Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJA64EP-T1_GE3
SQJA64EP-T1_GE3

SQJA64EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqja64ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.37 грн
6000+19.50 грн
9000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJA64EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJA64EP-T1_GE3 за ціною від 18.42 грн до 61.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJA64EP-T1_GE3 SQJA64EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja64ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.37 грн
10+46.94 грн
100+32.49 грн
500+25.48 грн
1000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA64EP-T1_GE3 SQJA64EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqja64ep.pdf MOSFET N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 219193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.31 грн
10+53.26 грн
100+31.56 грн
500+26.35 грн
1000+22.46 грн
3000+19.01 грн
6000+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA64EP-T1_GE3 SQJA64EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqja64ep.pdf Automotive AEC-Q101 N-Channel 60 V, 175 degree C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA64EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqja64ep.pdf SQJA64EP-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.