Технічний опис SQJA66EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJA66EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 68W, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm.
Інші пропозиції SQJA66EP-T1_GE3 за ціною від 45.21 грн до 146.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
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SQJA66EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) |
на замовлення 3076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SQJA66EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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SQJA66EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJA66EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm |
на замовлення 608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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SQJA66EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJA66EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung Pd: 68W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm |
на замовлення 608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQJA66EP-T1_GE3 |
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Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
на замовлення 3076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 146.04 грн |
| 10+ | 89.85 грн |
| 50+ | 67.81 грн |
| 100+ | 56.95 грн |
| 500+ | 45.21 грн |
| SQJA66EP-T1_GE3 |
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Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SQJA66EP-T1_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA66EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
Description: VISHAY - SQJA66EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQJA66EP-T1_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA66EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
Description: VISHAY - SQJA66EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)