Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJA20EP-T1_BE3

SQJA20EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

Name: SQJA20EP-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 63944424-3
Price: 454.89 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	151.63 грн
10+	93.50 грн
100+	63.15 грн
500+	47.08 грн
1000+	43.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQJA20EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJA20EP-T1_BE3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SQJA20EP-T1_BE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 200V 22.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQJA20EP-T1_BE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQJA20EP-T1_BE3	Виробник : Vishay Semiconductors	MOSFETs PowerPAK SO-8L	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQJA20EP-T1/BE3	Виробник : Vishay	Array	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SQJA20EP-T1-BE3	Виробник : Vishay	MOSFETs SOT669 200V 22.5A N-CH MOSFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.