Продукція > VISHAY > SQJA80EP-T1_GE3
SQJA80EP-T1_GE3

SQJA80EP-T1_GE3 Vishay

sqja80ep-.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
263+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJA80EP-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQJA80EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0058 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQJA80EP-T1_GE3 за ціною від 31.78 грн до 120.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJA80EP-T1_GE3 SQJA80EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqja80ep-.pdf Description: VISHAY - SQJA80EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0058 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.27 грн
500+51.42 грн
1000+45.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_GE3 SQJA80EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqja80ep-.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+80.11 грн
10+68.56 грн
25+67.87 грн
50+64.58 грн
100+50.03 грн
250+47.54 грн
500+41.83 грн
1000+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_GE3 SQJA80EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqja80ep-.pdf MOSFETs N-Channel 80V PowerPAK SO-8L
на замовлення 39591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.98 грн
10+74.70 грн
100+51.57 грн
500+44.51 грн
1000+36.64 грн
3000+34.58 грн
6000+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_GE3 SQJA80EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja80ep-.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.91 грн
10+73.87 грн
100+57.45 грн
500+45.70 грн
1000+37.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_GE3 SQJA80EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqja80ep-.pdf Description: VISHAY - SQJA80EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0058 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+120.49 грн
11+81.13 грн
100+57.27 грн
500+51.42 грн
1000+45.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_GE3 SQJA80EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqja80ep-.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 60A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_GE3 SQJA80EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja80ep-.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.