJA00EP-T1_GE3
SQJA00EP-T1_GE3

SQJA00EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqja00ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+29.85 грн
6000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJA00EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SQJA00EP-T1_GE3 за ціною від 24.44 грн до 113.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQJA00EP-T1_GE3 SQJA00EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors sqja00ep.pdf MOSFETs 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 8455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.24 грн
10+60.39 грн
100+39.87 грн
500+32.89 грн
1000+27.51 грн
3000+25.21 грн
6000+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA00EP-T1_GE3 SQJA00EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja00ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.12 грн
10+68.91 грн
100+45.87 грн
500+33.76 грн
1000+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA00EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqja00ep-1079985.pdf MOSFET 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA00EP-T1_GE3 sqja00ep.pdf
SQJA00EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 8455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+91.24 грн
10+60.39 грн
100+39.87 грн
500+32.89 грн
1000+27.51 грн
3000+25.21 грн
6000+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA00EP-T1_GE3 sqja00ep.pdf
SQJA00EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+113.12 грн
10+68.91 грн
100+45.87 грн
500+33.76 грн
1000+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA00EP-T1_GE3 sqja00ep-1079985.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.