Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJA37EP-T1_GE3
SQJA37EP-T1_GE3

SQJA37EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqja37ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJA37EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJA37EP-T1_GE3 за ціною від 23.80 грн до 70.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJA37EP-T1_GE3 SQJA37EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja37ep.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.77 грн
10+51.08 грн
100+39.71 грн
500+31.58 грн
1000+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA37EP-T1_GE3 SQJA37EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqja37ep.pdf MOSFETs -30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 23817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.74 грн
10+55.53 грн
100+38.58 грн
500+32.74 грн
1000+26.68 грн
3000+25.01 грн
6000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA37EP-T1_GE3 SQJA37EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqja37ep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.