Продукція > VISHAY > SQJA82EP-T1_GE3
SQJA82EP-T1_GE3

SQJA82EP-T1_GE3 VISHAY


sqja82ep.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA82EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 8200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.73 грн
500+33.16 грн
1000+29.81 грн
5000+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJA82EP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJA82EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 8200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SQJA82EP-T1_GE3 за ціною від 28.93 грн до 50.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJA82EP-T1_GE3 SQJA82EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqja82ep.pdf Description: VISHAY - SQJA82EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 8200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.17 грн
21+41.66 грн
100+36.73 грн
500+33.16 грн
1000+29.81 грн
5000+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA82EP-T1_GE3 SQJA82EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja82ep.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
на замовлення 13956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA82EP-T1_GE3 SQJA82EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqja82ep.pdf MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8L
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA82EP-T1_GE3 SQJA82EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja82ep.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.