Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJA80EP-T1_GE3

SQJA80EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Name: SQJA80EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 12668047-3
Price: 105300.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	35.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SQJA80EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJA80EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 7000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 68W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.

Інші пропозиції SQJA80EP-T1_GE3 за ціною від 30.17 грн до 141.44 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SQJA80EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

MOSFETs N-Channel 80V PowerPAK SO-8L

на замовлення 39074 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.30 грн
10+	44.26 грн
100+	35.52 грн
1000+	33.69 грн
3000+	31.01 грн
6000+	30.17 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJA80EP-T1_GE3

VISHAY

VISH-S-A0014527095-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SQJA80EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 7000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm

на замовлення 1745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	71.05 грн
500+	54.82 грн
1000+	47.15 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJA80EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.45 грн
10+	78.49 грн
100+	52.82 грн
500+	39.25 грн
1000+	36.25 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJA80EP-T1_GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SQJA80EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 7000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm

на замовлення 1745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	141.44 грн
10+	92.10 грн
100+	71.05 грн
500+	54.82 грн
1000+	47.15 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJA80EP-T1_GE3

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-Channel 80V PowerPAK SO-8L

на замовлення 39074 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	52.30 грн
10+	44.26 грн
100+	35.52 грн
1000+	33.69 грн
3000+	31.01 грн
6000+	30.17 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJA80EP-T1_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA80EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 7000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm

на замовлення 1745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	71.05 грн
500+	54.82 грн
1000+	47.15 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJA80EP-T1_GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	128.45 грн
10+	78.49 грн
100+	52.82 грн
500+	39.25 грн
1000+	36.25 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SQJA80EP-T1_GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA80EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 7000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm

на замовлення 1745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	141.44 грн
10+	92.10 грн
100+	71.05 грн
500+	54.82 грн
1000+	47.15 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.