SQJA82EP-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQJA82EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 8200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 39.30 грн |
| 500+ | 33.46 грн |
| 1000+ | 30.73 грн |
| 5000+ | 29.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJA82EP-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJA82EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 8200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SQJA82EP-T1_GE3 за ціною від 29.82 грн до 48.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQJA82EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJA82EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 8200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 15466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQJA82EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 |
на замовлення 13956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
SQJA82EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8L |
на замовлення 321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
SQJA82EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |