SQJA92EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 57A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.15 грн |
| 10+ | 81.93 грн |
| 100+ | 63.89 грн |
| 500+ | 49.53 грн |
| 1000+ | 39.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJA92EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 57A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SQJA92EP-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJA92EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8L |
на замовлення 4913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SQJA92EP-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8L
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8L
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)