Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJA76EP-T1_BE3
SQJA76EP-T1_BE3

SQJA76EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

sqja76ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.31 грн
10+86.62 грн
100+58.31 грн
500+43.33 грн
1000+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJA76EP-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJA76EP-T1_BE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJA76EP-T1_BE3 SQJA76EP-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja76ep.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA76EP-T1_BE3 SQJA76EP-T1_BE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqja76ep.pdf MOSFETs PowerPAK SO-8L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA76EP-T1-BE3 Виробник : Vishay MOSFETs POWRPK N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA76EP-T1/BE3 Виробник : Vishay Array
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.