Продукція > VISHAY > SQJA34EP-T1_GE3
SQJA34EP-T1_GE3

SQJA34EP-T1_GE3 VISHAY

sqja34ep.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA34EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0043 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.12 грн
500+36.08 грн
1000+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJA34EP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJA34EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0043 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SQJA34EP-T1_GE3 за ціною від 26.98 грн до 127.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJA34EP-T1_GE3 SQJA34EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqja34ep.pdf Description: VISHAY - SQJA34EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 4300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.44 грн
11+78.06 грн
100+52.12 грн
500+36.08 грн
1000+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA34EP-T1_GE3 SQJA34EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqja34ep.pdf MOSFETs Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.34 грн
10+79.50 грн
100+46.16 грн
500+37.44 грн
1000+33.28 грн
3000+32.59 грн
6000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA34EP-T1_GE3 SQJA34EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja34ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA34EP-T1_GE3 SQJA34EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja34ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.