Продукція > VISHAY > SQJA38EP-T1_GE3
SQJA38EP-T1_GE3

SQJA38EP-T1_GE3 VISHAY

sqja38ep.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA38EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 14939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.35 грн
500+38.52 грн
1000+30.70 грн
5000+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJA38EP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJA38EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJA38EP-T1_GE3 за ціною від 28.12 грн до 103.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJA38EP-T1_GE3 SQJA38EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqja38ep.pdf MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 68660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.42 грн
10+73.34 грн
100+48.96 грн
500+39.14 грн
1000+33.86 грн
3000+31.40 грн
6000+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA38EP-T1_GE3 SQJA38EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqja38ep.pdf Description: VISHAY - SQJA38EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 14939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+103.51 грн
12+72.37 грн
100+56.35 грн
500+38.52 грн
1000+30.70 грн
5000+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA38EP-T1_GE3 SQJA38EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja38ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA38EP-T1_GE3 SQJA38EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja38ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.