SQJA78EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 72A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 122.55 грн |
| 10+ | 97.94 грн |
| 100+ | 77.98 грн |
| 500+ | 61.92 грн |
| 1000+ | 52.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJA78EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJA78EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.00432 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 72, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00432, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00432, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQJA78EP-T1_GE3 за ціною від 50.39 грн до 139.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJA78EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJA78EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJA78EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.00432 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 72 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 68 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 euEccn: NLR Verlustleistung: 68 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00432 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00432 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SQJA78EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJA78EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.00432 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 72 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 68 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 euEccn: NLR Verlustleistung: 68 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00432 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00432 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SQJA78EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 72A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SQJA78EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 72A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |