Продукція > VISHAY > SQJA20EP-T1_GE3
SQJA20EP-T1_GE3

SQJA20EP-T1_GE3 Vishay

sqja20ep.pdf Виробник: Vishay
Automotive N-Channel 200 V MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJA20EP-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQJA20EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 22.5 A, 0.041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJA20EP-T1_GE3 за ціною від 37.77 грн до 151.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJA20EP-T1_GE3 SQJA20EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja20ep.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA20EP-T1_GE3 SQJA20EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqja20ep.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 22.5A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA20EP-T1_GE3 SQJA20EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqja20ep.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 22.5A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+48.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA20EP-T1_GE3 SQJA20EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqja20ep.pdf Description: VISHAY - SQJA20EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 22.5 A, 0.041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.42 грн
500+50.50 грн
1000+41.95 грн
5000+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA20EP-T1_GE3 SQJA20EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqja20ep.pdf Description: VISHAY - SQJA20EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 22.5 A, 0.041 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.79 грн
10+94.08 грн
100+68.42 грн
500+50.50 грн
1000+41.95 грн
5000+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA20EP-T1_GE3 SQJA20EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja20ep.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.72 грн
10+88.74 грн
100+61.33 грн
500+45.72 грн
1000+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA20EP-T1_GE3 SQJA20EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqja20ep.pdf MOSFETs 200V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 14356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.06 грн
10+103.22 грн
100+60.69 грн
500+48.26 грн
1000+43.41 грн
3000+39.06 грн
6000+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA20EP-T1_GE3 SQJA20EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqja20ep.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 22.5A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.