Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJA16EP-T1_GE3

SQJA16EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Name: SQJA16EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 16528026-3
Price: 131700.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	43.90 грн
6000+	41.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQJA16EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJA16EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 278 A, 3000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 278A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SQJA16EP-T1_GE3 за ціною від 44.04 грн до 189.27 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SQJA16EP-T1_GE3

VISHAY

VISH-S-A0014136923-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SQJA16EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 278 A, 3000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 278A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.96 грн
500+	61.40 грн
1500+	55.57 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJA16EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 38048 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.56 грн
10+	93.68 грн
100+	64.82 грн
250+	61.85 грн
500+	54.12 грн
1000+	46.32 грн
3000+	44.04 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJA16EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	153.77 грн
10+	95.13 грн
100+	64.76 грн
500+	48.57 грн
1000+	47.17 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJA16EP-T1_GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SQJA16EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 278 A, 3000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 278A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	189.27 грн
50+	121.62 грн
100+	82.96 грн
500+	61.40 грн
1500+	55.57 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJA16EP-T1_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA16EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 278 A, 3000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 278A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	82.96 грн
500+	61.40 грн
1500+	55.57 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJA16EP-T1_GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 38048 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	113.56 грн
10+	93.68 грн
100+	64.82 грн
250+	61.85 грн
500+	54.12 грн
1000+	46.32 грн
3000+	44.04 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJA16EP-T1_GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5485 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	153.77 грн
10+	95.13 грн
100+	64.76 грн
500+	48.57 грн
1000+	47.17 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJA16EP-T1_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA16EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 278 A, 3000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 278A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	189.27 грн
50+	121.62 грн
100+	82.96 грн
500+	61.40 грн
1500+	55.57 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.