Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJA64EP-T1_GE3
SQJA64EP-T1_GE3

SQJA64EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqja64ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.41 грн
6000+ 17.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJA64EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJA64EP-T1_GE3 за ціною від 16.67 грн до 55.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJA64EP-T1_GE3 SQJA64EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja64ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.02 грн
10+ 42.62 грн
100+ 29.52 грн
500+ 23.15 грн
1000+ 19.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQJA64EP-T1_GE3 SQJA64EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqja64ep.pdf MOSFET N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 219193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.49 грн
10+ 48.2 грн
100+ 28.56 грн
500+ 23.85 грн
1000+ 20.33 грн
3000+ 17.2 грн
6000+ 16.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQJA64EP-T1_GE3 SQJA64EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqja64ep.pdf Automotive AEC-Q101 N-Channel 60 V, 175 degree C MOSFET
товар відсутній
SQJA64EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqja64ep.pdf SQJA64EP-T1_GE3
товар відсутній