Продукція > VISHAY > SQJA68EP-T1_GE3
SQJA68EP-T1_GE3

SQJA68EP-T1_GE3 VISHAY

sqja68ep.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA68EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.092 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.79 грн
500+29.53 грн
1000+24.71 грн
5000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJA68EP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJA68EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.092 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SQJA68EP-T1_GE3 за ціною від 20.16 грн до 78.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJA68EP-T1_GE3 SQJA68EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqja68ep.pdf MOSFET 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 35449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.69 грн
10+50.21 грн
100+32.52 грн
500+26.91 грн
1000+22.21 грн
3000+20.31 грн
6000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA68EP-T1_GE3 SQJA68EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqja68ep.pdf Description: VISHAY - SQJA68EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.092 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.06 грн
15+58.25 грн
100+39.79 грн
500+29.53 грн
1000+24.71 грн
5000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA68EP-T1_GE3 SQJA68EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja68ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
на замовлення 3912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA68EP-T1_GE3 SQJA68EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja68ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.