Інші пропозиції SQJA72EP-T1 за ціною від 32.33 грн до 117.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJA72EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SQJA72EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.019 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJA72EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQJA72EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJA72EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJA72EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 100V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L |
на замовлення 9802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
| SQJA72EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 37A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
SQJA72EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |