Продукція > VISHAY > SQJA66EP-T1_GE3
SQJA66EP-T1_GE3

SQJA66EP-T1_GE3 VISHAY

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA66EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.47 грн
500+51.24 грн
1000+43.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJA66EP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJA66EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJA66EP-T1_GE3 за ціною від 35.17 грн до 127.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJA66EP-T1_GE3 SQJA66EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.15 грн
10+92.40 грн
100+55.64 грн
500+44.19 грн
1000+40.63 грн
3000+37.52 грн
6000+35.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA66EP-T1_GE3 SQJA66EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY Description: VISHAY - SQJA66EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.54 грн
10+98.63 грн
100+69.47 грн
500+51.24 грн
1000+43.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA66EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA66EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.