SQJA76EP-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQJA76EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.002 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 127.92 грн |
| 10+ | 105.64 грн |
| 100+ | 79.14 грн |
| 500+ | 60.62 грн |
| 1000+ | 44.14 грн |
| 5000+ | 43.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJA76EP-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJA76EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.002 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQJA76EP-T1_GE3 за ціною від 38.26 грн до 151.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJA76EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L |
на замовлення 3615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJA76EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJA76EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SQJA76EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SQJA76EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |