SQJA81EP-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQJA81EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 46 A, 0.0143 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0143ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0143ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 110.60 грн |
| 500+ | 83.29 грн |
| 1000+ | 70.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJA81EP-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJA81EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 46 A, 0.0143 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0143ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0143ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQJA81EP-T1_GE3 за ціною від 65.68 грн до 221.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJA81EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 4954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJA81EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 46A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQJA81EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJA81EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 46 A, 0.0143 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0143ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJA81EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 46A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SQJA81EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SQJA81EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SQJA81EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 46A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SQJA81EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 46A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |