Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJA60EP-T1_BE3
SQJA60EP-T1_BE3

SQJA60EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

sqja60ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJA60EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJA60EP-T1_BE3 за ціною від 28.99 грн до 101.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJA60EP-T1_BE3 SQJA60EP-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja60ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.79 грн
10+62.53 грн
100+48.60 грн
500+38.67 грн
1000+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA60EP-T1_BE3 SQJA60EP-T1_BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqja60ep.pdf MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 32924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.28 грн
10+67.51 грн
100+41.27 грн
500+37.00 грн
1000+31.86 грн
3000+29.72 грн
6000+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA60EP-T1_BE3 Виробник : Vishay sqja60ep.pdf N Channel MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA60EP-T1_BE3 SQJA60EP-T1_BE3 Виробник : Vishay sqja60ep.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.